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発明の名称 半導体装置及びその製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−19184(P2007−19184A)
公開日 平成19年1月25日(2007.1.25)
出願番号 特願2005−197929(P2005−197929)
出願日 平成17年7月6日(2005.7.6)
代理人 【識別番号】100090387
【弁理士】
【氏名又は名称】布施 行夫
発明者 田中 秀一
要約 課題
実装性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。

解決手段
半導体装置は、複数の電極14を有する半導体基板10と、半導体基板10上に形成された樹脂突起20と、電極14と電気的に接続されてなり、樹脂突起20上に至るように形成された配線30とを含む。樹脂突起20の上端面22には凹部25が形成されてなる。配線30には、凹部25の少なくとも一部とオーバーラップする切り欠き32が形成されてなる。
特許請求の範囲
【請求項1】
電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された樹脂突起と、
前記電極と電気的に接続されてなり、前記樹脂突起上に至るように形成された配線と、
を含み、
前記樹脂突起の上端面には凹部が形成されてなり、
前記配線には、前記凹部の少なくとも一部とオーバーラップする切り欠きが形成されてなる半導体装置。
【請求項2】
電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された樹脂突起と、
前記電極と電気的に接続されてなり、前記樹脂突起上に至るように形成された配線と、
を含み、
前記樹脂突起の上端面には凹部が形成されてなり、
前記配線には、前記凹部の少なくとも一部とオーバーラップする貫通穴が形成されてなる半導体装置。
【請求項3】
請求項2記載の半導体装置において、
前記貫通穴は前記配線に沿って延びる形状をなし、前記樹脂突起の基端部に至るように形成されてなる半導体装置。
【請求項4】
請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂突起の上端面は平坦面である半導体装置。
【請求項5】
電極を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上に樹脂突起を形成する工程と、
前記電極と電気的に接続された配線を、前記樹脂突起の上端面に至るように、かつ、前記上端面とオーバーラップする領域に形成された切り欠きを有するように形成する工程と、
前記樹脂突起の一部を除去し、前記樹脂突起に前記切り欠きとオーバーラップする凹部を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項6】
電極を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上に樹脂突起を形成する工程と、
前記電極と電気的に接続された配線を、前記樹脂突起の上端面に至るように、かつ、前記上端面とオーバーラップする領域に形成された貫通穴を有するように形成する工程と、
前記樹脂突起の一部を除去し、前記樹脂突起に前記貫通穴とオーバーラップする凹部を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項7】
請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線を、前記貫通穴が前記配線に沿って延びるように、かつ、前記樹脂突起の基端部に至るように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項8】
請求項5から請求項7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂突起を、前記上端面が平坦面になるように形成する半導体装置の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電子部品を小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進み、これに伴って、半導体チップのピン数の増加が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化という2つの要求を同時に満たすことが可能な半導体装置の開発が進んでいる。
【0003】
この要求に応えることができる半導体装置として、半導体チップ上に配線が形成されたタイプの半導体装置が注目を集めている。このタイプの半導体装置では、半導体装置の外形を半導体チップの外形とほぼ同じにすることができるため、従来の半導体パッケージに較べて、半導体装置の小型化が可能である。
【0004】
しかし、この半導体装置であっても、従来の半導体装置と同等又はそれ以上の信頼性及び実装性が要求される。また、この半導体装置を、信頼性を確保しつつ、効率よく製造する方法の開発が望まれている。
