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番号 発明の名称
1 半導体素子の製造方法
2 半導体装置
3 半導体装置
4 電界効果トランジスタおよび半導体装置
5 チップ部品収容板およびBGA型半導体装置の実装構造
6 強誘電体素子の製造方法
7 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
8 半導体素子の製造方法およびこの方法に使用されるエッチング液
9 ディジタル・アナログ変換器
10 ドミノCMOS論理回路
11 半導体素子の製造方法及び半導体素子
12 半導体装置
13 強誘電体メモリ装置及びその製造方法
14 半導体素子用部材の洗浄方法
15 ウェーハの研磨方法
16 可逆符号化方法、可逆復号方法およびこれらの装置
17 半導体装置
18 インダクタの特性調整方法及び可変インダクタ
19 半導体パッケージ及びその製造方法
20 半導体装置
21 半導体装置
22 基板の表面改質方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
23 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
24 遅延回路
25 合わせ誤差計測マークおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
26 放熱構造の製造方法
27 半導体装置の製造方法
28 オーミック電極、オーミック電極の製造方法、電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法、および、半導体装置
29 半導体装置の製造方法
30 アライメントマークの形成方法
31 半導体装置および半導体装置の製造方法
32 弾性表面波フィルタ
33 半導体装置およびその製造方法
34 SAWフィルタ
35 半導体装置およびその製造方法
36 エッチング方法、金属膜構造体の製造方法およびエッチング構造体
37 半導体装置およびその製造方法
38 サンプリングレート変換方法及びその回路
39 弾性表面波フィルタ及び弾性表面波フィルタパッケージ
40 弾性表面波フィルタの製造方法
41 半導体装置およびその製造方法
42 板金部品の結合構造
43 半導体装置
44 半導体メモリの製造方法
45 インピーダンス調整回路
46 半導体装置
47 コネクタ搭載基板
48 半導体装置及びその製造方法
49 半導体装置
50 差動出力回路
51 ヒューズトリミング回路
52 ワンショットパルス発生回路
53 半導体装置及びその製造方法
54 半導体装置製造用治具と半導体装置製造方法
55 半導体装置及びその製造方法
56 レベルシフト回路
57 半導体装置及びその製造方法
58 メモリセル及びそのメモリセルを有する半導体不揮発性メモリの構造。
59 化合物半導体からなる電界効果トランジスタ
60 端子パッドと半田の接合構造、当該接合構造を有する半導体装置、およびその半導体装置の製造方法
61 半導体装置及び半導体装置の製造方法
62 CVD膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法
63 半導体装置およびその製造方法
64 傾斜面の形成方法、配線構造体及びその形成方法、段差構造の被覆層、並びに、半導体装置
65 半導体装置の形成方法
66 半導体素子の形成方法
67 半導体装置及びその製造方法
68 半導体装置およびその製造方法
69 半導体装置およびその製造方法
70 光電変換素子と光電変換構造体およびそれらの製造装置、並びに光電変換装置
71 DA変換器、及び液晶表示装置の駆動回路の設計方法
72 半導体装置及びその製造方法
73 半導体装置の製造方法及び半導体装置
74 集積回路のレイアウト方法、レイアウト装置及び半導体装置
75 高耐圧縦型MOSトランジスタ
76 アナログ・ディジタル変換器
77 オフセットキャンセル装置
78 オペアンプ
79 半導体装置及びその製造方法
80 半導体素子の製造方法
81 増幅回路
82 温度制御発振器
83 両面電極パッケージ及びその製造方法
84 半導体装置およびその製造方法
85 半導体装置およびその製造方法
86 光CVD装置及びCVD膜の製造方法
87 符号化方法及び復号化方法とその符号器及び復号器
88 半導体集積回路及びリーク電流低減方法
89 半導体装置およびその製造方法
90 半導体装置及びその製造方法
91 半導体光通信素子
92 半導体装置およびその製造方法
93 半導体装置及びその製造方法
94 窒化膜サイドウォール付きゲートを有する半導体装置の製造方法
95 半導体素子のオーミックコンタクト構造
96 半導体装置の製造方法
97 半導体装置の製造方法
98 受動モード同期半導体レーザ及び光クロック信号抽出装置
99 半導体装置及びその製造方法
100 出力回路

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