発明の名称 加工装置及び加工方法 発行国 日本国特許庁（ＪＰ） 公報種別 公開特許公報（Ａ） 公開番号 特開２００７−２７５７７（Ｐ２００７−２７５７７Ａ） 公開日 平成１９年２月１日（２００７．２．１） 出願番号 特願２００５−２１０３８１（Ｐ２００５−２１０３８１） 出願日 平成１７年７月２０日（２００５．７．２０） 代理人 【識別番号】１０００９５９５７ 【弁理士】 【氏名又は名称】亀谷 美明 発明者 岡野 歩 要約 課題 酸化膜形成手段を増設しても加工装置の設置スペースを低減できるとともに，短時間で効率的に酸化膜を形成でき，さらに，搬送に伴う半導体ウェハの破損を防止することが可能な加工装置を提供すること。 解決手段 半導体ウェハＷを保持する保持手段５と，保持手段６により保持された半導体ウェハのＷ裏面を研削する研削手段３，４と，保持手段６から搬送された半導体ウェハＷを洗浄する洗浄手段３０とを備えた加工装置１が提供される。この加工装置１は，洗浄手段３０の洗浄用空間Ｓ内に出没自在に設けられ，洗浄手段３０の保持部３１により保持された状態の半導体ウェハＷの裏面に対して，短波長紫外線を照射する紫外線照射手段４０を備えることを特徴とする。 特許請求の範囲 【請求項１】 半導体ウェハを保持する保持手段と，前記保持手段により保持された半導体ウェハの裏面を研削する研削手段と，前記保持手段から搬送された半導体ウェハを洗浄する洗浄手段とを備えた加工装置であって： 前記洗浄手段の洗浄用空間内に出没自在に設けられ，前記洗浄手段の保持部により保持された状態の前記半導体ウェハの裏面に対して，短波長紫外線を照射する紫外線照射手段を備えることを特徴とする，加工装置。 【請求項２】 前記紫外線照射手段を，前記洗浄手段の洗浄用空間外に退避させた退避位置と，前記洗浄手段の洗浄用空間内で前記半導体ウェハの裏面に対して短波長紫外線を照射可能な照射位置と，の間で水平方向に移動させる移動手段を備えることを特徴とする，請求項１に記載の加工装置。 【請求項３】 請求項１または２に記載の加工装置における半導体ウェハの加工方法であって： 前記研削手段によって，前記半導体ウェハの裏面を所定の厚さまで研削する研削行程と； 前記研削された半導体ウェハを，前記洗浄手段の洗浄用空間内に搬送して，前記洗浄手段の保持部により保持する工程と； 前記洗浄手段によって，前記研削された半導体ウェハを洗浄する洗浄工程と； 前記紫外線照射手段を前記洗浄手段の洗浄用空間内に移動させる工程と； 前記紫外線照射手段によって，前記洗浄された半導体ウェハの裏面に対して，短波長紫外線を照射する紫外線照射工程と； を含むことを特徴とする，加工方法。 発明の詳細な説明 【技術分野】 【０００１】 本発明は，半導体ウェハを加工する加工装置及びその加工方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 半導体デバイス製造工程においては，まず，例えば略円板形状を有する半導体ウェハの表面に，格子状に配列された切断ライン（ストリート）によって複数の矩形領域を区画し，該矩形領域の各々に半導体回路を形成する。次いで，このように複数の半導体回路が形成された半導体ウェハを上記ストリートに沿ってダイシングして，個々の半導体チップに分割する。一般的には，半導体チップの薄型化および軽量化を図るために，ダイシング工程に先立ち，半導体ウェハの裏面を研削して所定の厚さ（例えば，３０〜１００μｍ）まで薄くする工程が行われている。このような半導体ウェハの裏面研削工程は，通常，例えばダイヤモンド等の砥粒をレジンボンド等のボンド材で固着して形成された研削砥石を，高速回転させながら半導体ウェハの裏面に押圧することによって遂行される。 【０００３】 かかる半導体ウェハの裏面研削工程後に，半導体ウェハの裏面（研削面）にダイシングテープを貼り付けた上で，このダイシングテープ上に保持された半導体ウェハを，切削装置，いわゆるダイシング装置によってダイシングして，個々の半導体チップに分割する。 【０００４】 上記ダイシングテープを貼り付ける際には，従来では，裏面研削後の半導体ウェハをウェハカセットに収納して，ダイシングテープ貼着装置（マウンター）まで移送していた。しかし，近年では，半導体ウェハの薄層化が進んだため，半導体ウェハの剛性が低下し，その自重でも破損する危険性を伴うようになった。このため，半導体ウェハをウェハカセットに収納して移送することが困難となってきている。 【０００５】 かかる理由から，半導体デバイスの製造プロセスをインライン化し，半導体ウェハの裏面研削後に，直ちに当該裏面にダイシングテープを貼り付けて，ダイシング装置に移送するようなラインが提案されている。しかし，このようなインライン化を行うと，分割された半導体チップをダイシングテープからピックアップする際に，半導体チップの製品不良が増大してしまうという問題があることが分った。 【０００６】 この原因は，インライン化プロセスでは，半導体ウェハの裏面研削終了後，直ちに研削面（裏面）にダイシングテープを貼り付けているため，半導体ウェハの裏面に酸化膜がほとんど形成されないことにあると考えられる。つまり，従来では，裏面研削終了後，半導体ウェハをウェハカセットに収納し，研削された裏面が露出した状態で所定時間経過した後に，半導体ウェハを移送して，当該裏面にダイシングテープを貼着していた。このため，半導体ウェハの裏面が空気に曝される時間が長く（例えば２４時間程度），この結果，当該裏面に酸化膜が形成されていた。ところが，上記インライン化された装置構成では，半導体ウェハの裏面に直ちにダイシングテープを貼り付けるため，酸化膜がほとんど形成されない。従って，当該裏面とダイシングテープの粘着剤層との間の親和性が強くなるので，半導体ウェハとダイシングテープとが強固に接着して剥離しにくくなり，この結果，ピックアップ時の製品不良が発生することが判明した。 【０００７】 かかる問題を解決するために，特許文献１には，短波長紫外線照射装置によって，含酸素雰囲気中で半導体ウェハの裏面に短波長紫外線を照射し，酸化膜を形成することが記載されている。 【０００８】 また，半導体ウェハの裏面を研削すると，研削面に複数のマイクロクラックが発生し，半導体チップの抗折強度を低下させてしまうため，マイクロクラックの発生を抑制する方向で技術開発しているが，それによって，半導体ウェハの素材面，即ち無垢面が露出された状態に近くなってしまうため，ＩＣ，ＬＳＩ等の回路をウェハ表面に形成する際にシリコンウェハ内に入り込んだ金属イオン等が自由に移動して回路に作用し，回路の機能を損ねるという問題があった。