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発明の名称 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−12621(P2007−12621A)
公開日 平成19年1月18日(2007.1.18)
出願番号 特願2006−182965(P2006−182965)
出願日 平成18年7月3日(2006.7.3)
代理人 【識別番号】110000165
【氏名又は名称】グローバル・アイピー東京特許業務法人
発明者 キム ウテ
要約 課題
電極と電極との間の距離に最適化した構造を備えたプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供すること。

解決手段
本発明のプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成される第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極上に形成され、前記第1電極と前記第2電極との間に少なくとも1つの溝が形成された誘電体層とを備え、前記溝側面の勾配は、0.2以上1.5以下の範囲であり、前記第1透明電極又は前記第2透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離は、10μm以上100μm以下の範囲であり、前記溝の深さは、5μm以上30μm以下の範囲である。また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第1電極及び第2電極を形成するステップと、前記第1電極及び前記第2電極上に誘電体層を形成するステップと、前記第1電極と前記第2電極との間の誘電体層に少なくとも1つの溝を形成するステップとを含む。
特許請求の範囲
【請求項1】
基板と、
前記基板上に形成され、10μm以上200μm以下の範囲の距離で離間した第1電極及び第2電極と、
前記第1電極及び第2電極上に形成された誘電体層と
を備え、
前記第1電極と第2電極との間の前記基板から前記誘電体層の表面までの第1距離は、前記第1電極又は前記第2電極のうちの少なくとも1つの電極が形成された部分の前記基板から前記誘電体層の表面までの第2距離と異なることを特徴とする、
プラズマディスプレイパネル。
【請求項2】
前記第1距離は、前記第2距離より短いことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項3】
基板と、
前記基板上に形成され、10μm以上200μm以下の範囲の距離で離間した第1電極及び第2電極と、
前記第1電極及び第2電極上に形成され、前記第1電極と前記第2電極との間に少なくとも1つの溝が形成された誘電体層と
を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項4】
前記溝側面の勾配が、0.2以上1.5以下の範囲であることを特徴とする請求項3に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項5】
前記第1電極が第1透明電極を備え、前記第2電極は第2透明電極を備え、
前記第1透明電極又は前記第2透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離は、10μm以上100μm以下の範囲であることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項6】
前記溝の深さは、5μm以上30μm以下の範囲であることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項7】
基板と、
前記基板上に形成される第1電極及び第2電極と、
前記第1電極及び第2電極上に形成され、前記第1電極と前記第2電極との間に少なくとも1つの溝が形成された誘電体層と
を備え、
前記溝側面の勾配が、0.2以上1.5以下の範囲であり、
前記第1透明電極又は前記第2透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、10μm以上100μm以下の範囲であり、
前記溝の深さが、5μm以上30μm以下の範囲であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項8】
前記溝は、前記第1透明電極と前記第2透明電極との間に形成されることを特徴とする請求項7に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項9】
基板上に第1電極及び第2電極を形成するステップと、
前記第1電極及び前記第2電極上に誘電体層を形成するステップと、
前記第1電極と前記第2電極との間の誘電体層に少なくとも1つの溝を形成するステップと
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項10】
前記第1電極及び前記第2電極を形成するステップは、第1透明電極及び第2透明電極を形成するステップを含み、
前記溝は、前記第1透明電極と前記第2透明電極との間に形成されることを特徴とする請求項9に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項11】
前記誘電体層は、誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルムにより形成されることを特徴とする請求項9に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項12】
前記第1電極及び前記第2電極の間の距離は、10μm以上200μm以下の範囲であることを特徴とする請求項9に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項13】
前記溝は、パターン印刷法で形成されることを特徴とする請求項9に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項14】
前記溝側面の勾配は、0.2以上1.5以下の範囲であることを特徴とする請求項9に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項15】
前記溝の深さは、5μm以上30μm以下の範囲であることを特徴とする請求項9に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項16】
前記第1電極及び前記第2電極を形成するステップは、第1透明電極及び第2透明電極を形成するステップを含み、
