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番号 発明の名称
1 半導体装置及びその製造方法
2 半導体記憶装置
3 遅延同期ループ装置
4 半導体装置の製造方法
5 半導体記憶装置及びその製造方法
6 半導体集積回路装置の製造方法
7 露光装置及び露光方法
8 半導体記憶装置
9 半導体装置の製造方法
10 半導体装置及びその製造方法
11 半導体装置及びその製造方法
12 トレンチ形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
13 SOG膜の形成方法
14 半導体装置の製造方法
15 半導体装置及びその製造方法
16 半導体装置の製造方法
17 半導体モジュール
18 半導体装置の製造方法
19 半導体製造装置
20 半導体装置の製造方法
21 半導体記憶装置の製造方法
22 遅延調整回路及び該回路を備えた同期型半導体装置
23 膜厚分布制御方法及び半導体装置の製造方法
24 窒素の定量方法及び半導体装置の製造方法
25 製品製造情報検索方法及び製品並びに製品の製造方法
26 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
27 相変化メモリ素子、相変化メモリIC、相変化メモリ素子の製造方法および相変化メモリICの製造方法
28 半導体装置の検査方法、及び、検査用半導体装置の製造方法
29 半導体装置の製造方法
30 半導体装置及びその製造方法
31 半導体記憶装置及びその製造方法
32 ウエハ洗浄方法
33 半導体集積回路装置
34 半導体装置
35 エッジ研磨装置
36 積層型半導体装置及びその製造方法
37 半導体シリコン基板の製造方法
38 半導体装置
39 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ
40 半導体装置
41 半導体装置の製造方法
42 密集コンタクトホールを有する半導体デバイス
43 プラズマ処理装置
44 非対称構造を有する電界効果型トランジスタを含む半導体装置およびその製造方法
45 半導体装置の製造方法
46 半導体集積回路装置およびその製造方法
47 半導体集積回路の設計方法及び設計装置
48 モジュール半導体装置
49 半導体装置の製造方法および半導体装置
50 半導体装置
51 半導体メモリおよびその製造方法
52 半導体装置の製造方法
53 半導体装置の製造方法
54 はんだバンプ形成設備
55 半導体装置の製造方法
56 基本セル設計方法、レイアウト設計方法、設計装置およびプログラム
57 半導体装置の製造方法
58 積層型半導体装置及びその製造方法
59 半導体装置およびその製造方法
60 半導体装置の製造方法
61 半導体装置及びその製造方法
62 誘電膜形成方法、及び半導体装置の製造方法
63 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
64 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
65 半導体装置及びその製造方法
66 キャパシタの製造方法、メモリセル、及びDRAM
67 半導体装置の製造方法及び半導体装置
68 キャパシタおよびその製造方法
69 露光装置及び露光方法
70 不揮発性半導体記憶装置
71 差動増幅回路
72 ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法
73 半導体装置及びその製造方法
74 半導体集積回路装置の製造方法
75 半導体装置及びその製造方法
76 不揮発性メモリ素子の製造方法
77 半導体装置及びその製造方法
78 半導体記憶装置の製造方法
79 多層配線半導体集積回路、半導体装置
80 半導体記憶装置及びその製造方法
81 半導体装置の製造方法
82 半導体装置及びその製造方法
83 半導体記憶装置およびその製造方法
84 半導体装置およびその製造方法
85 半導体装置
86 半導体装置の製造方法
87 相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法
88 半導体装置の製造方法
89 積層型半導体装置
90 半導体装置及びその製造方法
91 半導体装置
92 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
93 半導体記憶装置
94 キャパシタの製造方法
95 タイミング調整回路及び半導体装置
96 ヒューズ素子を有する半導体装置及びヒューズ素子の切断方法
97 半導体装置及びその製造方法
98 ウエハ研磨装置
99 半導体装置の製造方法、半導体記憶装置の製造方法
100 半導体装置及びその製造方法

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