発明の名称 半導体装置及び半導体装置の実装方法 発行国 日本国特許庁（ＪＰ） 公報種別 公開特許公報（Ａ） 公開番号 特開２００７−１９３８８（Ｐ２００７−１９３８８Ａ） 公開日 平成１９年１月２５日（２００７．１．２５） 出願番号 特願２００５−２０１５４６（Ｐ２００５−２０１５４６） 出願日 平成１７年７月１１日（２００５．７．１１） 代理人 【識別番号】１００１０７８３６ 【弁理士】 【氏名又は名称】西 和哉 発明者 加藤 洋樹 要約 課題 半導体装置の反りを抑えることが可能な半導体装置及びこの半導体装置の実装方法を提供すること。 解決手段 導電部を有する基板上に接着材を介して電気的に接続されるとともに、複数の接続端子を有する半導体装置１１であって、少なくとも接続端子１２の形成面の隣接するそれぞれの接続端子１２間の領域の周辺１１ｂ側あるいは中央側の領域に凸部１３が形成されていることを特徴とする。 特許請求の範囲 【請求項１】 導電部を有する基板上に接着材を介して電気的に接続されるとともに、複数の接続端子を有する半導体装置であって、 少なくとも前記接続端子の形成面の隣接するそれぞれの前記接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域に凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 【請求項２】 前記凸部が、隣接する前記接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域にのみ個々に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 【請求項３】 前記凸部が、隣接する前記接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域にわたって連続した線状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 【請求項４】 前記凸部が、前記接続端子の材質と同じであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。 【請求項５】 前記凸部が、前記接続端子の厚さ以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置をボンディングツールにより加熱及び加圧して前記基板に前記接着材を介して実装することを特徴とする半導体装置の実装方法。 発明の詳細な説明 【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体装置及びこの半導体装置をフリップチップ実装する半導体装置の実装方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、携帯情報端末をはじめ、各種の携帯型電子機器の普及が著しい。このような電子機器においては、携帯性の向上や小型化、軽量化、薄型化が強く求められる技術傾向にあることから、電子機器に実装される半導体装置においても、一層の高密度化、小型化、薄型化が要望されている。 薄型化や小型化に適した半導体装置の実装方法としては、半導体装置をフレキシブル配線基板等に直接またはＡＣＦ（異方性導電フィルム）等の接着材を介して接合するフリップチップ実装方式が広く用いられている。 【０００３】 しかしながら、近年、半導体装置の薄型化に伴い、半導体装置を基板に実装した際、接着材が半導体装置の外形からはみ出し、側面を這い上がり易くなり、ボンディングツールに付着するという問題が生じている。この問題を解決するための半導体装置の実装方法フリップチップ接続構造が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。 この特許文献１に記載の半導体装置は、ボンディングツールと半導体装置との間に、接着材層と銅板とからなる介在部材が設けられている。これにより、基板に半導体装置を実装した際、半導体装置の側面に濡れ広がった接着材が、介在部材によってボンディングツール側に這い上がり、付着することを防止することができる。 【特許文献１】特許第３５１４６４９号公報 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 しかしながら、上記特許文献１に記載の半導体装置の実装方法では、接着材がボンディングツール側に這い上がるのを防止しているが、特に外周部に接続端子が形成されたペリフェラル型の半導体装置では、ボンディングツールに付与される荷重はすべて接続端子にかかってしまう。このとき、介在部材のような機械的強度の弱い部材を介すると、半導体装置に付与される荷重が、接続端子に加えて半導体装置の中央部にもかかってしまい、結果として半導体装置全体に反りが生じてしまう。 