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プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド
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発明の名称 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−200898(P2007−200898A)
公開日 平成19年8月9日(2007.8.9)
出願番号 特願2007−17160(P2007−17160)
出願日 平成19年1月26日(2007.1.26)
代理人 【識別番号】110000165
【氏名又は名称】グローバル・アイピー東京特許業務法人
発明者 李 勇翰
要約 課題
温度変化が起きても放電特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。

解決手段
本発明のプラズマディスプレイパネルは、隔壁112と、スキャン電極102及びサステイン電極103が配置される基板101と、スキャン電極102及びサステイン電極103を覆う誘電体層104と、誘電体層104を覆う第1保護層105aと、第1保護層105aを覆い、第1保護層105aの面積より小さな面積を有する第2保護層105bと、を備える。
特許請求の範囲
【請求項1】
隔壁と、
スキャン電極及びサステイン電極が配置される基板と、
前記スキャン電極及び前記サステイン電極を覆う誘電体層と、
前記誘電体層を覆う第1保護層と、
前記第1保護層を覆い、前記第1保護層の面積より小さな面積を有する第2保護層と、
を含むプラズマディスプレイパネル。
【請求項2】
前記第2保護層の領域は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間のギャップに対応する領域と前記隔壁に対応する領域のうちの少なくとも1つの領域を含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項3】
前記第1保護層は、ドーパントを含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項4】
前記第1保護層は、ドーパントを含み、
前記ドーパントの濃度は、100ppm以上1000ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項5】
前記スキャン電極及び前記サステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極を備え、
前記第2保護層の一部は、前記スキャン電極の前記透明電極と前記サステイン電極の前記透明電極との間のギャップに対応する領域に位置することを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項6】
前記第1保護層の導電率は、前記第2保護層の導電率より大きいことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項7】
前記第1保護層の厚さは、前記第2保護層の厚さより厚いことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項8】
前記第2保護層の厚さは、50Å以上1000Å以下に形成されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項9】
前記第2保護層の厚さは、50Å以上100Å以下に形成されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項10】
前記第1保護層は、Si又はTiのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項11】
前記第1保護層及び前記第2保護層は、MgOを含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項12】
前記第1保護層の二次電子放出係数は、前記第2保護層の二次電子放出係数より大きいことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項13】
隔壁を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
基板にスキャン電極及びサステイン電極を形成するステップと、
前記スキャン電極及び前記サステイン電極を覆う誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層上に第1保護層を形成するステップと、
前記第1保護層上に第2保護層を形成するステップと、
前記第2保護層の一部を除去するステップと、
を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項14】
前記第2保護層の領域は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間のギャップに対応する領域と前記隔壁に対応する領域のうちの少なくとも1つの領域を含むことを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項15】
前記第1保護層は、ドーパントを含むことを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項16】
前記第1保護層は、ドーパントを含み、
前記ドーパントの濃度は、100ppm以上1000ppm以下であることを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項17】
前記スキャン電極及び前記サステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極を含み,