また，半導体ウェハの無垢面が露出された状態に近いと，無垢面から大気中の不純物がシリコン基板内に入り込み，半導体チップの品質を低下させるという問題もあった。 【０００９】 このような不純物が半導体ウェハ内に入り込むという問題を解決するため，特許文献２には，洗浄兼酸化被膜形成手段によって，研削後の半導体ウェハの裏面を洗浄した後に，過酸化水素水等の酸化液を半導体ウェハに供給することにより，半導体ウェハの裏面に酸化被膜を形成することが記載されている。また，この特許文献２には，エッチング兼酸化被膜形成手段によって，半導体ウェハの裏面をプラズマエッチングした後に，プラズマ発生用の混合ガスの供給と高周波電圧の印可により，半導体ウェハの裏面に酸化被膜を形成することも記載されている。 【００１０】 【特許文献１】特開２００５−７２１４０号公報 【特許文献２】特開２００５−８５９２５号公報 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【００１１】 ところが，上記特許文献１に記載のように，短波長紫外線照射装置を加工装置に増設する場合には，ほぼ密閉された空間内に半導体ウェハの保持機構と短波長紫外線照射装置を設置する必要がある。しかしながら，加工装置において，かかる密閉空間及び短波長紫外線照射装置の設置スペースを確保することが困難であり，加工装置自体を大型化しければならないという問題があった。 【００１２】 一方，上記特許文献２に記載のように，洗浄兼酸化被膜形成手段により過酸化水素水等の酸化液を供給して半導体ウェハの裏面に酸化膜を形成する場合には，酸化膜の形成後に，半導体ウェハの表面から酸化液を洗浄して除去し，再び乾燥しなければならず，酸化膜形成工程に時間がかかるという問題があった。また，エッチング兼酸化被膜形成手段によりプラズマ発生用の混合ガスを使用して酸化膜を形成する場合には，エッチング兼酸化被膜形成手段の装置構成が複雑かつ大型であるため，洗浄装置と一体化することが困難である。従って，洗浄後の半導体ウェハを洗浄装置内部からエッチング兼酸化被膜形成手段に搬送する必要があり，このときに搬送手段の保持部が半導体ウェハに接触するため，半導体ウェハが破損する可能性があるという問題があった。 【００１３】 そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，酸化膜形成手段を効率的に配設して加工装置を小型化できるとともに，短時間で効率的に酸化膜を形成でき，さらに，搬送に伴う半導体ウェハの破損を防止することが可能な，新規かつ改良された加工装置，およびこれを用いた加工方法を提供することにある。 【課題を解決するための手段】 【００１４】 上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，半導体ウェハを保持する保持手段と，保持手段により保持された半導体ウェハの裏面を研削する研削手段と，保持手段から搬送された半導体ウェハを洗浄する洗浄手段とを備えた加工装置が提供される。この加工装置は，洗浄手段の洗浄用空間内に出没自在に設けられ，洗浄手段の保持部により保持された状態の半導体ウェハの裏面に対して，短波長紫外線を照射する紫外線照射手段を備えることを特徴とする。なお，短波長紫外線とは，波長が１５０〜３００ｎｍの紫外線である。 【００１５】 かかる構成により，洗浄手段による洗浄工程後に，当該洗浄手段の洗浄用空間内に紫外線照射手段を配置して，半導体ウェハの裏面（研削面）に短波長紫外線を照射することによって，半導体ウェハ裏面に酸化膜を形成することができる。このように，洗浄手段の洗浄用空間を紫外線照射用の密閉空間としても兼用することにより，紫外線照射用の密閉空間を加工装置に新たに増設する必要がないので，紫外線照射手段の設置スペースを低減して加工装置を小型化できる。 【００１６】 また，短波長紫外線の照射により酸化膜を形成するため，従来の酸化液供給により酸化膜を形成する場合のように，酸化液の洗浄処理及び乾燥処理が不要になる。従って，酸化膜形成処理を短時間で効率的に実行できるため，生産性を向上できる。 【００１７】 また，加工装置の洗浄手段の保持部に半導体ウェハを保持したままの状態で，紫外線を照射して酸化膜を形成できる。従って，従来のエッチング装置により酸化膜を形成する場合のように，洗浄後の半導体ウェハを酸化膜形成手段まで搬送する必要がない。よって，かかる搬送に伴う半導体ウェハの破損を防止できる。 【００１８】 また，上記紫外線照射手段を，洗浄手段の洗浄用空間外に退避させた退避位置と，洗浄手段の洗浄用空間内で半導体ウェハの裏面に対して短波長紫外線を照射可能な照射位置と，の間で水平方向に移動させる移動手段を備えるようにしてもよい。これにより，紫外線照射手段が洗浄手段の洗浄用空間内に出没可能となるように，好適に配設することができる。 【００１９】 また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上述した加工装置における半導体ウェハの加工方法が提供される。この加工方法は，研削手段によって，半導体ウェハの裏面を所定の厚さまで研削する研削行程と；研削された半導体ウェハを，洗浄手段の洗浄用空間内に搬送して，洗浄手段の保持部により保持する工程と；洗浄手段によって，研削された半導体ウェハを洗浄する洗浄工程と；紫外線照射手段を洗浄手段の洗浄用空間内に移動させる工程と；紫外線照射手段によって，洗浄された半導体ウェハの裏面に対して，短波長紫外線を照射する紫外線照射工程と；を含むことを特徴とする。 【００２０】 かかる構成により，加工装置において，研削及び洗浄工程後の半導体ウェハの裏面に，上記のように好適に酸化膜を形成できる。このため，インライン化された製造プロセスにおいて，加工装置によって加工された後の半導体ウェハの裏面に，即座にダイシングテープを貼り付けたとしても，酸化膜の作用により半導体ウェハの裏面とダイシングテープと親和性を低減できる。よって，その後に半導体ウェハをダイシング加工して，半導体チップをピックアップするときに，半導体チップをダイシングテープから容易に剥離できるので，ピックアップ不良が生じる可能性を低減できる。 