【０００５】 本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、半導体装置の反りを抑えることが可能な半導体装置及びこの半導体装置の実装方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００６】 上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。 本発明の半導体装置は、導電部を有する基板上に接着材を介して電気的に接続されるとともに、複数の接続端子を有する半導体装置であって、少なくとも前記接続端子の形成面の隣接するそれぞれの前記接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域に凸部が形成されていることを特徴とする。 【０００７】 本発明に係る半導体装置では、凸部が、隣接する接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域に形成されているため、半導体装置の接続端子の形成面に設けられた接着材が半導体装置の内側から外側へ隣接する接続端子の間を流れようとするのを堰き止めることができる。したがって、半導体装置の中央部に接着材が溜まり易くなることから、半導体装置を基板に実装する場合、半導体装置の中央部が潰れにくくなる。すなわち、半導体装置の反りを防止することができるため、半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。さらに、接着材が半導体装置からほとんどはみ出ないことから、基板上にデッドスペースがほとんど生じることがない。したがって、この半導体装置を用いることで高密度実装が可能になる。 【０００８】 また、本発明の半導体装置は、前記凸部が、隣接する前記接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域にのみ個々に形成されていることが好ましい。 本発明に係る半導体装置では、凸部が、隣接する接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域にのみ個々に形成されているため、少ない凸部で、半導体装置の接続端子の形成面に設けられた接着材が半導体装置からはみ出ることを防止することができる。したがって、コストの低減を図るとともに、中央部が潰れにくい半導体装置を得ることが可能となる。 【０００９】 また、本発明の半導体装置は、前記凸部が、隣接する前記接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域にわたって連続した線状に形成されていることが好ましい。 本発明に係る半導体装置では、凸部が、隣接する接続端子間の領域の周辺側あるいは中央側の領域にわたって連続した線状に形成されているため、半導体装置の接続端子の形成面に設けられた接着材を半導体装置の中央部に溜め込み易くすることができる。したがって、半導体装置を基板に実装する際、より多くの接着材が基板と半導体装置との間に介在するため、半導体装置の中央部を潰れにくくすることが可能となる。 【００１０】 また、本発明の半導体装置は、前記凸部が、前記接続端子の材質と同じであることが好ましい。 本発明に係る半導体装置では、凸部と接続端子とが同じ材質であるため、同時に形成することができるので、生産効率を向上させることが可能となる。 【００１１】 また、本発明の半導体装置は、前記凸部が、前記接続端子の厚さ以下であることが好ましい。 本発明に係る半導体装置では、半導体装置を実装する際、凸部が、接続端子の厚さ以下であるため、凸部が接続端子の厚さより厚い場合に比べ、半導体装置と基板との接着が、接着材の量等に依存しないので、接続端子と基板上の導電部とが接続し易くなる。したがって、接続端子と導電部との接続を良好に保ちつつ、凸部により接着材が半導体装置からはみ出ることを防止することができる。 【００１２】 本発明の半導体装置の実装方法は、上記の半導体装置をボンディングツールにより加熱及び加圧して前記基板に前記接着材を介して実装することを特徴とする。 本発明に係る半導体装置の実装方法では、ボンディングツールにより半導体装置を加熱及び加圧して基板に実装した際、半導体装置は上述したように中央部が潰れにくいため、半導体装置の中央部が窪まないので、基板と半導体装置とのギャップを均一に保った実装を達成することが可能となる。また、凸部により、半導体装置を基板に実装した際に、接着材がボンディングツール側に這い上がり、付着することを確実に防止することができる。 【発明を実施するための最良の形態】 【００１３】 次に、本発明の半導体装置の実装方法の第１実施形態について、図１から図８を参照して説明する。 本実施形態では、まず、図１に示すように、シリコンからなるウエハ１０を用意する。このウエハ１０は、各種素子を形成してなる半導体装置１１が複数形成されたものであり、各半導体装置１１には、半導体装置１１の能動面１１ａに形成された複数のバンプ１２と、半導体装置１１の能動面１１ａ（バンプ１２の形成面）の隣接するバンプ１２間の周辺１１ｂ側に形成されたダミーバンプ（凸部）１３とが設けられている。