【0005】
本発明の目的は、実装性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【特許文献1】特開平2−272737号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0006】
(1)本発明に係る半導体装置は、電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された樹脂突起と、
前記電極と電気的に接続されてなり、前記樹脂突起上に至るように形成された配線と、
を含み、
前記樹脂突起の上端面には凹部が形成されてなり、
前記配線には、前記凹部の少なくとも一部とオーバーラップする切り欠きが形成されてなる。本発明によると、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
(2)本発明に係る半導体装置は、電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された樹脂突起と、
前記電極と電気的に接続されてなり、前記樹脂突起上に至るように形成された配線と、
を含み、
前記樹脂突起の上端面には凹部が形成されてなり、
前記配線には、前記凹部の少なくとも一部とオーバーラップする貫通穴が形成されてなる。本発明によると、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
(3)この半導体装置において、
前記貫通穴は前記配線に沿って延びる形状をなし、前記樹脂突起の基端部に至るように形成されていてもよい。
(4)この半導体装置において、
前記樹脂突起の上端面は平坦面であってもよい。
(5)本発明に係る半導体装置の製造方法は、電極を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上に樹脂突起を形成する工程と、
前記電極と電気的に接続された配線を、前記樹脂突起の上端面に至るように、かつ、前記上端面とオーバーラップする領域に形成された切り欠きを有するように形成する工程と、
前記樹脂突起の一部を除去し、前記樹脂突起に前記切り欠きとオーバーラップする凹部を形成する工程と、
を含む。本発明によると、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
(6)本発明に係る半導体装置の製造方法は、電極を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上に樹脂突起を形成する工程と、
前記電極と電気的に接続された配線を、前記樹脂突起の上端面に至るように、かつ、前記上端面とオーバーラップする領域に形成された貫通穴を有するように形成する工程と、
前記樹脂突起の一部を除去し、前記樹脂突起に前記貫通穴とオーバーラップする凹部を形成する工程と、
を含む。本発明によると、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
(7)この半導体装置の製造方法において、
前記配線を、前記貫通穴が前記配線に沿って延びるように、かつ、前記樹脂突起の基端部に至るように形成してもよい。
(8)この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂突起を、前記上端面が平坦面になるように形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の実施形態及び変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【0008】
(第1の実施の形態)
図1(A)〜図1(C)は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。ここで、図1(A)は、半導体装置1の上視図である。また、図1(B)及び図1(C)は、それぞれ、図1(A)のIB−IB線断面及びIC−IC線断面の一部拡大図である。
【0009】
本実施の形態に係る半導体装置は、図1(A)〜図1(C)に示すように、半導体基板10を含む。半導体基板10は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板10は、チップ状をなしていてもよい(図3参照)。このとき、半導体基板10の電極14が形成された面(能動面)は長方形をなしていてもよい。ただし、半導体基板10の能動面は、正方形をなしていてもよい(図示せず)。あるいは、半導体基板10は、ウエハ状をなしていてもよい(図4参照)。半導体基板10には、1つ又は複数の(半導体チップには1つの、半導体ウエハには複数の)集積回路12が形成されていてもよい(図1(B)参照)。集積回路12の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【0010】
