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番号 発明の名称
1 冷却器及びパワーモジュール
2 表面実装型アンテナ
3 サージアブソーバ
4 プラズマエッチング用シリコン電極板
5 プラズマエッチング用シリコン電極板
6 Au極細線の巻き替え装置
7 絶縁基板および絶縁基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュール
8 Au−Sn合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法
9 冷却器及びパワーモジュール
10 プラズマエッチング装置用シリコンリング
11 プラズマエッチング装置用シリコンリング
12 チップ型ヒューズ及びその製造方法
13 固体電解質型燃料電池用発電セル
14 CMPコンディショナおよびその製造方法
15 サーミスタ薄膜及びその製造方法
16 シート状抵抗部品の製造方法
17 ニッケル被覆銅微粒子とその製造方法、導電ペースト、及び、導電膜の製造方法
18 タグアンテナ及び携帯無線機
19 鉄シリサイド層の製造方法並びに半導体基板及び光半導体装置
20 比抵抗値の面内バラツキが少ないプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板
21 Au−Sn合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法
22 接触抵抗の小さい多孔質チタンおよびその製造方法
23 パワーモジュール用基板の製造方法
24 液冷ヒートシンクの製造方法およびパワーモジュールの製造方法
25 サージアブソーバの製造方法
26 パワーモジュール用基板の製造方法
27 電子部品封入体
28 ハイブリッド動力システム
29 金錫合金ハンダペーストを用いたハンダ付け方法
30 積層型ノイズフィルタ
31 サージアブソーバ
32 LC複合フィルタ部品の製造方法及びLC複合フィルタ部品
33 サージアブソーバ
34 サージアブソーバ
35 積層型電子部品およびその製造方法
36 SiC基板の製造方法及びSiC基板並びに半導体装置
37 SiC基板の製造方法及びSiC基板並びに半導体デバイス
38 アンテナ装置
39 パワーモジュール用基板およびパワーモジュール並びにパワーモジュール用基板の製造方法
40 積層型ノイズフィルタ

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