また、複数のバンプ１２は、半導体装置１１の周辺１１ｂに沿って矩形状に配置されている。 【００１４】 なお、バンプ１２の形状は、本実施形態では、図３に示すように、角柱状であるが、これに限らず、円柱状やボール状であっても良い。また、バンプ１２の材料としては、例えば、Ａｕバンプ、Ａｕ／Ｎｉバンプ、半田材等で被覆されたＣｕバンプ、Ｎｉバンプ、あるいは、半田ボール等を用いることが可能である。また、バンプ１２の高さ（厚み）Ｌは、５μｍ〜３０μｍ程度で形成されており、このバンプ１２の形成方法としては、電界めっき法あるいは無電解めっき法、金ワイヤをボール状に加工するワイヤバンプや、半田で形成された半田バンプ等、周知の技術により形成されている。 【００１５】 ダミーバンプ１３は、図２に示すように、隣接するバンプ１２間の領域Ａの周辺１１ｂ側の領域Ｂにわたって連続した線状に形成されている。また、ダミーバンプ１３は、半導体装置１１の周辺１１ｂの長辺の略中点まで延びた直線状に形成されており、複数のバンプ１２の配列方向に沿ってそれぞれ２本ずつ計４本形成されている。 また、ダミーバンプ１３は、バンプ１２の材質と同じであることが好ましい。この構成により、上記バンプ１２の形成方法と同様にしてダミーバンプ１３を形成することができるので、バンプ１２とダミーバンプ１３とを同時に形成することができるため、生産効率を向上させることが可能となる。 さらに、ダミーバンプ１３の高さＭが、図３に示すように、バンプ１２の高さＬ以下であることが好ましい。 【００１６】 このようなウエハ１０を用意したら、図４に示すように、このウエハ１０のバンプ１２を形成した面に、感光性でかつ熱可塑性樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料、もしくは感光性熱硬化樹脂接着シートを設けて接着材１４を塗布する。本実施形態では、感光性でかつ熱可塑性の樹脂材料を用いて接着材１４を塗布するものとする。この感光性でかつ熱可塑性の樹脂としては、例えばポリイミド樹脂を挙げることができる。このポリイミド樹脂を用いる場合、その使用形態としては、例えばこれを適宜な溶媒に溶解した状態で用いることができる。また、その前駆体としては、ポリアミック酸やアミドイミド等を挙げることができる。これらについても、その使用形態としては、適宜な溶媒に溶解した状態で使用することができる。ただし、このような樹脂材料については、その使用形態を液状でなくフィルム状としてもよく、その場合に、必要に応じて適宜な添加材を加えて前記樹脂材料を予めフィルム状またはシート状に成形しておくことで、使用することができる。 【００１７】 上記樹脂材料の使用形態を液状として用いた場合、スピンコート法、ロールコータ法、ディスペンス法等の公知の手法によって、図１に示すウエハ１０のバンプ１２を形成した側の面に塗布する。また、フィルム状またはシート状とした場合には、単に貼着することによって接着材１４を形成することができる。これらの方法で接着材１４を半導体装置１１の能動面１１ａに形成することにより、バンプ１２は接着材１４に覆われることになる。ここで、接着材１４の厚さは、バンプ１２の厚さとほぼ同じである。 【００１８】 次に、バンプ１２が形成された半導体装置１１をダイシングして、図５に示すように、個片化する。 そして、図６に示すように、個片化された半導体装置１１をボンディングツール２０により真空吸着して保持する。次いで、実装される基板３０を半導体装置１１の能動面１１ａと対向させた状態でステージ２上に用意する。この基板３０には、実装する半導体装置１１のバンプ１２の位置に対応して電極（導電部）３１が形成されており、電極３１には電気的に接続されたランド３２が形成されている。 【００１９】 電極３１及びランド３２の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、半田材で被覆された銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）で被覆された銅（Ｃｕ）等を用いることができる。 なお、接着材１４は、接着性を有する樹脂であれば良く、例えば、熱可塑性を有するエポキシ樹脂，ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン），アクリル樹脂等、他の公知の樹脂でも良い。さらに、耐熱性を向上させるために熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれていても良い。 【００２０】 次に、半導体装置１１のバンプ１２と基板３０の電極３１とが対応するように、半導体装置１１の位置合わせを行う。ボンディングツール２０により半導体装置１１の位置合わせを行った後、ボンディングツール２０を降下することにより、半導体装置１１が接着材１４を押し広げる。 次いで、ボンディングツール２０により半導体装置１１を加熱及び加圧し、半導体装置１１のバンプ１２と基板３０の電極３１とを接合する。