半導体基板10は、図1(A)及び図1(B)に示すように、電極14を有する。電極14は、半導体基板10の内部と電気的に接続されていてもよい。電極14は、集積回路12と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路12に電気的に接続されていない導電体を含めて、電極14と称してもよい。電極14は、半導体基板の内部配線の一部であってもよい。このとき、電極14は、半導体基板の内部配線のうち、外部との電気的な接続に利用される部分であってもよい。電極14は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。
【0011】
半導体基板10は、図1(B)及び図1(C)に示すように、パッシベーション膜16を有していてもよい。パッシベーション膜16は、電極14を露出させるように形成されていてもよい。パッシベーション膜16は、電極14を露出させる開口を有していてもよい。パッシベーション膜16は、電極14を部分的に覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜16は、電極14の周囲を覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜は、例えば、SiOやSiN等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜16は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。
【0012】
本実施の形態に係る半導体装置は、図1(A)〜図1(C)に示すように、半導体基板10上に形成された樹脂突起20を含む。樹脂突起20は、パッシベーション膜16上に形成されていてもよい。樹脂突起20の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。例えば、樹脂突起20は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB;benzocyclobutene)、ポリベンゾオキサゾール(PBO;polybenzoxazole)、フェノール樹脂等の樹脂で形成してもよい。
【0013】
本実施の形態に係る半導体装置では、1つの半導体基板10には、複数の樹脂突起20が形成されていてもよい。このとき、複数の樹脂突起20が、半導体基板10の電極14が形成された面(能動面)の辺に沿って、配列されていてもよい(図1(A)参照)。
【0014】
そして、図1(A)〜図1(C)に示すように、樹脂突起20の上端面22には、凹部25が形成されてなる。凹部25は、後述する配線30の切り欠き32とオーバーラップするように形成されてなる。凹部25は、溝状をなしていてもよい。凹部25は、例えば、半導体基板10の辺に平行に延びる溝状の凹部であってもよい。言い換えると、凹部25は、後述する配線30が延びる方向と交差する方向に延びる溝状の凹部であってもよい。凹部25は、樹脂突起20の側面24に至るように(側面24に連通するように)形成されていてもよい(図1(C)参照)。なお、樹脂突起20の上端面22とは、樹脂突起20のうち、後述する回路基板40の配線42と対向する領域を指してもよい。
【0015】
樹脂突起20の上端面22は、平坦面をなしていてもよい(図1(B)及び図1(C)参照)。詳しくは、上端面22における凹部25が形成されていない領域は、平坦面をなしていてもよい。また、樹脂突起20は、上端面22が、底面よりも小さい形状をなしていてもよい。すなわち、樹脂突起20は、円錐台又は角錐台をなしていてもよい。ただし、ここで言う円錐台とは、底面が厳密に円形をなしていないものも含むものとする。同様に、ここで言う角錐台とは、底面が厳密に多角形をなしていないものも含むものとする。例えば、樹脂突起20の底面は、四角形以上の多角形の角を丸くした形状をなしていてもよい。ただし、樹脂突起20の上端面22は、曲面をなしていてもよい(図示せず)。
【0016】
本実施の形態に係る半導体装置は、図1(A)〜図1(C)に示すように、配線30を含む。配線30は、電極14と電気的に接続されてなる。配線30は、樹脂突起20上に至るように形成されてなる。配線30は、樹脂突起20の上端面22に至るように形成されてなる。
【0017】
配線30には、切り欠き32が形成されてなる。切り欠き32は、樹脂突起20とオーバーラップする領域(のみ)に形成されていてもよい。そして、切り欠き32は、凹部25の少なくとも一部とオーバーラップするように形成されてなる。切り欠き32は、凹部25全体とオーバーラップするように形成されていてもよい。このとき、切り欠き32は、凹部25と同じ形状をなしていてもよい。または、切り欠き32は、凹部25よりも大きくなるように形成されていてもよい。あるいは、切り欠き32は、凹部25の一部とオーバーラップするように形成されていてもよい。このとき、切り欠き32は、凹部25よりも小さくなるように形成されていてもよい。切り欠き32は、凹部25の一部を露出させるように形成されていてもよい。あるいは、切り欠き32は、凹部25に連通するように形成されていると言ってもよい。切り欠き32は、配線30が延びる方向と交差する方向に延びていてもよい。すなわち、切り欠き32は、半導体基板10の辺と平行に延びていてもよい。このとき、切り欠き32は、配線30の中央を越えて延びていてもよい。切り欠き32は、配線30の両側から形成されていてもよい。このとき、切り欠き32は、配線30が延びる方向にずれて配置されていてもよい。
