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株式会社ルネサステクノロジ - 特許情報
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番号 発明の名称
1 半導体装置の製造方法
2 半導体集積回路装置の製造方法
3 半導体装置およびヒューズの溶断方法
4 半導体装置およびその製造方法
5 半導体装置
6 半導体装置およびその製造方法
7 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム
8 半導体装置
9 半導体装置
10 半導体装置およびその製造方法
11 半導体装置およびその製造方法
12 半導体装置の製造方法
13 半導体装置、及びそれを用いた送受信装置、並びにその半導体装置の製造方法
14 集積半導体不揮発性記憶装置
15 研磨方法および研磨システム
16 半導体集積回路装置の製造方法
17 受信回路及び無線LANシステムとオフセット補正方法
18 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール
19 バイアス回路および高周波電力増幅回路
20 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
21 積層型半導体装置およびその製造方法
22 半導体集積回路装置の製造方法
23 半導体装置
24 半導体装置およびその製造方法
25 不揮発性半導体装置
26 不揮発性半導体装置の製造方法
27 半導体集積回路装置
28 半導体装置
29 不揮発性半導体記憶装置
30 半導体集積回路装置
31 AD変換器
32 積分器およびそれを備えるΔΣモジュレータ
33 高周波電力増幅用電子部品および無線通信装置
34 半導体装置
35 半導体装置の製造方法及び半導体装置
36 半導体記憶装置
37 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
38 半導体集積回路装置およびその製造方法
39 半導体装置およびその製造方法
40 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
41 半導体装置の製造方法
42 半導体装置のパイピング不良検出用TEG並びにそのパイピング不良検出方法およびそのボイド形成状態判定方法
43 MOS構造を有する半導体装置及びその製造方法
44 MOS構造を有する半導体装置およびその製造方法
45 MOS構造を有する半導体装置およびその製造方法
46 半導体装置およびその製造方法
47 半導体集積回路装置の製造方法
48 高周波電力増幅器および無線通信装置
49 高周波電力増幅器および動作電圧制御回路
50 半導体集積回路装置
51 A/D変換回路
52 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
53 半導体装置およびその製造方法、ならびに非絶縁型DC/DCコンバータ
54 半導体装置
55 半導体装置の製造方法
56 半導体装置およびその製造方法
57 半導体装置およびその製造方法
58 素子分離の製造方法および半導体装置の製造方法
59 半導体装置および半導体装置の製造方法
60 半導体装置およびその製造方法
61 半導体装置
62 半導体装置
63 半導体装置の製造方法
64 半導体集積回路装置
65 半導体集積回路装置
66 半導体装置及びその製造方法
67 半導体装置の製造方法
68 半導体装置の製造方法
69 電子装置
70 半導体装置の製造方法
71 半導体装置の製造方法
72 半導体装置及びその製造方法
73 半導体装置
74 半導体集積回路装置
75 半導体装置
76 半導体装置
77 半導体装置およびそれを用いた半導体集積回路
78 半導体装置
79 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
80 半導体装置およびその製造方法
81 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
82 半導体集積回路装置の製造方法
83 半導体集積回路装置の製造方法
84 半導体集積回路装置
85 高周波電力増幅用電子部品
86 半導体装置の配線層間絶縁膜及びその製造方法
87 半導体装置の製造方法
88 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
89 半導体装置の製造方法
90 半導体装置の製造方法
91 半導体装置の製造方法および半導体装置
92 半導体装置の製造方法
93 半導体装置及びそのマーキング方法
94 半導体集積回路装置およびその製造方法
95 微細パターンの形成方法およびその形成材料
96 半導体装置の製造方法および半導体装置
97 位相同期回路およびそれを用いた半導体集積回路装置
98 多相クロック信号伝送回路
99 半導体装置
100 半導体モジュール

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