これにより、接着材１４を半導体装置１１の複数のバンプ１２と基板３０の電極３１との間に挟持した形態が得られる。その後、基板３０を個片化し、図７に示すように、半導体装置１１が実装された実装体４０が得られる。 【００２１】 このとき、従来のように、ダミーバンプ１３が形成されていない半導体装置１００では、図８に示すように、半導体装置１００の周辺から接着材１０１がはみ出してしまうことと、介在部材１０２により半導体装置１００の中央部に負荷がかかってしまい変形を生じる。したがって、半導体装置１００の中央部が潰れ、半導体装置１００に反りが生じることになる。しかしながら、本実施形態の半導体装置１１のように、ダミーバンプ１３を形成することにより、半導体装置１１の周辺１１ｂから接着材１４がはみ出すことを防止することができる。 【００２２】 本実施形態に係る半導体装置１１によれば、接着材１４がバンプ１２間から外側にはみ出たとしても、ダミーバンプ１３により接着材１４を堰き止めることができることから、半導体装置１１の中央部に接着材１４が溜まり易くなる。したがって、半導体装置１１を基板３０に実装する場合、半導体装置１１の中央部が潰れにくくなる。すなわち、半導体装置１１の反りを防止することができるため、半導体装置１１の信頼性を向上させることが可能となる。さらに、接着材１４が半導体装置１１からほとんどはみ出ないことから、基板３０上にデッドスペースがほとんど生じることがなく、したがって、この半導体装置１１を用いることで高密度実装が可能になる。 【００２３】 また、本実施形態に係る半導体装置１１の実装方法によれば、ボンディングツール２０により半導体装置１１を加熱及び加圧して基板３０に実装した際、半導体装置１１の中央部が潰れにくいため、半導体装置１１の中央部が窪まないので、基板３０と半導体装置１１とのギャップを均一に保った実装を達成することが可能となる。 さらに、ダミーバンプ１３により、半導体装置１１を基板３０に実装した際に、接着材１４がボンディングツール２０側に接着材が這い上がり、付着することを確実に防止することができる。 【００２４】 ［第２実施形態］ 次に、本発明に係る第２実施形態について、図９を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る半導体装置１１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。 本実施形態に係る半導体装置５０において、第１実施形態では、ダミーバンプ１３が、バンプ１２の形成面の隣接するバンプ１２間の領域Ａの周辺１１ｂ側の領域Ｂに設けられていたが、第２実施形態では、ダミーバンプ５１が、隣接するバンプ１２間の領域Ａの中央１１ｃ側の領域Ｃに設けられている。 【００２５】 ダミーバンプ５１は、図９に示すように、隣接するバンプ１２間の領域Ａの中央１１ｃ側の領域Ｃにわたって連続した直線状に形成されている。すなわち、ダミーバンプ５１は、複数のバンプ１２に囲まれた領域内に、半導体装置５０の長辺に沿って配されたバンプ１２の略中点まで延びた直線状に形成されており、複数のバンプ１２の配列方向に沿ってそれぞれ２本ずつ計４本形成されている。 【００２６】 半導体装置５０の実装方法としては、ウエハ状の半導体装置５０の全面に接着材１４を形成した後、個片化する。その後、図６に示すように、ボンディングツール２０により半導体装置５０を吸着し、半導体装置５０を加熱及び加圧し、第１実施形態と同様にして、半導体装置５０のバンプ１２と基板３０の電極３１とを接合する。これにより、図７に示すように、接着材１４を半導体装置５０の複数のバンプ１２と基板３０の電極３１との間に挟持させた形態が得られる。 【００２７】 本実施形態に係る半導体装置５０及び半導体装置５０の実装方法によれば、隣接するバンプ１２間の領域Ａの中央１１ｃ側の領域Ｃにダミーバンプ５１を形成することにより、複数のバンプ１２で囲まれた領域から接着材１４がはみ出るのを防止することができる。したがって、半導体装置５０を基板３０に実装する場合、半導体装置５０の中央部が潰れにくくなる。すなわち、半導体装置５０の反りを防止することができる。 【００２８】 ［第３実施形態］ 次に、本発明に係る第３実施形態について、図１０を参照して説明する。 本実施形態に係る半導体装置６０において、第３実施形態では、ダミーバンプ６１が、隣接するバンプ１２間の領域Ａの中央１１ｃ側の領域Ｃに設けられているとともに、複数のバンプ１２の配列方向に対して傾斜している点において、第２実施形態と異なる。 このダミーバンプ６１は、半導体装置６０の短辺側の端部６１ａが中央１１ｃ側に向かってそれぞれ傾斜している。 【００２９】 半導体装置６０の実装方法としては、ウエハ状の半導体装置６０の全面に接着材１４を形成した後、個片化する。その後、第２実施形態の半導体装置５０と同様にしてボンディングツール２０により、半導体装置６０のバンプ１２と基板３０の電極３１とを接合する。