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発明の名称 半導体装置の製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−19102(P2007−19102A)
公開日 平成19年1月25日(2007.1.25)
出願番号 特願2005−196642(P2005−196642)
出願日 平成17年7月5日(2005.7.5)
代理人 【識別番号】100090387
【弁理士】
【氏名又は名称】布施 行夫
発明者 淺川 達彦 / 田中 秀一 / 今井 英生
要約 課題
本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。

解決手段
半導体装置の製造方法は、(a)電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部32,34を含む樹脂層30を形成する工程と、(b)樹脂層30をキュアすることにより、第1及び第2の樹脂部32,34が一体化した樹脂突起40を形成する工程と、(c)電極パッド16と電気的に接続し、かつ樹脂突起40の上方を通る導電層50を形成する工程と、を含む。(a)工程で、第2の樹脂部34を、少なくとも電極パッド16と第1の樹脂部32の間に形成し、かつ第1の樹脂部32よりも小さい幅で形成する。
特許請求の範囲
【請求項1】
(a)電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部を含む樹脂層を形成する工程と、
(b)前記樹脂層をキュアすることにより、前記第1及び第2の樹脂部が一体化した樹脂突起を形成する工程と、
(c)前記電極パッドと電気的に接続し、かつ前記樹脂突起の上方を通る導電層を形成する工程と、
を含み、
前記(a)工程で、前記第2の樹脂部を、少なくとも前記電極パッドと前記第1の樹脂部の間に形成し、かつ前記第1の樹脂部よりも小さい幅で形成する半導体装置の製造方法。
【請求項2】
請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程において、
前記第1及び第2の樹脂部を同一マスクにより露光して形成する半導体装置の製造方法。
【請求項3】
請求項1又は請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2の樹脂部を前記第1の樹脂部の略全周に形成する半導体装置の製造方法。
【請求項4】
請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程において、
前記導電層を形成する前に、Arガスにより、前記電極パッドの表面から酸化膜を除去するとともに、前記樹脂突起の表面の炭化を進行させ、
前記導電層を形成した後に、前記導電層をマスクとして前記樹脂突起を部分的に除去する半導体装置の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電気的接続信頼性の向上を図るため、樹脂突起上に導電層が形成された樹脂コアバンプを外部端子とする半導体装置が開発されている。これによれば、半導体基板に樹脂突起が形成された後に、電極パッドから樹脂突起上に至る導電層が形成される。一般的に、導電層を形成する工程では、電極パッド上の酸化層を除去するため、Ar逆スパッタが行われる。しかし、Ar逆スパッタを行うと、それにより樹脂突起の表面の炭化が進行し、その結果、樹脂の絶縁抵抗が低下し、マイグレーションが引き起こされる可能性がある。また、上述した構造の場合、導電層は立体的形状をなす樹脂突起上を通るように形成されるので、導電層の剥離又は断線の防止を図ることが要求される。
【特許文献1】特開平2−272737号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【0004】
(1)本発明に係る半導体装置の製造方法は、
(a)電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部を含む樹脂層を形成する工程と、
(b)前記樹脂層をキュアすることにより、前記第1及び第2の樹脂部が一体化した樹脂突起を形成する工程と、
(c)前記電極パッドと電気的に接続し、かつ前記樹脂突起の上方を通る導電層を形成する工程と、
を含み、
前記(a)工程で、前記第2の樹脂部を、少なくとも前記電極パッドと前記第1の樹脂部の間に形成し、かつ前記第1の樹脂部よりも小さい幅で形成する。
【0005】
本発明によれば、複数の分離した樹脂部を形成することにより、キュア後の樹脂突起の立ち上がりを緩やかにすることができる。これにより、導電層の剥離及び断線の防止を図り、その密着性の向上を図ることができる。
【0006】
なお、本発明において、特定のAの上方にBが設けられているとは、A上に直接Bが設けられている場合と、A上に他を介してBが設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
【0007】
