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番号 発明の名称
1201 半導体集積回路
1202 ラム波型高周波デバイス、ラム波型高周波デバイスの製造方法
1203 発光素子の製造方法、発光装置の製造方法および電子機器の製造方法
1204 発光装置の製造方法および電子機器の製造方法
1205 有機EL素子の製造方法、有機EL素子、及び電子機器
1206 プラズマ処理装置
1207 プラズマ処理装置
1208 半導体装置
1209 半導体集積回路
1210 薄膜抵抗体の製造方法及び製造装置
1211 抵抗体の製造方法
1212 半導体装置、半導体装置の製造方法および記憶装置
1213 半導体装置の製造方法及び合わせマークの形成方法、半導体装置
1214 配線基板及びその製造方法
1215 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
1216 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
1217 基板搭載型トランス及びそれ用の台座
1218 回路基板、回路基板の製造方法、電気光学装置および電子機器
1219 強誘電体メモリおよびその製造方法
1220 光電気複合基板及び電子機器
1221 基板の両面に実装可能な集積回路装置及び電子機器
1222 圧電アクチュエータユニット、圧電素子、及び、その製造方法
1223 受光素子、光モジュール、光伝達装置
1224 弾性表面波装置およびその製造方法
1225 弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置

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