前記第1透明電極又は前記第2透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、10μm以上100μm以下の範囲であることを特徴とする請求項9に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel)の各セル内には、ネオン(Ne)、ヘリウム(He)又はネオン及びヘリウムの混合気体(Ne+He)等の主放電気体及び少量のキセノンを含有する不活性ガスが充填される。プラズマディスプレイパネルの電極に高周波電圧が供給されれば、セル内に充填された不活性ガスは、真空紫外線(Vacuum Ultra violet rays)を発生させ、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることによって、画像が具現される。
【0003】
プラズマディスプレイパネルの電極には駆動信号が供給される。駆動信号の供給に応じて、プラズマディスプレイパネルの放電セル内でリセット放電、アドレス放電、サステイン放電などが発生する。リセット放電は、放電セル内部の壁電荷を均一に形成するためのものである。アドレス放電は、光が放出される放電セルを選択するためのものである。サステイン放電は、選択された放電セルから光を放出するためのものである。放電セル内でサステイン放電が起きる際、放電セル内に充填されている放電ガスは、真空紫外線を発生させる。真空紫外線は、放電セル内に形成された蛍光体を発光させることによって、画像が具現される。
【0004】
プラズマディスプレイパネルの電極と電極との間の距離に応じて、放電開始電圧及び放電効率が影響を受ける。したがって、電極と電極との間の距離に最適化した構造を備えたプラズマディスプレイパネルが必要となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
そこで、本発明は、上記の従来の技術の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、電極と電極との間の距離に最適化した構造を備えたプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成され、距離が10μm以上200μm以下の範囲である第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極上に形成された誘電体層とを備え、前記第1電極と第2電極との間の前記基板から前記誘電体層の表面までの第1距離が、前記第1電極又は前記第2電極のうちの少なくとも1つの電極が形成された前記基板から前記誘電体層の表面までの第2距離と異なる。
【0007】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成され、距離が10μm以上200μm以下の範囲である第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極上に形成され、前記第1電極と前記第2電極との間に少なくとも1つの溝が形成された誘電体層とを備える。
【0008】
前記溝の深さは、5μm以上30μm以下の範囲であることができる。
【0009】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成される第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極上に形成され、前記第1電極と前記第2電極との間に少なくとも1つの溝が形成された誘電体層とを備え、前記溝側面の勾配は、0.2以上1.5以下の範囲であり、前記第1透明電極又は前記第2透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、10μm以上100μm以下の範囲であり、前記溝の深さは、5μm以上30μm以下の範囲である。
【0010】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第1電極及び第2電極を形成するステップと、前記第1電極及び前記第2電極上に誘電体層を形成するステップと、前記第1電極と前記第2電極との間の誘電体層に少なくとも1つの溝を形成するステップとを含む。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、プラズマディスプレイパネルの電極と電極との間の距離に応じて、放電開始電圧及び放電効率が影響を受けない、すなわち電極と電極との間の距離に最適化した構造を備えたプラズマディスプレイパネル及びその製造方法が得られるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
以下、本発明の最も好ましい実施形態を、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。
【0013】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成され、距離が10μm以上200μm以下の範囲である第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極上に形成された誘電体層とを備え、前記第1電極と第2電極との間の前記基板から前記誘電体層の表面までの第1距離が、前記第1電極又は前記第2電極のうちの少なくとも1つの電極が形成された前記基板から前記誘電体層の表面までの第2距離と異なる。
【0014】
前記第1距離は、前記第2距離より短いことができるできる。
【0015】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成され、距離が10μm以上200μm以下の範囲である第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極上に形成され、前記第1電極と前記第2電極との間に少なくとも1つの溝が形成された誘電体層とを備える。
【0016】
前記溝側面の勾配が、0.2以上1.5以下の範囲であることができる。
【0017】
前記第1電極が第1透明電極を備え、前記第2電極が第2透明電極を備え、前記第1透明電極又は前記第2透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、10μm以上100μm以下の範囲であることができる。
【0018】
前記溝の深さ、5μm以上30μm以下の範囲であることができる。
【0019】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成される第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極上に形成され、前記第1電極と前記第2電極との間に少なくとも1つの溝が形成された誘電体層とを備え、前記溝側面の勾配が、0.2以上1.5以下の範囲であり、前記第1透明電極又は前記第2透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、10μm以上100μm以下の範囲であり、前記溝の深さが、5μm以上30μm以下の範囲である。