【0018】
なお、本実施の形態に係る半導体装置では、図1(A)に示すように、1つの樹脂突起20に1つの配線30が形成されていてもよい。ただし、樹脂突起が半導体基板10の1つの辺に沿って延びる形状をなす場合、1つの樹脂突起20に複数の配線30が形成されていてもよい(図7(A)及び図8(B)参照)。
【0019】
また、配線30の構造は、特に限定されるものではない。例えば、配線30は複数層で形成されていてもよい。このとき、配線30は、チタンタングステンによって形成された第1の層と、金によって形成された第2の層とを含んでいてもよい(図示せず)。あるいは、配線30は、単層で形成されていてもよい。配線30を、パッシベーション膜16と接触するように形成してもよい。このとき、配線30を、樹脂突起20の両側で、パッシベーション膜16に接触するように形成してもよい。また、配線30は、電極14と接触するように形成してもよい。これにより、配線30と電極14とを電気的に接続させてもよい。
【0020】
本実施の形態に係る半導体装置は、以上の構成をなしていてもよい。この半導体装置1によると、実装性に優れた、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。以下、これについて説明する。
【0021】
半導体装置を回路基板に実装する方法は特に限定されないが、図2(A)〜図2(C)を参照して、半導体装置1を回路基板40に実装する方法の一例について説明する。はじめに、図2(A)に示すように、半導体装置1を回路基板40上に配置して、半導体装置1の配線30と回路基板40の配線42とが対向するように位置合わせをする。このとき、半導体装置1と回路基板40との間には、接着剤45を設けてもよい。例えば、図2(A)に示すように、回路基板40に接着剤45を設けてもよい。その後、図2(B)に示すように、半導体装置1と回路基板40とを押圧して、配線30と配線42とを接触させる。このとき、半導体装置1と回路基板40とによって接着剤45を押し広げて、半導体基板10と回路基板40との間に接着剤45を充填させてもよい。このとき、樹脂突起20の凹部25の内側に、接着剤45を充填させてもよい。そして、図2(C)に示すように、接着剤45を硬化させて、接着層46を形成してもよい。なお、接着剤45は、既に公知となっているいずれかの接着剤を利用してもよい。接着剤45として、例えば、樹脂系の接着剤を利用してもよい。また、接着剤45として、接着層46の弾性率が、樹脂突起20よりも低い(樹脂突起20よりも柔らかい)材料を利用してもよい。
【0022】
そして、回路基板40を切断する工程等を経て、図3に示す、電子モジュール1000を形成してもよい。電子モジュール1000は、表示デバイスであってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやEL(Electrical Luminescence)表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置1は、表示デバイスを制御するドライバICであってもよい。
【0023】
一般的に半導体装置を回路基板に実装する方法は、様々なものが考えられる。その中でも、半導体装置1は、上述のように配線30と配線42とを対向させて電気的に接続させる実装形態に適している。なぜなら、配線30は樹脂突起20(上端面22)上を通るように形成されているため、樹脂突起20の弾性力により、配線30と配線42とを押し付けることができるためである。これによると、配線30と配線42との電気的な接続信頼性の高い電子モジュール1000を製造することが可能になる。
【0024】
ところで、配線30と配線42とを電気的に接続させるためには、配線30と配線42とを確実に接触させることが重要である。すなわち、半導体装置1を、配線30と配線42との間に接着剤45が残らないように回路基板40に搭載することができれば、信頼性の高い電子モジュールを製造することができる。
【0025】
半導体装置1によると、樹脂突起20の上端面には凹部25が形成されてなり、配線30には、凹部25の少なくとも一部とオーバーラップする切り欠き32が形成されてなる。そのため、接着剤45を、凹部25の内側に逃がすことができる。そのため、半導体装置1によると、配線30と配線42との間に接着剤45が残りにくくすることができる。詳しくは、図2(B)に示すように、接着剤45を凹部25の内側に入り込ませることができるため、配線30と配線42との間に接着剤45が残りにくくなる。特に、樹脂突起20の上端面22の中心付近の接着剤45を、上端面22の外に押し出すことなく、配線30と配線42との間から排出させることが可能になる。そのため、配線30と配線42とを、確実に接触させることができる。これにより、信頼性の高い電子モジュール1000を形成することができる。