【発明の効果】 【００２１】 以上説明したように本発明によれば，半導体ウェハの裏面に酸化膜を形成するための紫外線照射手段を，設置スペースが低減するように効率的に配設できるので，加工装置を小型化することができる。また，紫外線を照射することで，酸化液の供給により酸化膜を形成する場合と比べて，短時間で効率的に酸化膜を形成できる。さらに，洗浄後の半導体ウェハを搬送することなく，そのままの位置で酸化膜を形成できるので，酸化膜形成のための搬送に伴う半導体ウェハの破損を防止できる。 【発明を実施するための最良の形態】 【００２２】 以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 【００２３】 （第１の実施形態） 以下に，本発明の第１の実施形態にかかる半導体ウェハの加工装置及び加工方法について説明する。 【００２４】 まず，図１に基づいて，本実施形態にかかる加工装置１の全体構成について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかる加工装置１の全体構成を示す斜視図である。 【００２５】 図１に示すように，加工装置１は，被加工物である半導体ウェハＷを研削加工する研削装置として構成されている。半導体ウェハＷは，例えば，８，１２インチ等の略円板状のシリコンウェハなどである。半導体ウェハＷの表面（ｉＣ，ＬＳＩ等の半導体素子が形成された回路面）には，表面保護用の粘着テープであるグライディングテープＴが貼り付けられている。加工装置１は，この半導体ウェハＷの裏面（上記回路面とは反対側の面）を研削加工して，例えば３０〜１００μｍの厚さにまで薄型化することができる。 【００２６】 かかる加工装置１の各構成要素について具体的に説明する。図１に示すように，加工装置１は，例えば，ハウジング２と，半導体ウェハＷを研削する研削手段の一例である粗研削ユニット３及び仕上げ研削ユニット４と，半導体ウェハＷを保持する保持手段の一例である例えば３つのチャックテーブル６と，半導体ウェハＷを収容するウェハカセット１１と，仮置きテーブル１３と，第１〜第４の搬送装置２０，２２，２４，２６と，洗浄手段の一例であるスピンナー洗浄装置３０と，紫外線照射手段の一例である紫外線照射ユニット４０と，紫外線照射ユニット４０を移動させる移動手段の一例である移動装置５０と，を主に備える。 【００２７】 粗研削ユニット３は，スピンドル３ａの下端に装着された研削ホイール３ｂを回転させながら，チャックテーブル６に保持された半導体ウェハＷの裏面に当該研削ホイール３ｂを押圧することによって，半導体ウェハＷの裏面を粗研削加工する。また，同様に，仕上げ研削ユニット４は，スピンドル４ａに装着された研削ホイール４ｂを回転させながら，上記粗研削された後の半導体ウェハＷの裏面に当該研削ホイール４ｂを押圧することによって，半導体ウェハＷの裏面を高精度で仕上げ研削加工する。研削ホイール３ｂ，４ｂは，例えば，ダイヤモンド等の砥粒をレジンボンド等のボンド材で固着して形成された研削砥石（レジンボンド砥石等）で構成される。上記のように，本実施形態にかかる加工装置１は，２つ研削ユニット３，４を具備するが，かかる例に限定されず，研削ユニットを１つのみ，或いは３つ以上，具備するように構成することもできる。 【００２８】 ターンテーブル５は，ハウジング２の上面に設けられた比較的大径の円盤状のテーブルであり，水平方向に回転可能である。このターンテーブル５上には，例えば，３つのチャックテーブル６が例えば１２０度の位相角で等間隔に配設されている。これらのチャックテーブル６は，その上面に真空チャックを備えており，研削面である裏面を上向きにして載置された半導体ウェハＷを真空吸着して保持する。このチャックテーブル６は，研削加工時には，図示しない回転駆動機構によって水平面内で回転可能となっている。かかる構成の各チャックテーブル６は，ターンテーブル５の回転によって，搬入・搬出領域Ａ，粗研削加工領域Ｂ，仕上げ研削加工領域Ｃ，搬入・搬出領域Ａに，順次，移動させられる。 【００２９】 ウェハカセット１１は，複数のスロットを有する半導体ウェハ搬送用の収容器であり，各スロットに半導体ウェハＷを１枚ずつ水平に収容する。このウェハカセット１１は，研削加工前の半導体ウェハＷを複数収容した状態で，加工装置１の所定位置に載置される。 【００３０】 仮置きテーブル１３は，ウェハカセット１１から取り出された半導体ウェハＷが仮置きされるテーブルである。この仮置きテーブル１３は，例えば６本のピンがテーブルの中心に向かって同時に縮径運動することによって，半導体ウェハＷの中心位置を合わせる中心位置合わせ機構を備える。 【００３１】 第１の搬送装置２０は，例えば，吸着パッド（図示せず。）が設けられたウェハ保持部２１（例えば杓文字型の吸着ハンド）を備えたロボットピックで構成される。この第１の搬送装置２０は，ウェハ保持部２１によって半導体ウェハＷを吸着保持して搬送する。具体的には，第１の搬送装置２０は，ウェハカセット１１内の半導体ウェハＷを取り出して，仮置きテーブル１３に搬送する。また，第１の搬送装置２０は，スピンナー洗浄装置３０のスピンナーテーブル３１に載置された半導体ウェハＷを，ピックアップして搬送し，搬出用スペース２５に載置する。 【００３２】 第２〜第４の搬送装置２２，２４，２６は，例えば，半導体ウェハＷを上方より吸着する吸着部２２ａ，２４ａ，２６ａと，この吸着部２２ａ，２４ａ，２６ａを支持するアーム部２２ｂ，２４ｂ，２６ｂと，このアーム部２２ｂ，２４ｂ，２６ｂを水平方向に回動させる回転駆動部（図示せず。）とを備える。第２の搬送装置２２は，仮置きテーブル１３に載置された研削加工前の半導体ウェハＷを搬送して，搬入・搬出領域Ａに位置するチャックテーブル６に載置する。また，第３の搬送装置２４は，搬入・搬出領域Ａに位置するチャックテーブル６に載置された研削加工後の半導体ウェハＷを搬送して，スピンナー洗浄装置３０のスピンナーテーブル３１に載置する。また，第４の搬送装置２６は，搬出用スペース２５に載置された半導体ウェハＷを搬送して，図示しないダイシングテープ貼着装置に搬送する。 【００３３】 スピンナー洗浄装置３０は，例えば，半導体ウェハＷを保持する保持部の一例であるスピンナーテーブル３１と，洗浄用空間Ｓを覆う開閉可能なシャッター３８とを備える。