(2)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程において、
前記第1及び第2の樹脂部を同一マスクにより露光して形成してもよい。
【0008】
これによれば、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【0009】
(3)この半導体装置の製造方法において、
前記第2の樹脂部を前記第1の樹脂部の略全周に形成してもよい。
【0010】
これによれば、樹脂突起の略全周において立ち上がりを緩やかな傾斜面をもって形成することができる。これにより、導電層を高い密着性をもってあらゆる方向から樹脂突起上に延出させることができる。
【0011】
(4)この半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程において、
前記導電層を形成する前に、Arガスにより、前記電極パッドの表面から酸化膜を除去するとともに、前記樹脂突起の表面の炭化を進行させ、
前記導電層を形成した後に、前記導電層をマスクとして前記樹脂突起を部分的に除去してもよい。
【0012】
これによれば、Arガスにより樹脂突起の炭化が進行し、炭化層(又はプラズマ重合層)が形成されたとしても、樹脂突起の立ち上がりが緩やかに形成されているので、これにより樹脂突起を炭化層等を残すことなく容易に除去することができる。特に、炭化層等は、樹脂突起の根元部に残存しやすいが、本発明によれば樹脂突起の根元部に残存する炭化層等を容易に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0014】
(半導体装置の製造方法)
図1〜図10は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【0015】
(1)まず、図1及び図2に示すように、半導体基板10を用意する。半導体基板10は、例えば半導体ウエハである(図1参照)。その場合、半導体基板10は、半導体チップとなる複数のチップ領域12を有し、それぞれのチップ領域12の内部に集積回路14が形成されている。すなわち、半導体基板10を複数の半導体チップに分割する場合、個々の半導体チップが個々の集積回路14を有することになる。集積回路14は、少なくともトランジスタ等の能動素子を含む。チップ領域12は、例えば平面視が矩形形状(例えば長方形)をなしている。それぞれのチップ領域12には、複数の電極パッド(例えばアルミパッド)16が形成されている。複数の電極パッド16は、チップ領域12の対向する2辺(例えば長辺側の2辺)又は4辺に沿って配列されていてもよい。その場合、各辺に1列又は複数列の電極パッド16が配列されている。電極パッド16がチップ領域12の端部に配列している場合、集積回路14は、複数の電極パッド16により囲まれた中央部に形成されていてもよい。あるいは、電極パッド16は、集積回路14と平面視において重なる領域に形成されていてもよい。電極パッド16は、内部配線(図示しない)により集積回路14と電気的に接続されている。
【0016】
半導体基板10の表面(集積回路14の形成面)には、パッシベーション膜(保護膜)18が形成されている。パッシベーション膜18は、無機系又は有機系のいずれから形成してもよく、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の少なくとも1層により形成することができる。パッシベーション膜18には、電極パッド16を開口する開口部19が形成されている。開口部19により、電極パッド16の少なくとも一部(例えば中央部のみ)が露出している。なお、電極パッド16上には、多くの場合、酸化層17が形成されている。酸化層17は、例えば自然酸化によるものであってもよく、電極パッド16の表面を被覆している。
【0017】
(2)次に、図3〜図5に示すように、樹脂層30を形成する。樹脂層30は、少なくとも複数の分離した島状の第1及び第2の樹脂部32,34を含む。
【0018】
ここで、樹脂層30は、半導体基板10上(詳しくはパッシベーション膜18上)であって、平面視において電極パッド16と異なる領域に形成することができる。樹脂層30の形成領域は限定されるものではないが、例えば所定の幅を有する直線状に形成することができる。その場合、半導体基板10のチップ領域12の境界(例えば長辺方向)に沿って(例えば平行に)延出するように形成することができる。
【0019】
以下に示す例では、フォトリソグラフィ工程により、第1及び第2の樹脂部32,34をパターニングする例を説明する。
【0020】