これにより、図７に示すように、接着材１４を半導体装置６０の複数のバンプ１２と基板３０の電極３１との間に挟持させた形態が得られる。 【００３０】 本実施形態に係る半導体装置６０及び半導体装置６０の実装方法によれば、隣接するバンプ１２間の領域Ａの中央１１ｃ側の領域Ｃに設けられているとともに、複数のバンプ１２の配列方向に対して傾斜させてダミーバンプ６１を形成することにより、複数のバンプ１２間から外側に向かう接着材１４を堰き止めることができる。したがって、複数のバンプ１２で囲まれた領域に接着材１４がさらに溜まり易くなることから、半導体装置６０を基板３０に実装する場合、半導体装置６０の中央部が潰れにくくなる。すなわち、半導体装置６０の反りを防止することができる。 【００３１】 ［第４実施形態］ 次に、本発明に係る第４実施形態について、図１１を参照して説明する。 本実施形態に係る半導体装置７０において、第４実施形態では、接続端子として樹脂をコアとするバンプ７１である点及びダミーバンプ７４が樹脂からなる点において、第１実施形態と異なる。 半導体装置７０は、樹脂からなる蒲鉾状の突起部材７２上に所定間隔をあけて形成された電極端子７３と、蒲鉾状のダミーバンプ７４とを備えている。 この半導体装置７０の製造方法としては、例えば、液滴吐出法（インクジェット法）によって、半導体装置７０の能動面７０ａの所定領域に、突起部材７２及びダミーバンプ７４を形成するための樹脂を配置する。そして、スパッタ法を用いて、ＴｉＷ，Ａｕを積層した後、周知のフォトリソグラフィ法によりレジスト膜をパターニングして、プラズマ処理により、金属膜をエッチングする。このようにして、電極端子７３が形成され、樹脂をコアとするバンプ７１が形成される。また、半導体装置７０の実装方法としては、第１実施形態と同様である。 【００３２】 本実施形態に係る半導体装置７０及び半導体装置７０の実装方法によれば、半導体装置７０を基板３０に実装した際、樹脂からなるダミーバンプ７４により、半導体装置７０の外側に接着材１４がはみ出るのを防止することができるため、半導体装置７０の反りを防止することが可能となる。また、樹脂からなる突起部材７２及びダミーバンプ７４により半導体装置７０に加わる応力を吸収することができるため、半導体装置７０に加わる応力を分散させることができる。 【００３３】 なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 例えば、ダミーバンプ１３，５１，６１，７４の少なくともバンプ１２の形成面の隣接するバンプ１２間の領域Ａの周辺１１ｂ側の領域Ｂあるいは中央１１ｃ側の領域Ｃにそれぞれ形成されていれば良い。このため、図１２に示すように、ダミーバンプ８１は、バンプ１２間の周辺１１ｂ側の領域Ｂに個々に形成された半導体装置８０であっても良い。 また、ウエハ１０のバンプ１２の形成した側の面に、接着材１４を塗布したが、基板３０上に接着材１４を塗布しても良い。 また、ダミーバンプ１３は、半導体装置１１の周辺１１ｂの長辺の略中点まで延びた直線状に形成された構成にしたが、直線状に限るものではなく、半導体装置１１の周辺１１ｂに向かって湾曲する曲線状であっても良い。 【図面の簡単な説明】 【００３４】 【図１】本発明の第１実施形態に係るウエハ状の半導体装置を示す斜視図及び平面図である。 【図２】図１の半導体装置のＸ−Ｘ線矢視における断面図である。 【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法の工程説明図である。 【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法の工程説明図である。 【図５】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法に用いられる接着材の大きさを示す模式図である。 【図６】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法の工程説明図である。 【図７】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法により実装された実装体を示す断面図である。 【図８】従来の半導体装置を用いて実装する場合を示した説明図である。 【図９】本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 【図１０】本発明の第３実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 【図１１】本発明の第４実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 【図１２】本発明の各実施形態に係る半導体装置の変形例を示す平面図である。 【符号の説明】 【００３５】 １１，５０，６０，７０，８０…半導体装置、１１ｂ…半導体装置の周辺、１１ｃ…半導体装置の中央、１２…バンプ（接続端子）、１３…ダミーバンプ（凸部）、１４…接着材、３０…基板、３１…電極（導電部）