このスピンナー洗浄装置３０は，研削加工後の半導体ウェハＷを洗浄して，半導体ウェハＷに付着している研削屑や汚染物等のコンタミネーションを除去する。 【００３４】 紫外線照射ユニット４０は，スピンナー洗浄装置３０の洗浄用空間Ｓ内に出没自在に設けられ，スピンナーテーブル３１に保持された状態の半導体ウェハＷの裏面に対して，短波長紫外線を照射する。短波長紫外線とは，波長が１５０〜３００ｎｍの紫外線である。 【００３５】 移動装置５０は，紫外線照射ユニット４０を，スピンナー洗浄装置３０の洗浄用空間Ｓ外に退避させた退避位置と，当該洗浄用空間Ｓ内で半導体ウェハＷの裏面に対して短波長紫外線を照射可能な照射位置との間で移動させる。 【００３６】 かかるスピンナー洗浄装置３０，紫外線照射ユニット４０及び移動装置５０は，本実施形態にかかる特徴的構成要素であり，その詳細については後述する。 【００３７】 以上，本実施形態にかかる加工装置１の全体構成について概略的に説明した。なお，本実施形態にかかる加工装置１は，例えば，インライン化された半導体デバイス製造プロセスのうち，少なくとも研削工程を実行する研削装置として構成されている。このため，この加工装置１に隣接して，例えば，図示しないダイシングテープ貼着装置及びダイシング装置などが配設されている。これによって，図１の加工装置１によって裏面研削された半導体ウェハＷを，ウェハカセットに収納することなく，即座に，第４の搬送装置２６によりダイシングテープ貼着装置に搬送して，その裏面側にダイシングテープを貼り付けてグライディングテープＴを剥離し，さらに，当該ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウェハＷをダイシング装置に搬送してダイシング加工することができる。このようなインライン化プロセスによって，裏面研削後の半導体ウェハＷをカセットに収納して搬送しなくてよいので，裏面研削により非常に薄い厚さとなり剛性が低下した半導体ウェハＷが，その自重等によって破損してしまう危険性を低減することができる。 【００３８】 次に，図２及び図３に基づいて，本実施形態にかかる加工装置１における洗浄手段及び紫外線照射手段の構成について詳細に説明する。図２及び図３は，本実施形態にかかるスピンナー洗浄装置３０，紫外線照射ユニット４０及びその移動装置５０を示す正面図と平面図である。なお，図２（ａ）及び図３（ａ）は，紫外線照射ユニット４０が洗浄用空間Ｓ外の退避位置に配置された状態を示し，図２（ｂ）及び図３（ｂ）は，紫外線照射ユニット４０が洗浄用空間Ｓ内の照射位置に配置された状態を示す。 【００３９】 まず，洗浄手段の一例であるスピンナー洗浄装置３０の構成について説明する。図２及び図３に示すように，スピンナー洗浄装置３０は，研削加工後の半導体ウェハＷを吸着保持するスピンナーテーブル３１と，スピンナーテーブル３１を回転駆動する電動モータ３２と，スピンナーテーブル３１に保持された半導体ウェハＷに洗浄液（例えば洗浄水）を供給する洗浄液ノズル３３と，スピンナーテーブル３１に保持された半導体ウェハＷに乾燥用エアーを供給するエアーノズル３４と，を備えている。 【００４０】 スピンナーテーブル３１は，上面が平坦な略円盤状のテーブルであって，その上面にポーラスセラミック盤からなる真空チャックを備えている。このスピンナーテーブル３１は，研削加工後の半導体ウェハＷを，その裏面（研削面）を上向きにして真空吸着して保持する。また，このスピンナーテーブル３１は，電動モータ３２に連結されている。これにより，洗浄中には，半導体ウェハＷを吸着保持したスピンナーテーブル３１を，水平面内で回転させることができる。 【００４１】 また，洗浄液ノズル３３は洗浄水供給手段（図示せず。）に接続され，エアーノズル３４は図示しないエアー供給手段（図示せず。）に接続されている。この洗浄液ノズル３３およびエアーノズル３４は，図示しない回動機構により回動可能となっており，洗浄時には，図３（ａ）の二点鎖線で示すように，その噴出口が半導体ウェハＷの上方に位置するように配置され，一方，半導体ウェハＷの搬出入時および紫外線照射時には，図３（ａ）の実線で示すように，半導体ウェハＷの上方から退避されるようになっている。 【００４２】 また，スピンナー洗浄装置３０は，その筺体として，加工装置１のハウジング２と一体化されて電動モータ３２等を収容するハウジング３５と，洗浄用空間Ｓの上方を覆う天井壁３６と，洗浄用空間Ｓの一方（紫外線照射ユニット４０側）の側部を覆う側壁３７と，当該一方の側部以外の側部（側壁３７によって覆われていない開放部分）を覆う開閉可能なシャッター３８と，を備えている。 【００４３】 シャッター３８には，図示しない昇降機構が連結されており，洗浄時及び紫外線照射時には，シャッター３８を上昇させて天井壁３６に当接される。これにより，洗浄用空間Ｓを，ハウジング３５と天井壁３６と側壁３７とシャッター３８とで囲んで，ほぼ密閉された空間とすることができる。また，半導体ウェハＷの搬出入時には，シャッター３８を降下させることによって，洗浄用空間Ｓの側方を開放し，第１及び第３の搬送装置２０，２４がスピンナーテーブル３１にアクセス可能な状態にできる。 【００４４】 さらに，上記側壁３７には，紫外線照射ユニット４０を通過させるため通過口３７ａが貫通形成されている。また，スピンナー洗浄装置３０には，排気機構（図示せず。）が設けられており，この排気機構によって，紫外線照射ユニット４０の紫外線照射により発生した活性酸素を，洗浄用空間Ｓ外部に排気することができる。 【００４５】 以上のような構成のスピンナー洗浄装置３０は，研削加工後の半導体ウェハＷをスピンナーテーブル３１によって保持して回転させながら，当該半導体ウェハＷに対して洗浄液ノズル３３によって洗浄水を噴射する。これによって，スピンナー洗浄装置３０は，洗浄水の水圧および遠心力の作用により，半導体ウェハＷに付着している汚染物を洗浄して除去することができる。さらに，スピンナー洗浄装置３０は，洗浄した半導体ウェハＷに対してエアーノズル３４によってエアーを噴射して乾燥させることができる。 【００４６】 次に，紫外線照射手段の一例である紫外線照射ユニット４０およびその移動装置５０の構成について説明する。