【0020】
前記溝は、前記第1透明電極と前記第2透明電極との間に形成される。
【0021】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第1電極及び第2電極を形成するステップと、前記第1電極及び前記第2電極上に誘電体層を形成するステップと、前記第1電極と前記第2電極との間の誘電体層に少なくとも1つの溝を形成するステップとを含む。
【0022】
前記第1電極及び前記第2電極を形成するステップが、第1透明電極及び第2透明電極を形成するステップを含み、前記溝が、前記第1透明電極と前記第2透明電極との間に形成されることが好ましい。
【0023】
前記誘電体層は、誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルムにより形成されることが好ましい。
【0024】
前記第1電極及び前記第2電極の距離は、10μm以上200μm以下の範囲であることが好ましい。
【0025】
前記溝は、パターン印刷法で形成されることができる。
【0026】
前記溝側面の勾配は、0.2以上1.5以下であることができる。
【0027】
前記溝の深さは、5μm以上30μm以下の範囲であることが好ましい。
【0028】
前記第1電極及び前記第2電極を形成するステップは、第1透明電極及び第2透明電極を形成するステップを含み、前記第1透明電極又は前記第2透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、10μm以上100μm以下の範囲であることができる。
【0029】
以下、本発明に係る具体的な実施形態を、添付した図面を参照して説明する。
【0030】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのスキャン電極及びサステイン電極は、10μm以上200μm以下の範囲の距離で離間されて配置されたロングカラム構造(long Column)を有する。また、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのスキャン電極及びサステイン電極上に形成された誘電体層には、溝が形成される。
【0031】
図1は、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを示すものである。
【0032】
同図に示すように、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、前面パネル100及び後面パネル110を備える。画像がディスプレイされる前面パネル100は、前面基板101を備え、前面基板101上にスキャン電極102及びサステイン電極103が形成される。後面基板111上にスキャン電極102及びサステイン電極103と交差するように、アドレス電極113が形成される。
【0033】
スキャン電極102及びサステイン電極103それぞれは、透明電極102a,103a及びバス電極102b,103bを備える。透明電極102a,103aは、前面基板101上に形成され、ITO(Indum Tin Oxide)からなる。バス電極102b,103bは、透明電極102a,103a上に形成され、金属材質からなる。
【0034】
スキャン電極102の透明電極102aと、サステイン電極103aの透明電極103との間の距離は、10μm以上200μm以下の範囲である。スキャン電極102の透明電極102aと、サステイン電極103の透明電極103aとの間の距離が10μm以上200μm以下の範囲である場合、放電セルにおいて陽光柱領域(positive column region)に相当する放電が発生する。これによって、放電効率が向上する。
【0035】
スキャン電極102及びサステイン電極103の上部には、放電電流を制限し、かつスキャン電極102とサステイン電極103を絶縁するための上部誘電体層104が形成される。上部誘電体層104には、スキャン電極102の透明電極102aとサステイン電極103の透明電極103aとの間に、少なくとも1つの溝Gが形成される。上部誘電体層104に形成された溝Gについては、図2を参照して詳説する。上部誘電体層104の上部には、酸化マグネシウム(MgO)からなる保護層105が形成される。
【0036】
後面パネル110は、後面基板111を備える。後面基板111の上部には、スキャン電極102及びサステイン電極103と交差するようにアドレス電極113が形成され、アドレス電極113の上部には、下部誘電体115が形成される。また、下部誘電体層115の上部には、放電セルを区画する隔壁112が形成される。隔壁112と隔壁112との間には、蛍光体層114が形成される。蛍光体層114は、放電の際、赤色、緑色及び青色のうちのいずれかの色を有する可視光線を発生する。
【0037】
図2は、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの断面図である。
【0038】
図2に示すように、前面基板101の上部にスキャン電極102及びサステイン電極103が形成され、スキャン電極102とサステイン電極103それぞれは、透明電極102a,103aとバス電極102b,103bを備える。スキャン電極102の透明電極102aと、サステイン電極103の透明電極103aとの間の距離は、10μm以上200μm以下の範囲である。これによって、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、陽光柱領域に相当する放電が発生することによって、放電効率が向上する。
【0039】
スキャン電極102とサステイン電極103との間の上部誘電体層104には、溝Gが形成される。溝Gによって、スキャン電極102とサステイン電極103との間の前面基板101の表面から上部誘電体層104の表面までの第1距離D1は、スキャン電極102又はサステイン電極103のうちの少なくとも1つの電極が形成された部分における前面基板101の表面から上部誘電体層104の表面までの第2距離D2より短い。
【0040】
上部誘電体層104に形成された溝Gの側面の勾配は、0.2以上1.5の範囲であることができる。すなわち、上部誘電体層104の表面と溝Gの側面に形成される角度(θ)のtan値(=tanθ)は、0.2以上1.5の範囲であることができる。スキャン電極102の透明電極102a又はサステイン電極103の透明電極103aのうちのいずれかの透明電極の終端から溝G下面の終端までの水平距離Aは、10μm以上100μm以下の範囲とすることができる。溝Gの深さBは、5μm以上30μm以下の範囲が好ましい。