前記第2保護層の一部は、前記スキャン電極の前記透明電極と前記サステイン電極の前記透明電極との間のギャップに対応する領域に位置することを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項18】
前記第1保護層の導電率は、前記第2保護層の導電率より大きいことを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項19】
前記第1保護層の厚さは、前記第2保護層の厚さより厚いことを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項20】
前記第2保護層の厚さは、50Å以上1000Å以下に形成されることを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項21】
前記第2保護層の厚さは、50Å以上100Å以下に形成されることを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項22】
前記第1保護層は、Si又はTiのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項23】
前記スキャン電極と前記サステイン電極のうちの少なくとも1つにエージングパルスが供給されて、前記第2保護層の一部が除去されることを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法
【請求項24】
前記第1保護層の二次電子放出係数は、前記第2保護層の二次電子放出係数より大きいことを特徴とする請求項13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
【0002】
プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が1つの放電セルをなすものであって、放電セル内には、ネオン(Ne)、ヘリウム(He)又はネオン及びヘリウムの混合気体(Ne+He)と、少量のキセノンを含有する放電ガスとが充填されている。放電セルは、画素を表示するための複数のピクセルをなすものである。例えば、赤色(Red、R)、緑色(Green、G)、青色(Blue、B)の放電セルが集まって、1つのピクセルをなすものである。
【0003】
プラズマディスプレイパネルは、高周波電圧により放電される際に、放電ガスが真空紫外線(Vacuum Ultra violetrays)を発生し、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることにより、映像が具現される。
【0004】
プラズマディスプレイパネルには、放電を発生させるための駆動電圧が供給され、このような駆動電圧により、リセット期間においてリセット放電、アドレス期間においてアドレス放電、サステイン期間においてサステイン放電などの放電が発生することによって、映像が表示される。
【0005】
プラズマディスプレイパネルは、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム(MgO)を蒸着した保護層を含む。保護層は、イオンが衝突する時に二次電子を再び放出する。保護層の二次電子の再放出は、二次電子放出係数に比例する。
【0006】
二次電子放出係数の増加のために、Si、Tiのような多様なドーパント(dopant)をドーピングする。ドーパントのドーピングは、温度の変化に応じて保護層の特性を大きく変化させて、温度に応じて保護層が互いに異なる放電特性を引き起こす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、温度変化が起きても放電特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、隔壁と、スキャン電極及びサステイン電極が配置される基板と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う第1保護層と、前記第1保護層を覆い、前記第1保護層の面積より小さな面積を有する第2保護層とを含むことを特徴とする。
【0009】
さらに、前記第2保護層の領域は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間のギャップに対応する領域と前記隔壁に対応する領域のうちの少なくとも1つの領域を含むことが好ましい。
【0010】
また、前記第1保護層は、ドーパントを含むことが好ましい。
【0011】
また、前記第1保護層は、ドーパントを含み、前記ドーパントの濃度は、100ppm以上1000ppm以下であることが好ましい。
【0012】
また、前記スキャン電極及び前記サステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極を備え、前記第2保護層の一部は、前記スキャン電極の前記透明電極と前記サステイン電極の前記透明電極との間のギャップに対応する領域に位置することが好ましい。
【0013】
また、前記第1保護層の導電率は、前記第2保護層の導電率より大きいことが好ましい。
【0014】
また、前記第1保護層の厚さは、前記第2保護層の厚さより厚いことが好ましい。
【0015】
また、前記第2保護層の厚さは、50Å以上1000Å以下に形成されることが好ましい。
【0016】
また、前記第2保護層の厚さは、50Å以上100Å以下に形成されることが好ましい。
【0017】
また、前記第1保護層は、Si又はTiのうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。
【0018】
また、前記第1保護層及び前記第2保護層は、MgOを含むことが好ましい。
【0019】
また、前記第1保護層の二次電子放出係数は、前記第2保護層の二次電子放出係数より大きいことが好ましい。
【0020】