図２及び図３に示すように，紫外線照射ユニット４０および移動装置５０は，例えば，スピンナー洗浄装置３０の側方に隣接して配設されている。 【００４７】 紫外線照射ユニット４０は，例えば放電エキシマランプユニット（詳細は後述する。）等で構成されており，波長が１５０〜３００ｎｍの短波長紫外線を照射可能である。この紫外線照射ユニット４０は，支持部材５２の下面に取り付けられており，下方に向けて短波長紫外線を照射可能となっている。 【００４８】 移動手段５０は，例えば，紫外線照射ユニット４０を支持する支持部材５２と，支持ロッド５６を介して連結された支持部材５２を水平方向に往復移動させる直動スライダ５４と，直動スライダ５４を支持する支持基台５８とから構成されている。 【００４９】 支持部材５２は，例えば，下向きに開放したコの字形の縦断面形状を有する板状部材で構成され，その下部側の凹部に紫外線照射ユニット４０が装着されている。この支持部材５２の先端部５２ａ及び後端部５２ｂは，例えば略矩形状の板状であり，鉛直方向に対して平行となっている。この支持部材５２の先端部５２ａ及び後端部５２ｂは，上記スピンナー洗浄装置３０の側壁３７の通過口３７ａに対応する大きさ及び形状を有している。このため，当該支持部材５２の先端部５２ａ又は後端部５２ｂによって，側壁３７の通過口３７ａを好適に閉塞して，上記ほぼ密閉された洗浄用空間Ｓを形成することができる。 【００５０】 このような移動手段５０は，直動スライダ５４の伸縮により，支持部材５２に取り付けられた紫外線照射ユニット４０を，水平方向に移動させ，紫外線照射ユニット４０をスピンナー洗浄装置３０の洗浄用空間Ｓ外に退避させた退避位置（図２（ａ）及び図３（ａ）参照）と，洗浄用空間Ｓ内で半導体ウェハＷに対して短波長紫外線を照射可能な照射位置（図２（ｂ）及び図３（ｂ）参照）とに位置付けることができる。 【００５１】 かかる構成により，紫外線照射ユニット４０は，スピンナー洗浄装置３０の洗浄用空間Ｓに出没可能となる。このため，紫外線照射用の密閉空間と，スピンナー洗浄装置３０の洗浄用空間Ｓとを兼用して，半導体ウェハＷをスピンナーテーブル３１から移動させることなく，スピンナー洗浄装置３０の内部で，半導体ウェハＷの裏面に短波長紫外線を照射できるようになる。 【００５２】 つまり，半導体ウェハＷの洗浄時には，シャッター３８を閉鎖するとともに，紫外線照射ユニット４０を退避位置に配置して洗浄用空間Ｓ外に退避させ，上記支持部材５２の先端部５２ａによって側壁３７の通過口３７ａを閉塞して，洗浄用空間Ｓをほぼ密閉された空間とし，洗浄液ノズル３３およびエアーノズル３４を半導体ウェハＷの上方に位置付けて，半導体ウェハＷを洗浄することができる。一方，紫外線照射時には，図２（ｂ）及び図３（ｂ）に示すように，洗浄液ノズル３３およびエアーノズル３４を退避させるとともに，紫外線照射ユニット４０を照射位置に配置して半導体ウェハＷの上方に位置付け，上記支持部材５２の後端部５２ｂによって側壁３７の通過口３７ａを閉塞して，洗浄用空間Ｓをほぼ密閉された空間（即ち，紫外線照射用の密閉空間）として，半導体ウェハＷの裏面に対し短波長紫外線を照射することができる。また，半導体ウェハＷの搬出入時には，図２（ａ）及び図３（ａ）に示すように，洗浄液ノズル３３およびエアーノズル３４を退避させ，紫外線照射ユニット４０を退避位置に配置するとともに，シャッター３８を開放して，この開放部分から上記搬送装置２０，２４によって，半導体ウェハＷをスピンナーテーブル３１に搬入／搬出できる。 【００５３】 次に，図４に基づいて，本実施形態にかかる紫外線照射ユニット４０の構成について詳細に説明する。なお，図４は，本実施形態にかかる紫外線照射ユニット４０を示す断面図（ａ）及び底面図（ｂ）である。 【００５４】 図４に示すように，紫外線照射ユニット４０は，例えば，放電エキシマランプユニット（ウシオ社製，半導体製造工程用エキシマＶＵＶ／Ｏ３洗浄装置）で構成されている。この紫外線照射ユニット４０は，例えば，相互に略平行に配設された複数のエキシマランプ４１（例えばＸｅ２＊タイプ誘電体バリア放電エキシマランプ）と，このエキシマランプ４１の照射方向背面側に配された山形ミラー４２と，上記エキシマランプ４１及び山形ミラー４２を支持する支持体４３と，この支持体４３内部に形成された冷却水路４４と，上記エキシマランプ４１，山形ミラー４２及び支持体４３を収容する略直方体形状の筐体４５と，筐体４２の照射面側に形成された開口に取り付けられた合成石英ガラス板４６と，筐体４２の一側と他側にそれぞれ設けられた窒素供給口４６及び窒素排出口４７と，エキシマランプ４１に給電する交流電源４８とを備える。 【００５５】 かかる構成の紫外線照射ユニット４０は，交流電源４８からエキシマランプ４１に電力供給することにより，エキシマランプ４１が発光して短波長紫外線を発生させる。この際，エキシマランプ４１が背面側に発した短波長紫外線は，山形ミラー４２によって反射されえる。このようにして，紫外線照射ユニット４０は，短波長紫外線を一方向（図４（ａ）では下方）に面照射することができる。本実施形態では，このように照射される短波長紫外線の波長は例えば１７２ｎｍであり，放射照度は例えば１０ｍＷ／ｃｍ２であり，交流電源４８の電源容量は，例えばＡＣ１００Ｖ±１０Ｖ ７００ＶＡである。 【００５６】 また，かかる紫外線照射時には，冷却水路４４内に冷却水を流通させて，エキシマランプ４１等を冷却して過熱を防止する。この冷却水は，例えば３０℃以下の水道水を使用でき，その流通量は例えば１．５〜３．０Ｌ／分である。また，紫外線照射時には，図示しない窒素供給手段により，窒素供給口４６及び窒素排出口４７を介して，筐体４５の内部空間４９に例えば窒素を流通させる。これにより，筐体４５の内部空間４９の酸素量を低減できるため，放射された短波長紫外線により筐体４５の内部空間４９において，活性酸素が発生することを抑制できる。 【００５７】 次に，図５に基づいて，上記のような紫外線照射ユニット４０における紫外線発生原理について説明する。なお，図５は，本実施形態にかかる紫外線照射ユニット４０のエキシマランプ４１による紫外線発生原理を示す模式図である。 【００５８】 図５に示すように，エキシマランプ４１は，例えば誘電体バリア放電エキシマランプとして構成されている。