【0041】
図3a及び図3bは、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの溝の有無に応じる放電経路を比較したものである。
【0042】
図3aは、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルに形成された溝Gによる放電経路を示すものであり、図3bは、溝が形成されていないプラズマディスプレイパネルにおける放電経路を示すものである。溝G側面の勾配が0.2以上1.5以下、スキャン電極102の透明電極102a又はサステイン電極103の透明電極103aのうちのいずれかの透明電極の終端から溝G下面の終端までの水平距離Aが10μm以上100μm以下の範囲であり、溝Gの深さBは、5μm以上30μm以下の範囲であれば、図3a及び図3bに示すように、図3aの放電経路が図3bの放電経路より短くなることから、放電開始電圧の大きさが減る。また、スキャン電極102とサステイン電極103との間の距離が10μm以上200μm以下の範囲である場合、放電効率は増加するが放電開始電圧は大きくなる可能性がある。図3aに示すように、溝Gが形成されることにより、放電開始電圧の大きさを減らし、かつ放電効率を向上させることができる。
【0043】
図4は、本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの断面図である。
【0044】
図4に示すように、スキャン電極102の透明電極102aと、サステイン電極103の透明電極103aとの間の距離は、10μm以上200μm以下の範囲である。これによって、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、陽光柱領域に相当する放電が発生することによって、放電効率が向上する。
【0045】
スキャン電極102とサステイン電極103との間の上部誘電体層104には、曲面を持つ溝Gが形成される。溝Gのため、スキャン電極102とサステイン電極103との間の前面基板101の表面から上部誘電体層104の表面までの第1距離D1は、スキャン電極102又はサステイン電極103のうちの少なくとも1つの電極が形成された部分の前面基板101の表面から上部誘電体層104の表面までの第2距離D2より短い。
【0046】
上部誘電体層104に形成された溝Gの側面でのtanθは、0.2以上1.5以下の範囲であることができる。ここでは、θは、溝Gの端部での接線の傾きに相当する。スキャン電極102の透明電極102a又はサステイン電極103の透明電極103aのうちのいずれかの透明電極の終端からの水平距離Aは、10μm以上100μm以下の範囲であることが好ましい。溝Gの深さBは、5μm以上30μm以下の範囲ができる。
【0047】
図5a〜図5fは、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。
【0048】
図5aに示すように、前面基板101の上部にスキャン電極102の透明電極102a及びサステイン電極103の透明電極103aが形成される。スキャン電極102の透明電極102aとサステイン電極103の透明電極103aとの間の距離は、10μm以上200μm以下の範囲である。
【0049】
図5bに示すように、スキャン電極102の透明電極102a及びサステイン電極103の透明電極103aの上部に、バス電極102b,103bが形成される。
【0050】
図5cに示すように、スキャン電極102及びサステイン電極103の上部に誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルム104Aのうちのいずれかが形成された後、図5dに示すように、フォトマスク505により誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルム104Aが露光されることにより、溝Gのパターンが形成される。
【0051】
図5eに示すように、エッチング工程により誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルム104Aのうちのいずれかに溝Gが形成され、約500℃以上600℃以下の範囲の温度で焼成工程が行われることによって、上部誘電体層104を形成する。溝G側面の勾配は、0.2以上1.5以下の範囲であり、スキャン電極102の透明電極102a又はサステイン電極103の透明電極103aのうちのいずれかの透明電極の終端から溝G下面の終端までの水平距離は10μm以上100μm以下の範囲であり、溝Gの深さは、5μm以上30μm以下の範囲である。
【0052】
図5fに示すように、上部誘電体層104の上部に酸化マグネシウム(MgO)を含む保護層105が形成される。
【0053】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【0054】
【図1】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを示すものである。
【図2】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの断面図である。
【図3a】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの溝の有無に応じる放電経路を比較したものである。
【図3b】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの溝の有無に応じる放電経路を比較したものである。
【図4】本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの断面図である。
【図5a】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。
【図5b】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。
【図5c】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。
【図5d】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。
【図5e】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。
【図5f】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。




 

 


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