本発明に係る隔壁を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板にスキャン電極及びサステイン電極を形成するステップと、前記スキャン電極及び前記サステイン電極を覆う誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層上に第1保護層を形成するステップと、前記第1保護層上に第2保護層を形成するステップと、前記第2保護層の一部を除去するステップと、を含むことを特徴とする。
【0021】
さらに、前記第2保護層の領域は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間のギャップに対応する領域と前記隔壁に対応する領域のうちの少なくとも1つの領域を含むことが好ましい。
【0022】
また、前記第1保護層は、ドーパントを含むことが好ましい。
【0023】
また、前記第1保護層は、ドーパントを含み、前記ドーパントの濃度は、100ppm以上1000ppm以下であることが好ましい。
【0024】
また、前記スキャン電極及び前記サステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極を備え、前記第2保護層の一部は、前記スキャン電極の前記透明電極と前記サステイン電極の前記透明電極との間のギャップに対応する領域に位置することが好ましい。
【0025】
また、前記第1保護層の導電率は、前記第2保護層の導電率より大きいことが好ましい。
【0026】
また、前記第1保護層の厚さは、前記第2保護層の厚さより厚いことが好ましい。
【0027】
また、前記第2保護層の厚さは、50Å以上1000Å以下に形成されることが好ましい。
【0028】
また、前記第2保護層の厚さは、50Å以上100Å以下に形成されることが好ましい。
【0029】
また、前記第1保護層は、Si又はTiのうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。
【0030】
また、前記スキャン電極と前記サステイン電極のうちの少なくとも1つにエージングパルスが供給されて、前記第2保護層の一部が除去されることが好ましい。
【0031】
また、前記第1保護層の二次電子放出係数は、前記第2保護層の二次電子放出係数より大きいことが好ましい。
【発明の効果】
【0032】
本発明に係るプラズマディスプレイパネル及びその製造方法によれば、温度変化が起きても放電開始電圧を下げ、ジッタ特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0033】
以下、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面に基づき詳細に説明する。
【0034】
図1に示すように、本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルは、前面パネル100と後面パネル110を備える。前面パネル100は、前面基板101を備え、前面基板101には、スキャン電極102とサステイン電極103が配置される。後面パネル110は、後面基板111を備え、後面基板111には、アドレス電極113が位置する。アドレス電極113は、スキャン電極102及びサステイン電極103と交差する。
【0035】
スキャン電極102及びサステイン電極103のそれぞれは、透明電極102a、103aと、バス電極102b、103bと、を備える。上部誘電体層104は、スキャン電極102及びサステイン電極103を覆い、スキャン電極102及びサステイン電極103間の放電電流を制限し、絶縁させる。第1保護層105a及び第2保護層105bは、上部誘電体層104上に位置し、酸化マグネシウム(MgO)の蒸着により形成される。第1保護層105aは、上部誘電体層104を覆い、第2保護層105bは、第1保護層105aを覆い、第1保護層105aの面積より小さな面積を有する。
【0036】
第1保護層105aは、二次電子放出係数を高めるために、ドーパントを含む。ドーパントの濃度は、100ppm以上1000ppm以下であってもよい。ドーパントの濃度が100ppm以上1000ppm以下であるとき、二次電子を円滑に放出し、かつ、プラズマディスプレイパネルの安定した放電特性及びジッタ特性を維持することができる。第1保護層105aは、Si又はTiのうちの少なくとも1つを含む。すなわち、第1保護層105aのドーパントは、Si又はTiのうちの少なくとも1つである。
【0037】
本発明の実施の形態において、第1保護層105aの厚さと第2保護層105bの厚さは、互いに異なってもよい。また、第1保護層105aの厚さTは、第2保護層105bの厚さTより厚くてもよい。第1保護層105aの厚さTが第2保護層105bの厚さTより厚いのは、第1保護層105aが上部誘電体層104上に位置するので、第1保護層105aが上部誘電体層104を保護しなければならないからである。
【0038】
第2保護層105bの厚さTは、50Å以上1000Å以下であってもよい。第2保護層105bの厚さTはが50Å以上1000Å以下であるとき、エージング過程において陽イオンの衝突による第2保護層105bの除去が容易になる。第2保護層105bの厚さTは、50Å以上100Å以下であってもよい。第2保護層105bの厚さTが50Å以上100Å以下であるとき、エージング過程において消費される時間を低減することができる。
【0039】
エージング過程において除去される第2保護層105bの部分は、スキャン電極102及びサステイン電極103に対応する部分である。エージング過程後の第2保護層105bは、スキャン電極102とサステイン電極103との間のギャップGに対応する領域と隔壁112に対応する領域のうちの少なくとも1つの領域を含むことができる。
【0040】