このエキシマランプ４１は，石英ガラスで形成された内管４１１と外管４１２の二層構造になっており，内管４１１の内周側には金属電極４１３が配設され，外管４１２の外周側には金属網電極４１４が配設されている。また，内管４１１と外管４１２との間の閉空間４１５には，キセノンＸｅ等の放電ガス４１６が封入されている。 【００５９】 このような構造のエキシマランプ４１において，上記交流電源４８によって，金属電極４１３及び金属網電極４１４に交流の高電圧を印加すると，２つの誘電体（内管４１１と外管４１２）の間で，細い針金状の放電プラズマ４１６（誘電体バリア放電）が多数発生する。この放電プラズマ４１６は，高エネルギーの電子を包含しており，かつ，瞬時に消滅するという特徴を有している。この放電プラズマ４１６により，放電ガスの原子が励起されて，瞬間的にエキシマ状態（Ｘｅ２＊）となり，このエキシマ状態から元の状態（基底状態）に戻るときに，そのエキシマ特有のスペクトルを発光（エキシマ発光）する。この発光スペクトルは，充填された放電ガスによって設定することができ，放電ガスがキセノンガスである場合は，図６に示すように，１７２ｎｍに中心波長を有する単色光（短波長紫外線）を発光する。 【００６０】 このようなエキシマランプ４１を用いた短波長紫外線の照射を，含酸素雰囲気中で行うことにより，オゾン，活性酸素（酸素ラジカル）を発生させることができる。これにより，照射対象物である半導体ウェハＷの裏面に，効率よく酸化膜を形成できるとともに，半導体ウェハＷをドライ洗浄することが可能である。以下に，かかるエキシマランプ４１による酸化膜形成及びドライ洗浄の原理について説明する。 【００６１】 上記のように，キセノンガスが封入されたエキシマランプ４１の放射紫外線の波長は，中心波長１７２ｎｍで，半値幅は１４ｎｍである。以下の化学式１に示すように，１７５ｎｍより短波長の紫外線は，直接，大気中の酸素Ｏ２に吸収され，励起酸素原子Ｏ（１Ｄ）を生成する（経路１）。また，以下の化学式２に示すように，１７２ｎｍの紫外線は，大気中の酸素Ｏ２からオゾンＯ３を生成し，さらに，原子状の酸素Ｏ（１Ｄ）を生成する（経路２）。このような２つの経路１，２により，エキシマランプ４１は励起酸素原子Ｏ（１Ｄ）を生成できる。 【００６２】 【化１】 ・・・化学式１ 【００６３】 【化２】 ・・・化学式２ 【００６４】 このように，半導体ウェハＷ付近に，活性酸素，即ち，励起酸素原子Ｏ（１Ｄ）を発生させることによって，半導体ウェハＷの酸化反応を促進させて，その表面に酸化膜を形成することができる。例えば，シリコンウェハの研削面（裏面）に，ＳｉＯＸ（ｘ＝０〜２の任意の値）である酸化膜を形成することができる。 【００６５】 また，以下の化学式３に示すように，１７２ｎｍの紫外線は，光子のエネルギーによって，有機物ＣｍＨｎＯｋの分子結合を切断できる。さらに，この切断された分子Ｃｍ’Ｈｎ’Ｏｋ’に，上記非常に酸化力の強い励起酸素原子Ｏが反応し，有機物をＣＯ，ＣＯ２，Ｈ２Ｏ等の気体に分解して飛散除去（即ち，洗浄）することができる。このようにして，短波長紫外線を照射することにより，半導体ウェハＷの裏面（研削面）に残存している有機物等の汚染物をドライ洗浄して除去することが可能となる。 【００６６】 【化３】 ・・・化学式３ 【００６７】 以上，図１〜図６に基づき，本実施形態にかかる加工装置１の全体構成，及び紫外線照射ユニット４０の構成およびその原理について詳細に説明した。次に，上記構成の加工装置１を用いた半導体ウェハＷの加工方法について説明する。 【００６８】 図１に示した加工装置１において，ウェハカセット１１には，研削加工前の半導体ウェハＷが，例えば，グラインディングテープＴが貼り付けられた回路面（表面）を下向き（即ち，研削される裏面を上向き）にして収容されている。そこで，まず，第１の搬送装置２０によって，ウェハカセット１１内の半導体ウェハＷを１枚取り出して搬送し，仮置きテーブル１３に載置する。次いで，仮置きテーブル１３によって，載置された半導体ウェハＷの中心位置合わせを行う。さらに，第２の搬送装置２２によって，中心位置合わせされた半導体ウェハＷをピックアップして搬送し，搬入・搬出領域Ａに配置されたチャックテーブル６上に載置する。当該チャックテーブル６は，載置された半導体ウェハＷを真空吸着して保持する。 【００６９】 次いで，ターンテーブル５を時計回り方向に回転させて，半導体ウェハＷを保持したチャックテーブル６を粗研削加工領域Ｂに移動させ，粗研削ユニット３の下方に位置付ける。この状態で，粗研削ユニット３によって当該半導体ウェハＷの裏面を粗研削加工する（粗研削工程）。さらに，ターンテーブル５を時計回り方向に回転させて，上記粗研削加工された半導体ウェハＷを保持したチャックテーブル６を仕上げ研削加工領域Ｃに移動させ，仕上げ研削ユニット４の下方に位置付ける。この状態で，仕上げ研削ユニット４によって当該半導体ウェハＷの裏面を仕上げ研削加工する（仕上げ研削工程）。この仕上げ研削加工と同時に，後続の別の半導体ウェハＷを粗研削ユニット３により粗研削加工することによって，研削加工効率を高めて，生産性を向上できる。 【００７０】 次いで，ターンテーブル５をさらに時計回り方向に回転させて，上記仕上げ研削加工された半導体ウェハＷを保持したチャックテーブル６を搬入・搬出領域Ａに移動させる。次いで，第３の搬送装置２４によって，上記研削加工された半導体ウェハＷをピックアップして搬送し，スピンナー洗浄装置３０のスピンナーテーブル３１上に，裏面を上向きにして載置する。さらに，スピンナーテーブル３１によって，半導体ウェハＷを吸着保持する。 【００７１】 次いで，スピンナー洗浄装置３０のシャッター３８を上昇させて，洗浄用空間Ｓをほぼ密閉空間とする。その後，電動モータ３２を駆動させて，スピンナーテーブル３１に吸着保持された半導体ウェハＷを回転させながら，当該半導体ウェハＷの裏面（研削面）に対して洗浄液ノズル３３から洗浄水を噴射して，半導体ウェハＷに付着している汚染物（コンタミネーション）を洗浄する（洗浄工程）。さらに，洗浄後の半導体ウェハＷを回転させながら，エアーノズル３４から当該半導体ウェハＷの裏面に対してエアーを噴射して，半導体ウェハＷを乾燥させる（乾燥工程）。なお，このような洗浄工程及び乾燥工程では，紫外線照射ユニット４０は，スピンナー洗浄装置３０の洗浄用空間Ｓ外部の退避位置に退避されている。 