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番号 発明の名称
201 半導体回路
202 半導体装置および半導体装置の製造方法
203 レーザダイオード駆動回路
204 演算回路
205 半導体装置及びその製造方法
206 半導体装置およびその製造方法
207 差動増幅器とデータドライバ及び表示装置
208 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
209 半導体装置及びその製造方法
210 光半導体装置およびその製造方法
211 半導体装置の製造方法
212 半導体装置
213 プローブ検査装置
214 スイッチ回路及びその過電流検出回路
215 差動増幅器とデータドライバ及び表示装置
216 半導体装置の製造方法
217 基板および半導体装置
218 半導体記憶装置
219 電流スイッチ回路
220 半導体装置の製造方法
221 半導体装置及びその製造方法
222 復号装置、復号方法、及び受信装置
223 半導体装置およびその製造方法
224 半導体集積回路装置
225 薄膜キャパシタおよびその製造方法
226 集積回路装置および回路製造方法
227 固体撮像装置
228 半導体集積回路装置
229 半導体装置およびその製造方法
230 レベルシフト回路
231 差動信号受信回路
232 差動増幅器、及びそれを用いた表示装置
233 配線基板および半導体装置ならびにそれらの製造方法
234 半導体装置
235 半導体装置およびその製造方法
236 半導体製造装置及び搬送キャリア
237 クロックアンドデータリカバリ回路
238 複素フィルタ回路
239 半導体装置およびその製造方法
240 エリアI/O、半導体集積回路及びそのレイアウト方法
241 不揮発性半導体記憶装置
242 シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法
243 半導体装置およびその製造方法
244 半導体装置およびその製造方法
245 不良原因解析方法
246 半導体装置
247 半導体実装体及びその製造方法
248 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
249 成膜装置およびその調整方法
250 半導体装置の製造方法およびウェット処理装置
251 半導体装置及びその製造方法
252 半導体ウェハのダイシング支持構造、半導体ダイシング装置およびそのダイシング方法
253 ICパッケージ、電子制御装置およびインターポーザ基板
254 半導体装置およびその製造方法
255 半導体装置の製造方法
256 半導体装置
257 オペアンプ装置
258 半導体装置の製造方法
259 半導体検査装置、半導体検査方法
260 半導体装置およびその製造方法
261 半導体装置の製造方法
262 三角波発振回路
263 テープ状配線基板及び半導体装置
264 半導体装置、および、その製造方法
265 半導体集積回路装置及びダミーパターンの配置方法
266 半導体装置及びその製造方法
267 半導体装置
268 半導体記憶装置およびその製造方法
269 ウエハプローバ装置及び搬送トレー
270 半導体集積回路装置
271 半導体記憶装置
272 MIM構造抵抗体を搭載した半導体装置
273 半導体装置
274 イオン注入装置
275 撮像素子
276 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法
277 半導体装置およびその製造方法
278 半導体集積回路装置
279 半導体装置およびその製造方法
280 スプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
281 半導体装置およびその製造方法
282 半導体装置
283 相補信号生成回路
284 信号増幅回路および光受信器

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