スキャン電極102とサステイン電極103との間のギャップGは、スキャン電極102の透明電極102aとサステイン電極103の透明電極103aとの間の距離であってもよい。また、スキャン電極102とサステイン電極103がバス電極102b、103bのみを備える場合、スキャン電極102とサステイン電極103との間のギャップGは、スキャン電極102のバス電極102bとサステイン電極103のバス電極103bの距離であってもよい。
【0041】
第1保護層105aは、上部誘電体層104を保護し、二次電子の放出を円滑にする。すなわち、第1保護層105aに含まれたドーパントは、第1保護層105aの導電率と二次電子放出係数を増加させる。
【0042】
第2保護層105bは、ドーパントを含んでいない、又は、第1保護層105aのドーパントの濃度より低い濃度のドーパントを含んでいる。第1保護層105aの導電率及び二次電子放出係数は、第2保護層105bの導電率及び二次電子放出係数より大きい。第2保護層105bは、電荷が放電セル間の移動を妨害する。
【0043】
すなわち、第1保護層105aは二次電子の放出を容易にし、第2保護層105bは電荷の移動を妨害して、向上した放電特性を維持することができる。特に、温度が変わるとき、第2保護層105bにより電荷の移動が防止されるので、温度変化と関係なく放電特性を維持することができる。例えば、第1保護層105は二次電子の放出を容易にするので、放電開始電圧が低くなり、ジッタ特性が向上する。また、第2保護層105bが電荷が隣接放電セルに移動することを妨害するので、温度変化に関係なく放電開始電圧とジッタ特性を維持することができる。
【0044】
図1の後面パネル110は下部誘電体層115を備える。下部誘電体層115はアドレス電極113を覆い、アドレス電極113間を絶縁させる。隔壁112は下部誘電体層115上に位置し、放電セルを区画する。隔壁112間には蛍光体114が位置する。
【0045】
図2に示すように、前面基板101に透明電極102a、103aとバス電極102b、103bを備えるスキャン電極102とサステイン電極103が形成される。
【0046】
上部誘電体層104は、スキャン電極102とサステイン電極103上に形成され、スキャン電極102とサステイン電極103を絶縁させる。
【0047】
ドーパントによりドーピングされた酸化マグネシウムのような保護層材が蒸着されて、第1保護層105aが形成される。ドーパントは、Si又はTiのうちの少なくとも1つを含んでもよい。ドーパントの濃度は、100ppm以上1000ppm以下であってもよい。
【0048】
酸化マグネシウムのような保護層材が第1保護層105a上に蒸着されて、第2保護層105bが形成される。第1保護層105aの厚さは、第2保護層105bの厚さより厚くてもよい。第2保護層105bの厚さは、50Å以上1000Å以下であってもよいし、50Å以上100Å以下であってもよい。
【0049】
図2では、プラズマディスプレイパネルの前面パネル100のみを示した。後面パネル(図示せず)が完成すると、前面パネル100と後面パネル(図示せず)とを合着した後、エージング工程が行われる。スキャン電極102及びサステイン電極103に交互にエージングパルスが供給されると、陽イオンが第2保護層105bと衝突することによって、第2保護層105bの一部が除去される。エージングパルスが供給されると、陽イオンがスキャン電極102とサステイン電極103との間を移動するので、スキャン電極102とサステイン電極103に対応する第2保護層105bの領域が除去される。これにより、残っている第2保護層105bの領域は、スキャン電極102とサステイン電極103との間のギャップに対応する領域と、隔壁に対応する領域のうちの少なくとも1つを含むことができる。
【0050】
図3に示すように、第1保護層105aがドーパントを含むので、第1保護層105aの二次電子放出係数は、第2保護層105bより大きい。ドーパントがドーピングされた第1保護層105aが形成されると、過剰電子と過剰正孔が発生するので、電荷の衝突により多くの二次電子が第1保護層105aから放出される。第1保護層105aが放出する二次電子の個数は、第2保護層105bが放出する二次電子の個数より多い。したがって、第1保護層105aの二次電子放出係数は、第2保護層105bの二次電子放出係数より大きい。
【0051】
ドーピングされていない、又は、第1保護層105aのドーピング濃度より低いドーピング濃度を有する第2保護層105bは、優れた配向性、結晶性、膜密度を有する酸化マグネシウム(MgO)を含むので、安定した結合構造を有する。
【0052】
図4に示すように、スキャン電極102及びサステイン電極103に対応する第2保護層105bの領域が除去されるので、スキャン電極102及びサステイン電極103のギャップに対応する第2保護層105bの領域GLと隔壁(図示せず)に対応する第2保護層105bの領域BLのうちの少なくとも1つの領域が残る。除去されない第2保護層105bの導電率は、第1保護層105bの導電率より小さいので、1つの放電セルの内部に存在する電荷が隣接放電セルに移動することが防止される。したがって、安定した放電が行われる。
【0053】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【0054】
【図1】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルを示す図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造工程を示す図である。
【図3】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルに備えられた第1保護層と第2保護層の二次電子の放出を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの第1保護層と第2保護層を示す図である。




 

 


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