具体的には、まず、図3に示すように、感光性の樹脂材料20を例えばスピンコート法により半導体基板10上に塗布する。その後、図4に示すように、開口部24,25を有するマスク22を半導体基板10上に配置し、光エネルギー26を照射して露光を行う。すなわち、第1及び第2の樹脂部32,34を同一マスクにより露光して形成することができる。これによれば、同一のパターニングプロセスにより第1及び第2の樹脂部32,34を形成することができるので、製造プロセスの簡略化を図ることができる。樹脂材料20として、光エネルギー26の照射部分において現像液の溶解性が減少するネガ型を使用した場合には、マスク22の開口部24,25から露出する領域のみに樹脂を残すことができる。あるいは、逆に、樹脂材料20として、光エネルギー26の照射部分において現像液の溶解性が増加するポジ型を使用した場合には、マスク22により覆われた領域のみに樹脂を残すことができる。その後、現像工程を行うことにより、図5に示すように、第1及び第2の樹脂部32,34を所定形状にパターニングすることができる。図示する例では、大きい幅の開口部24により第1の樹脂部32を形成し、小さい幅の開口部25により第2の樹脂部34を形成する。
【0021】
第1及び第2の樹脂部32,34は、半導体基板10上において相互に分離した島状に形成されている。すなわち、第1及び第2の樹脂部32,34は、相互に非接触となるように形成されている。両者の距離は、それらが一体化したキュア後の樹脂突起40の形状に応じて適宜調整することができる。
【0022】
また、第2の樹脂部34は、少なくとも電極パッド16と第1の樹脂部32の間に形成されている。図5に示す例では、第2の樹脂部34は、電極パッド16と第1の樹脂部32の間のみならず、第1の樹脂部32の両側に形成されている。例えば、半導体基板10の面の平面視において、第2の樹脂部34を第1の樹脂部32の略全周に形成することができる。その場合、第2の樹脂部34を、分離した個々が全体として第1の樹脂部32を囲むように形成してもよいし、一体的なリング形状により第1の樹脂部32を囲むように形成してもよい。
【0023】
さらに、第2の樹脂部34は、第1の樹脂部32よりも小さい幅により形成されている。詳しくは、第2の樹脂部34は、断面視(電極パッド16及び樹脂層30を含み半導体基板10の電極パッド16若しくは樹脂層30が設けられた面に垂直な面で切った断面視)において、第1の樹脂部32よりも小さい幅により形成されている。なお、上述したように同一マスクにより露光した場合には、第1及び第2の樹脂部32,34は同一高さを有する。すなわち、第2の樹脂部34の樹脂量(体積)は、第1の樹脂部32の樹脂量(体積)よりも小さいということもできる。こうして、樹脂層30を電極パッド16側において段階的に小幅にすることにより、後述のキュア後の樹脂突起40の立ち上がりを緩やかに形成することが可能になる。
【0024】
なお、樹脂層30の一例としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等の弾性樹脂材料が挙げられる。また、樹脂層30として、例えばベンゼン環及びそれが縮合した環をもつ有機化合物の芳香族化合物であるポリイミド、ポリベンゾオキサゾル、ベンゾシクロブテン又はエポキシ等を用いてもよい。なお、第1及び第2の樹脂部32,34は、同一樹脂から形成することができる。
【0025】
上述した樹脂層30のパターニング工程の変形例として、例えば液滴吐出法(例えばインクジェット法)により、第1及び第2の樹脂部32,34のうち少なくとも一方を形成してもよい。また、第1及び第2の樹脂部32,34の両方を液滴吐出法(例えばインクジェット法)により形成してもよい。これによれば、樹脂材料を必要な領域のみに直接吐出することができる。特に、インクジェット法によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することによって、高速かつインク(樹脂材料)を無駄なく経済的に設けることができる。
【0026】
(3)次に、図6に示すように、樹脂層30をキュアすることにより樹脂突起40を形成する。樹脂突起40は、上述した第1及び第2の樹脂部32,34が一体化したものである。
【0027】
詳しくは、樹脂層30を加熱することにより、溶融させ、その後に硬化収縮させる。キュア工程により、分離した島状の第1及び第2の樹脂部32,34は溶融し、隣同士が一体化する。そのとき、第2の樹脂部34は、第1の樹脂部32よりも幅が小さく相対的に樹脂量が小さいので溶融して薄くなる。その後、樹脂の硬化収縮反応が起こり、少なくとも電極パッド16側において立ち上がりが緩やかな樹脂突起40を形成することができる。キュア後の樹脂突起40は、表面が曲面となっている。樹脂突起40の断面は、例えば略半円形状をなしている。電極パッド16側における樹脂突起40の立ち上がり角度(立ち上がり近傍の傾斜面の接線とパッシベーション膜18の表面のなす角度)θは、少なくともθ<90°(最適にはθ≒0°)である。また、樹脂突起40の立ち上がりは、外方向(斜め上方向)に凹状をなすように湾曲して形成されている。上述したように、第1の樹脂部32の全周に第2の樹脂部34が形成されていれば、樹脂突起40の全周において立ち上がりを緩やかな傾斜面をもって形成することができる。これにより、後述の導電層50を高い密着性をもってあらゆる方向から樹脂突起40上に延出させることができる。なお、本明細書中で一体化とは、非接触だった第1の樹脂部と第2の樹脂部が接触しているだけの状態も含むものとする。
【0028】
(4)次に、図7〜図10に示すように、電極パッド16と電気的に接続し、かつ樹脂突起40上を通る導電層50を形成する。なお、図7は導電層の形成工程後の部分平面図であり、図8は図7のVIII−VIII線断面図であり、図9は図7のIX−IX線断面図である。