【００７２】 次いで，移動装置５０を動作させて，退避位置にある紫外線照射ユニット４０を水平方向（図２の右方向）移動させて，スピンナー洗浄装置３０の洗浄用空間Ｓ内の照射位置，即ち，半導体ウェハＷの上方に配置する（紫外線照射ユニット移動工程）。この際には，上記洗浄及び乾燥された半導体ウェハＷは，スピンナーテーブル３１に保持されたままの状態であり，移動させなくてよい。 【００７３】 そして，照射位置に配置された紫外線照射ユニット４０によって，スピンナーテーブル３１に保持された半導体ウェハＷの裏面に対して，短波長紫外線を照射する（紫外線照射工程）。本実施形態の紫外線洗浄工程では，上述したように，例えば１７２ｎｍの波長の紫外線を発光するエキシマランプ４１（１７２ｎｍ）を光源として利用しているが，この他にも，例えば低圧水銀ランプなどを光源として利用することできる。ただし，酸化膜を効率的に形成し，汚染物を効果的に除去するという観点からは，低圧水銀ランプよりも，上記エキシマランプ４１の方が有利である。 【００７４】 また，この紫外線照射工程における短波長紫外線照射量は，例えば１００〜６０００ｍＪ／ｃｍ２程度，より好ましくは３００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２である。紫外線照射空間内（即ち，上記洗浄用空間Ｓ内）における酸素濃度は，通常の大気における酸素濃度（２０％程度）であればよいが，同程度の酸素分圧があれば，減圧下で照射してもよい。また，紫外線照射時には，紫外線照射用空間としての洗浄用空間Ｓ内に，積極的に高濃度酸素を供給してもよい。また，紫外線照射時間は，半導体ウェハＷ１枚当りの研削加工時間以下であることが好ましく，例えば，１０〜６０秒程度，特に，３０秒程度が妥当である。これにより，後続の半導体ウェハＷの研削工程と同時平行して，先行の半導体ウェハＷの紫外線照射工程を行うことができる。 【００７５】 また，この紫外線照射時における波長紫外線照射ユニット４０と半導体ウェハＷとの間隔は，例えば０．５〜３０ｍｍ程度の範囲で調整可能である。具体的には，１７２ｎｍのエキシマランプ４１を用いた場合には，例えば１〜３ｍｍの範囲で設定されることが好ましい。なお，紫外線照射ユニットとして低圧水銀ランプを用いた場合には，低圧水銀ランプと半導体ウェハＷとの間隔は，例えば１０ｍｍ程度が望ましい。 【００７６】 なお，この紫外線照射工程では，スピンナーテーブル３１の回転を停止させていてもよいが，半導体ウェハＷの裏面全体に均一に照射するためには，スピンナーテーブル３１を低速で回転させることが好適である。 【００７７】 上記のようにして紫外線を照射することにより，ほぼ密閉された洗浄用空間Ｓにおける含酸素雰囲気中に，オゾン，活性酸素を発生させ，この活性酸素の作用により，半導体ウェハＷの裏面に酸化膜を効率よく形成することができる。この酸化膜の厚さは，例えば数十Å（１０−１０ｍ）である。 【００７８】 このように，半導体ウェハＷの裏面に予め強制的に酸化膜を形成しておくことによって，後工程で貼り付けられるダイシングテープの粘着剤層と，半導体ウェハＷの裏面との間の強い親和性を弱めることができる。このため，上述したインライン化に伴い，加工装置１から搬出された半導体ウェハＷの裏面にダイシングテープを直ちに貼り付けたとしても，半導体ウェハＷから当該ダイシングテープとを容易に剥離できるようになる。従って，ダイシング後の半導体チップのピックアップ不良を低減することができる。 【００７９】 さらに，研削された半導体ウェハＷの裏面（無垢面）を酸化膜で被覆できるので，半導体ウェハＷ表面に回路を形成する際に半導体ウェハＷ内に入り込んだ金属イオン等が，半導体ウェハＷ内部で移動することを抑制して，回路機能の低下を防止できる。さらに，露出した無垢面から大気中の不純物が半導体ウェハＷ基板内に入り込むことも防止できるので，半導体チップの品質低下も防止できる。 【００８０】 加えて，上記紫外線照射工程で短波長紫外線を照射して活性酸素を発生させることにより，当該活性酸素の作用によって，上記洗浄工程において除去できなかった汚染物を好適にドライ洗浄して除去することができる。ここで，洗浄工程後に，紫外線照射により半導体ウェハＷの裏面の汚染物をドライ洗浄する意義について説明する。 【００８１】 つまり，上記研削工程後の半導体ウェハＷに有機物や残渣等の汚染物が残存している場合，後工程で問題となる場合がある。このため，従来では，上記洗浄工程を強化する，或いは，別途の洗浄装置を導入するなどして，改善を行ってきたが，一部のデバイス・プロセスにおいて有機物汚染を極端に嫌うものが存在し，従来技術では解消されていない。このように，近年では，研削加工後の半導体ウェハＷの清浄さが，特に問われるようになってきている。なお，ここでいう有機物とは，例えば，研削工程において研削砥石としてレジンボンド砥石を用いた場合における，研削加工によって生じるレジンの屑などである。 【００８２】 このように，従来では，主に研削工程において有機物等の汚染物が発生し，この汚染物が，研削加工により半導体ウェハＷ裏面に生じた傷や研削マークに付着すると，上記スピンナー洗浄装置３０を用いた洗浄工程によっても，汚染物を十分に除去できないという問題があった。 【００８３】 これに対し，本実施形態では，上述したように，短波長紫外線照射により発生した活性酸素の作用により，半導体ウェハＷの裏面や端面に残存している有機物等の汚染物を，ガス化して好適に除去できる。従って，上記洗浄工程におけるウエット洗浄作用に加え，紫外線照射工程におけるドライ洗浄作用によって，半導体ウェハＷに付着している汚染物を，より確実に除去できるという利点がある。つまり，酸化膜形成と同時に洗浄することができ，また，ドライ洗浄であるため半導体ウェハＷを再度乾燥させる必要がないので，効率的かつ迅速に実行することができる。よって，上記紫外線照射によるドライ洗浄は，複数の装置で複数の半導体ウェハＷを連続加工するインライン化製造プロセスに適合するものであり，生産性の向上に寄与する。 【００８４】 以上のような紫外線照射工程後には，スピンナー洗浄装置３０の排気機構によって，上記活性酸素等を洗浄用空間Ｓ外に排気し，次いで，紫外線照射ユニット４０を退避位置まで退避させ，シャッター３８を降下させる。 