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番号 発明の名称
101 液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラム
102 成膜方法およびコンピュータ可読記録媒体
103 半導体処理装置
104 貼り合せ方法
105 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
106 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
107 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
108 絶縁膜の形成方法
109 基板処理装置,基板処理方法,プログラム,プログラムを記録した記録媒体
110 塗布、現像装置及びその方法
111 レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
112 レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
113 金属シリケート膜の形成方法および半導体装置の製造方法
114 熱処理装置及び記憶媒体
115 塗布膜の成膜方法及びその装置
116 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
117 エッチング方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体
118 プラズマ処理室用構造物、プラズマ処理室、及びプラズマ処理装置
119 基板の載置機構及び基板処理装置
120 基板処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
121 載置台、基板処理装置、プラズマ処理装置、載置台の制御方法、プラズマ処理装置の制御方法、制御プログラム、及び記憶媒体
122 成膜方法及びキャパシタ形成方法
123 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
124 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
125 処理システム
126 切替式トラップ装置
127 基板処理装置,基板処理方法及び記録媒体
128 塗布膜の成膜方法及びその装置
129 リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
130 基板処理方法及び基板処理装置
131 プラズマ処理装置
132 載置台構造及び成膜装置
133 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体
134 プラズマエッチング方法
135 塗布膜の成膜方法及びその装置
136 被処理体の取り出し方法及びプログラム記憶媒体並びに載置機構
137 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
138 処理装置
139 貼り合せ装置
140 プラズマ処理装置
141 接合方法及び接合ユニット
142 洗浄装置及び洗浄方法
143 半導体装置の製造方法および基板処理システム
144 基板周縁部膜除去装置及び基板周縁部膜の除去方法
145 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
146 基板のパーティクル除去方法、その装置及び塗布、現像装置
147 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
148 成膜方法、多層配線構造、半導体装置、コンピュータ可読記録媒体
149 基板搬送装置及び基板処理装置
150 基板搬送方法及び基板搬送装置
151 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体
152 加熱処理装置
153 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びにコンピュータプログラム
154 成膜装置のプリコート方法、成膜装置及び記憶媒体
155 真空処理装置及び帯状気流形成装置
156 基板処理装置のクリーニング方法,基板処理装置,プログラム,プログラムを記録した記録媒体
157 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置
158 成膜方法及び成膜装置
159 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
160 金属系膜の脱炭素処理方法、成膜方法および半導体装置の製造方法
161 プラズマ処理方法、記憶媒体及びプラズマ処理装置
162 乾燥装置、乾燥方法、及び乾燥プログラム、並びに、これらを有する基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム
163 熱処理方法、熱処理装置及び気化装置
164 熱処理装置
165 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
166 塗布乾燥処理システム及び塗布乾燥処理方法
167 塗布処理装置及び塗布処理方法
168 ダマシン配線の形成方法
169 基板処理方法及びその装置
170 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
171 処理装置
172 成膜装置および発光素子の製造方法
173 プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
174 エッチング方法及び記録媒体
175 反射装置、連通管、排気ポンプ、排気システム、該システムの洗浄方法、記憶媒体、基板処理装置及びパーティクル捕捉部品
176 基板処理装置
177 除電装置及び除電方法並びにプログラム記録媒体
178 プラズマ処理装置及び高周波電流の短絡回路
179 ガス供給装置,基板処理装置,ガス供給方法
180 加熱装置及び加熱方法
181 基板処理装置における被測定物の物理量測定方法及び記憶媒体
182 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
183 プラズマ処理装置
184 カーボンワイヤー封入ヒータ
185 基板処理方法
186 基板処理方法
187 ダマシン配線の形成方法
188 微小構造体の検査装置、及び微小構造体の検査方法
189 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
190 塗布装置及び塗布方法
191 プラズマ処理装置
192 熱処理装置
193 プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体
194 基板検出センサ及び基板検出方法
195 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
196 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法
197 プラズマ発生用の電極及びプラズマ処理装置
198 基板搬送装置、基板搬送方法及びコンピュータプログラム
199 高誘電体薄膜の改質方法及び半導体装置
200 基板冷却装置

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