【0026】
また、電子モジュール1000では、半導体装置1の配線30が、樹脂突起20によって配線42に向かって押圧されている。先に説明したように、これにより、配線30と配線42との接続状態を維持することが可能になる。しかし、電子モジュールの信頼性を維持するためには、配線30に過度のストレスを与えないことも重要である。
【0027】
半導体装置1によると、樹脂突起20には凹部25が形成されてなり、配線30には切り欠き32が形成されてなる。そして、切り欠き32は、凹部25の少なくとも一部とオーバーラップするように配置されてなる。これによると、樹脂突起20及び配線30が変形しやすくなる。そのため、配線30に大きな力がかかった場合には、樹脂突起20及び配線30が変形することで、その力を緩和することができる。そのため、配線30が断線することを防止することが可能になる。特に、樹脂突起20の上端部22は、配線30を配線42に押し付ける部分である。そのため、樹脂突起20の上端部22に凹部25が形成されることで、配線30のうち最も力がかかる部分の応力を軽減することが可能になる。なお、凹部25及び切り欠き32の形状を調整することで、電気的な接続信頼性を保つために必要な押圧力を確保することができる。
【0028】
すなわち、本実施の形態に係る半導体装置1によると、実装性に優れ、かつ、実装後の信頼性が高い半導体装置を提供することができる。
【0029】
以下、図4〜図6を参照して、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【0030】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、電極14を有する半導体基板10を用意することを含んでいてもよい。半導体基板10は、図4に示すように、ウエハ状で用意してもよい。ウエハ状の半導体基板10は、複数の半導体装置となる領域11を含んでいてもよい。ただし、半導体基板10は、チップ状をなしていてもよい(図3参照)。
【0031】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図5に示すように、半導体基板10上に樹脂突起20を形成することを含む。本工程では、樹脂突起20は、図5に示すように、上端面が平坦面になるように形成してもよい。樹脂突起20を形成する方法は特に限定されるものではない。例えば、半導体基板10に樹脂材料を設け、これを硬化させることによって樹脂突起20を形成してもよい。このとき、円柱状、角柱状に樹脂材料を設けて、該材料を収縮させることによって、円錐台又は角錐台の樹脂突起20を形成してもよい。
【0032】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図6に示すように、電極14と電気的に接続された配線30を形成することを含む。配線30は、樹脂突起20の上端面に至るように形成する。また、配線30は、樹脂突起20の上端面とオーバーラップする領域に形成された切り欠き32を有するように形成する。なお、配線30を形成する方法は特に限定されない。配線30は、例えば、スパッタリングによって金属箔を形成し、その後、該金属箔をパターニングすることによって形成してもよい。金属箔をパターニングして、配線30を、切り欠き32を有する形状に形成してもよい。
【0033】
なお、電極14の表面に酸化膜が形成されている場合、該酸化膜を除去する工程を行った後に、配線30を形成する工程を行ってもよい。これによると、電極14と配線30とを、確実に電気的に接続することができる。なお、酸化膜を除去する方法は、既に公知となっているいずれかの方法を利用してもよいが、例えば、Arガスを利用した方法を適用してもよい。
【0034】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂突起20の一部を除去して、樹脂突起20に凹部25を形成することを含む(図1(A)〜図1(C)参照)。凹部25は、樹脂突起20の上端面側から形成してもよい。凹部25は、切り欠き32とオーバーラップするように形成する。凹部25は、例えば、配線30をマスクとするエッチング工程によって形成してもよい。これにより、切り欠き32とオーバーラップするように、凹部25を形成することができる。
【0035】
そして、半導体基板10を個片に切断する工程や検査工程などを経て、半導体装置1を製造してもよい。
【0036】
(第2の実施の形態)
図7(A)及び図7(B)は、本発明を適用した第2の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。ここで、図7(A)は、半導体装置2の上視図である。また、図7(B)は、図7(A)のVIIB−VIIB線断面の一部拡大図である。
【0037】
