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三星電子株式会社 - 特許情報
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番号 発明の名称
1 ディスプレイ装置およびその制御方法
2 互いに自己整合的に形成されたセルダイオード及び下部電極を有する相変化記憶セル及びその製造方法
3 半導体素子パッケージ用キャップおよびその製造方法
4 エッチング液、これを用いた配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
5 半導体集積回路素子及びその製造方法
6 半導体装置及びその製造方法
7 化学機械的研磨スラリー、化学機械的研磨方法及びこれを採用する浅いトレンチ素子分離方法
8 利得向上を伴う広帯域エルビウム添加光ファイバ増幅器
9 位相同期ループ回路及び位相同期方法
10 構造的低密度パリティ検査符号を用いる通信システムにおけるデータ送信/データ受信のための装置及び方法
11 平板蛍光ランプとこれを含む表示装置
12 携帯端末用のキーパッドアセンブリ
13 ディスプレイ装置およびその製造方法
14 コネクタ及びこれを備えたハードディスクドライブ
15 ペースト組成物
16 無鉛半田ボールを有する半導体パッケージ及びその製造方法
17 垂直外部共振型の表面発光レーザ
18 有機簿膜トランジスタの製造方法及びこれによって製造された有機薄膜トランジスタ
19 ディスプレイ装置
20 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
21 フィンFETCMOSとその製造方法及びそれを備えるメモリ素子
22 MOSトランジスタを備える半導体素子及びその製造方法
23 通信システムにおける信号送信システム及び方法
24 チップ挿入型媒介基板の構造及びその製造方法、並びにこれを用いた異種チップのウェーハレベル積層構造及びパッケージ構造
25 相変化メモリ素子及びその製造方法
26 スピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の製造方法
27 ヒートスプレッダ、ヒートスプレッダを有する半導体パッケージモジュール、及びメモリモジュール
28 半導体素子製造装置及び方法
29 半導体基板用洗浄液組成物、該洗浄液組成物の製造方法、該洗浄液組成物を用いた半導体基板の洗浄方法、および該洗浄方法を含む半導体素子の製造方法
30 基板組立体製造方法
31 発光ダイオードモジュール、これを備えたバックライトアセンブリ、及びこれを備えた表示装置
32 アクティブピクセルセンサーアレイを含むイメージセンサー
33 バルク音響共振器およびその製造方法
34 周波数合成装置
35 プラズマを分離加速させる中性ビームエッチング装置
36 プラズマ加速装置及びそれを備えるプラズマ処理システム
37 携帯型端末のキーパッド照明装置
38 面光源装置及びこれを備えた表示装置
39 MEMSスイッチ及びその製造方法
40 デュアル金属層を有するテープ配線基板及びそれを用いたチップオンフィルムパッケージ
41 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、その製造方法、液晶表示装置、及び表示装置。
42 イメージセンサ及びその製造方法
43 エッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法
44 コンタクトホール形成方法及びこれ用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法
45 イメージセンサ及びその製造方法
46 透明カバーが付着されている光学装置の製造方法及びそれを利用した光学装置モジュールの製造方法
47 イメージセンサ及びその製造方法
48 NAND型フラッシュメモリ装置及びその製造方法
49 駆動集積回路及びその製造方法並びに表示装置及び表示装置の画質を向上させる方法
50 平板表示装置及び平板表示装置の製造方法
51 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
52 強誘電膜上で貴金属膜の蒸着率を向上させうる物質膜の形成方法、この方法を利用した強誘電膜キャパシタの製造方法及びこの方法で形成された強誘電膜キャパシタ、このような強誘電膜キャパシタを備える半導体メモリ装置及びその製造方法
53 半導体基板乾燥装置
54 垂直チャンネルを持つ半導体素子の製造方法及びこれを利用した半導体素子
55 エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザ
56 ナノクリスタルとトレンチを含むマルチビット不揮発性メモリ装置及びその製造方法
57 インダクタを具備したパッケージングチップ
58 フォトスピナー設備の噴射不良制御装置
59 3−トランジスタメモリセルを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法
60 薄膜トランジスタ基板の製造方法
61 二重キャッピング膜を有する半導体素子の配線及びその形成方法
62 低電圧差動信号受信器及びそれの終端抵抗値の設定方法
63 固定ノイズ分散値を用いるデコーダ、及びこれを用いたデコーディング方法
64 フィルムバルク音響共振器及びその製造方法
65 インターリーブ方法、インターリーブ装置、及びデインターリーブ方法
66 放電ランプ及びこれを有する表示装置
67 MEMSスイッチ及びその製造方法
68 MEMSスイッチ
69 RFMEMSスイッチ
70 一対のチャンネル領域に対応する単一ゲート電極を有する半導体素子及びランダムアクセスメモリ
71 薄膜トランジスター基板及びその製造方法
72 遺伝子検出用電界効果トランジスタアレイの製造方法
73 CMOSイメージセンサ及びその形成方法
74 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
75 フィン型チャンネル領域を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法
76 シリサイド化されたゲートの形成方法
77 薄膜トランジスター基板と薄膜トランジスター基板の製造方法
78 ゲッタリング機能を有する低欠陥エピタキシャル半導体基板、これを用いたイメージセンサー及びこれの製造方法
79 改善されたパッド構造を有する半導体装置及び半導体装置のパッド形成方法
80 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
81 不揮発性記憶装置及びその製造方法
82 化学機械的研磨装置、パッドコンディショナアセンブリ及び研磨パッドコンディショニング方法
83 強誘電体記録媒体及びその製造方法
84 半導体メモリ素子の製造方法
85 半導体装置素子の製造方法
86 薄膜バルク音響共振器および表面音響波共振器が集積された集積フィルタおよびその製造方法
87 位相同期ループ回路及びそのセルフバイアス方法
88 自動利得調節器の電圧を制御できる自動利得調節器及び制御方法
89 プラズマ加速装置及び該装置を備えるプラズマ処理システム
90 コーム構造のアクチュエータを含むRF−MEMSスイッチ
91 平板蛍光ランプ及びこれを備えた表示装置
92 フェライト遮蔽構造を備えた半導体パッケージ
93 可撓性印刷回路及びその製造方法
94 逐次的横方向結晶化用のマスク及びその製造方法
95 原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法
96 LEDパッケージおよびその製造方法、それを用いたLEDアレイモジュール
97 アレイ基板とその製造方法及びシリコン結晶化方法、並びにこれらに用いるポリシリコン層
98 無負荷SRAM、その動作方法及びその製造方法
99 有機薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法
100 平板表示装置及びその製造方法

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