発明の名称 |
シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム |
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発行国 |
日本国特許庁(JP) |
公報種別 |
公開特許公報(A) |
公開番号 |
特開2007−19145(P2007−19145A) |
公開日 |
平成19年1月25日(2007.1.25) |
出願番号 |
特願2005−197283(P2005−197283) |
出願日 |
平成17年7月6日(2005.7.6) |
代理人 |
【識別番号】100095407 【弁理士】 【氏名又は名称】木村 満
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発明者 |
松浦 廣行 |
要約 |
課題 低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
解決手段 まず、反応管2内にDCSを供給し、半導体ウエハWにDCSを吸着させる。次に、反応管2内に酸素ラジカルを供給して、吸着したDCSを酸化させ、半導体ウエハWにシリコン酸化膜を形成する。続いて、反応管2内にアンモニアラジカルを供給して、形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、半導体ウエハWにシリコン酸窒化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン酸窒化膜を形成することができる。 |