本実施の形態に係る半導体装置は、樹脂突起50を含む。樹脂突起50は、半導体基板10上に形成されてなる。樹脂突起50は、半導体基板10の1つの辺に沿って延びる形状をなしていてもよい。樹脂突起50の上端面52には、凹部55が形成されてなる。凹部55は、配線60の貫通穴62(後述)とオーバーラップするように形成されてなる。
【0038】
本実施の形態に係る半導体装置は、電極14と電気的に接続されてなり、樹脂突起50上に至るように形成された配線60を含む。配線60には貫通穴62が形成されてなる。貫通穴62は、樹脂突起50とオーバーラップする領域内に形成されていてもよい。貫通穴62の形状は特に限定されるものではない。貫通穴62は、図7(A)に示すように、円形の穴であってもよい。あるいは、貫通穴62は、矩形をなしていてもよい。貫通穴62は、また、1つの配線60に複数個形成されていてもよい。あるいは、1つの配線60には、1つの貫通穴のみが形成されていてもよい(図示せず)。貫通穴62は、樹脂突起50の凹部55とオーバーラップするように配置されてなる。このとき、貫通穴62と樹脂突起50の凹部55とは、同じ形状をなしていてもよい。貫通穴62は、凹部55に連通していてもよい。
【0039】
本実施の形態に係る半導体装置は、以上の構成をなしていてもよい。これによっても、配線60と回路基板の配線との間に接着剤が残らないように、半導体装置を実装することが可能になる。すなわち、本実施の形態に係る半導体装置によると、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
【0040】
半導体装置2の製造方法は特に限定されるものではない。例えば、凹部55は、配線60をマスクとして樹脂突起をエッチングすることによって形成してもよい。すなわち、樹脂突起の一部を除去して、樹脂突起に、配線60の貫通穴62とオーバーラップする凹部55を形成してもよい。その他の工程については、既に説明したいずれかの手順を適用することができる。これにより、半導体装置2を形成してもよい。
【0041】
図8(A)及び図8(B)は、本実施の形態の変形例に係る半導体装置について説明するための図である。ここで、図8(A)は、半導体装置3の上視図である。また、図8(B)及び図8(C)は、それぞれ、図8(A)のVIIIB−VIIIB線断面及びVIIIC−VIIIC線断面の一部拡大図である。
【0042】
本実施の形態に係る半導体装置は、配線70を含む。配線70には、貫通穴72が形成されてなる。貫通穴72は、図8(A)に示すように、配線70に沿って延びる形状をなす。貫通穴72は、樹脂突起80の基端部84に至るように形成されていてもよい。そして、樹脂突起80には、貫通穴72とオーバーラップする凹部85が形成されてなる。凹部85は、配線70に沿って延びる形状をなす。凹部85は、溝状をなしていてもよい。凹部85は、基端部84に至るように形成されていてもよい。凹部85は、側面に連通するように形成されていてもよい。これによっても、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
【0043】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【0044】
【図1】図1(A)〜図1(C)は、本発明を適用した第1の実施の形態に係るは導体装置について説明するための図である。
【図2】図2(A)〜図2(C)は、本発明を適用した第1の実施の形態に係るは導体装置について説明するための図である。
【図3】図3は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置が実装された電子モジュールを示す図である。
【図4】図4は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図5】図5は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図6】図6は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図7】図7(A)及び図7(B)は、本発明を適用した第2の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図8】図8(A)〜図8(C)は、本発明を適用した第2の実施の形態の変形例に係る半導体装置について説明するための図である。
【符号の説明】
【0045】
1…半導体装置、 2…半導体装置、 3…半導体装置、 10…半導体基板、 11…領域、 12…集積回路、 14…電極、 16…パッシベーション膜、 20…樹脂突起、 22…上端面、 24…側面、 25…凹部、 30…配線、 32…切り欠き、 40…回路基板、 42…配線、 45…接着剤、 46…接着層、 50…樹脂突起、 52…上端面、 55…凹部、 60…配線、 62…貫通穴、 70…配線、 72…貫通穴、 80…樹脂突起、 84…基端部、 85…凹部




 

 


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