【００８５】 その後，第１の搬送装置２０によって，上記洗浄及び紫外線照射された半導体ウェハＷを吸着保持して，スピンナーテーブル３１から搬出用スペース２５に搬送する。さらに，第４の搬送装置２６によって，搬出用スペース２５に載置された半導体ウェハＷを吸着保持して，加工装置１に隣接配置されたダイシングテープ貼着装置（図示せず。）に搬送する。 【００８６】 この結果，このダイシングテープ貼着装置によって，半導体ウェハＷの裏面に対してダイシングテープが貼り付けられる（ダイシングテープ貼着工程）。さらに，当該ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウェハＷは，ダイシング装置（図示せず。）に搬送される。そして，ダイシング装置によって，半導体ウェハＷの表面側からストリートに沿って格子状に切断され，個々の半導体チップに分割される（ダイシング工程）。その後，ピックアップ手段（図示せず。）によって，上記分割された半導体チップがダイシングテープからピックアップされる。このピックアップ時には，半導体チップの裏面に上記酸化膜が存在しているので，半導体チップをダイシングテープから容易に剥離することができ，チップ破損を防止できる。 【００８７】 以上，本実施形態にかかる半導体ウェハＷの加工装置１およびこれを用いた半導体ウェハＷの加工方法について説明した。本実施形態では，加工装置１が通常具備するスピンナー洗浄装置３０に対して紫外線照射ユニット４０を出没自在に配設することにより，スピンナー洗浄装置３０による半導体ウェハＷの洗浄後に，当該半導体ウェハＷを移動させることなく，洗浄用空間Ｓ内で，半導体ウェハＷの裏面に短波長紫外線を照射することができる。従って，スピンナー洗浄装置３０の洗浄用空間Ｓを，紫外線照射用の密閉空間としても兼用できるので，加工装置１に，紫外線照射ユニット４０のための大きな設置スペースを必要としない。よって，紫外線照射ユニット４０を増設したとしても，加工装置１の大型化を抑制することができる。 【００８８】 また，特許文献２に記載の洗浄兼酸化被膜形成手段では，過酸化水素水等の酸化液の供給によって半導体ウェハＷの裏面に酸化膜を形成するため，この酸化液を洗浄して乾燥させる工程が必要であった。しかし，本実施形態では，液体供給を伴わずに，紫外線照射により酸化膜を形成するので，上記酸化液の洗浄及び乾燥工程が不要となるので，短時間で効率的に酸化膜を形成できる。 【００８９】 さらに，本実施形態では，スピンナー洗浄装置３０のスピンナーテーブル３１に半導体ウェハＷを保持したままで，搬送することなく，当該半導体ウェハＷの裏面に短波長紫外線を照射して，酸化膜を形成できる。従って，上記特許文献２のエッチングにより酸化膜形成する場合のように，半導体ウェハＷを洗浄装置からエッチング装置への搬送する際に半導体ウェハＷが破損してしまうことがない。 【００９０】 加えて，短波長紫外線照射によって，半導体ウェハＷに付着している有機物等の汚染物をドライ洗浄して除去できる。従って，スピンナー洗浄装置３０による洗浄工程で除去できなかった汚染物，例えば，半導体ウェハＷ裏面に生じた傷や研削マークに付着した有機物なども，好適に除去できる。 【００９１】 以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 【００９２】 例えば，上記実施形態では，研削工程は，粗研削工程と仕上げ研削工程の２工程で実施されたが，かかる例に限定されず，１工程で行ってもよい。また，研削工程後に，半導体ウェハＷの研削面（裏面）をポリッシング加工する工程や，プラズマエッチング加工する工程を追加して，研削加工により半導体ウェハＷの研削面に生じたマイクロクラックを除去するようにしてもよい。 【００９３】 また，上記実施形態では，インライン化された半導体デバイス製造プロセスにおいて，加工装置１で加工された半導体ウェハＷを，ウェハカセットに収容することなく，ダイシングテープ貼着装置及びダイシング装置に搬送したが，本発明は係る例に限定されない。例えば，本発明は，インライン化された製造プロセスではなく，通常の製造プロセス，即ち，加工装置で加工された半導体ウェハＷをウェハカセットに収容して，このウェハカセットをダイシングテープ貼着装置及びダイシング装置に搬送するようなプロセスにも適用できる場合がある。 【００９４】 つまり，上述したように，半導体ウェハＷは，ウェハカセット内に収容して所定の長時間（例えば２４時間）以上放置して大気に曝した場合には，その裏面に十分な厚さの酸化膜が形成される。しかし，加工装置による加工後の半導体ウェハＷを，ウェハカセット内に収容してから比較的短時間で取り出して，ダイシングテープを貼り付けようとする場合には，その裏面に十分な厚さの酸化膜が形成されない場合もある。従って，かかる場合には，上述した紫外線照射手段により，ウェハカセットに収容される前の半導体ウェハＷの裏面（研削面）に酸化膜を形成しておくことは，その後のダイシングテープの剥離を容易ならしめる観点では有益である。 【図面の簡単な説明】 【００９５】 【図１】本発明の第１の実施形態にかかる加工装置の全体構成を示す斜視図である。 【図２】同実施形態にかかるスピンナー洗浄装置，紫外線照射ユニット及び移動装置を示す正面図である。 【図３】同実施形態にかかるスピンナー洗浄装置，紫外線照射ユニット及び移動装置を示す平面図である。 【図４】同実施形態にかかる紫外線照射ユニットを示す縦断面図（ａ）及び底面図（ｂ）である。 【図５】同実施形態にかかる紫外線照射ユニットのエキシマランプによる紫外線発生原理を示す模式図である。 【図６】同実施形態にかかるエキシマランプの分光分布を示すグラフ図である。 【符号の説明】 【００９６】 １ 加工装置 ３ 粗研削ユニット（研削手段） ４ 仕上げ研削ユニット（研削手段） ６ チャックテーブル（保持手段） ３０ スピンナー洗浄装置（洗浄手段） ３１ スピンナーテーブル ３２ 電動モータ ３３ 洗浄液ノズル ３４ エアーノズル ３６ 天井壁 ３７ 側壁 ３７ａ 通過口 ３８ シャッター ４０ 紫外線照射ユニット（紫外線照射手段） ４１ エキシマランプ ４２ 山形ミラー ４８ 交流電源 ５０ 移動装置（移動手段） ５２ 支持部材 ５２ａ 支持部材の先端部 ５２ｂ 支持部材の後端部 ５４ 直動スライダ Ｗ 半導体ウェハ Ｔ グラインディングテープ Ｓ 洗浄用空間