【0029】
まず、導電層50を形成する前に、電極パッド16上の酸化層17を除去する。酸化層17は、例えば、自然酸化により成長したものや、上述した樹脂のキュア工程により成長したものである。酸化層17の除去方法として、例えばArガスの逆スパッタを適用することができる。Arガスの逆スパッタを半導体基板10の全面に行うと、これにより、樹脂突起40の表面の炭化が進行する。すなわち、樹脂突起40の表面に、炭化層又は炭化層に至る前の層(例えばプラズマ重合層)が形成される。なお、本実施の形態は、このように炭化層等が形成されてしまう場合に特に有益である。
【0030】
導電層50は、スパッタ法又は蒸着法により導電箔を成膜し、その後、導電箔をパターニングすることにより形成することができる。導電層50は、例えば、下地となる第1の層(例えばTiW層)52と、その上の第2の層(例えばAu層)54とからなる複数層により形成することができる。その場合、導電箔を第1及び第2の層52,54により形成し、レジストをマスクとしてドライエッチングにより第2の層54をパターニングし、パターニング後の第2の層54をマスクとして第1の層52をパターニングしてもよい。下地となる第1の層52は、金属拡散防止、密着性向上又はメッキ層として利用することができる。変形例として、下地となる第1の層52をスパッタ法又は蒸着法により形成し、その上の第2の層54を無電解メッキ又は電気メッキにより形成することもできる。これにより、第2の層54を容易に厚く形成することができる。あるいは、導電層50は、単一層(例えばAu層)により形成することもできる。なお、導電層50の材質は上述に限られず、例えば、Cu,Ni,Pd,Al,Cr等を使用することができる。
【0031】
導電層50は、電極パッド16と樹脂突起40の間を電気的に接続する配線層である。導電層50は、少なくとも、電極パッド16上、パッシベーション膜18上、及び樹脂突起40上を通るように形成する。本実施の形態では、樹脂突起40の立ち上がりが緩やかに形成されているので、導電層50の密着性の向上を図ることができる。そのため、導電層50の剥離及び断線の防止を図ることができる。図8に示す例では、導電層50を、樹脂突起40上を超えて、電極パッド16とは反対側のパッシベーション膜18上に至るように形成する。言い換えれば、導電層50を、樹脂突起40から複数方向(例えば電極パッド16側及びそれとは反対側)に分岐してパッシベーション膜18上に至るように形成する。これにより、導電層50の下地に対するさらなる密着性の向上を図ることができる。なお、導電層50は、樹脂突起40上に形成されている電気的接続部56を有する。
【0032】
図9及び図10に示すように、導電層50を形成した後に、導電層50をマスクとして樹脂突起40を部分的に除去してもよい。これにより、例えば実装時における接着剤の排出性の向上を図ることができる。例えば、樹脂突起40が所定の幅を有する直線状に形成され、樹脂突起40の長さ方向に複数の電気的接続部56が所定間隔をあけて配列されている場合、隣接する電気的接続部56同士の間から露出する部分を異方性のエッチャント(例えばOプラズマ)58によりエッチングして除去する。その場合、パッシベーション膜18の損傷を防止するため、隣接する電気的接続部56同士の間に樹脂の残渣44を設けるようにエッチングすることができる。本実施の形態によれば、樹脂突起40の立ち上がりが緩やかになっているため、樹脂突起40の根元部に異方性のエッチャントが進入しやすくなり、これにより、樹脂突起40の根元部に形成される炭化層等を従来に増して容易に除去することができる。したがって、炭化層等に起因するマイグレーションを防止し、信頼性の向上を図ることができる。
【0033】
こうして、複数の樹脂コアバンプ60を有する半導体装置100を製造することができる。樹脂コアバンプ60は、半導体基板10の一方の面(集積回路14の形成面)に形成され、樹脂突起42と、樹脂突起42上に形成された電気的接続部56と、を含む。これによれば、樹脂突起42がコアとなりそれ自体が弾力性を有するので、実装時における応力緩和機能や電気的接続信頼性の向上を図ることができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、上述した半導体装置の製造方法の内容から導き出せる構成を有する。
【0034】
(電子機器)
図11は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。電子デバイス(例えば表示デバイス)1000は、半導体装置100を含む。図11に示す例では、電子デバイス1000は、半導体装置100と、樹脂フィルム等からなる第1の基板200と、ガラス等からなる第2の基板300と、を含む。半導体装置100は、例えば第1の基板200にフェースダウン実装され、詳しくは、第1の基板200に形成された配線パターンと、半導体装置100の樹脂コアバンプ60とが電気的に接続されている。半導体装置100と第1の基板200の間には、図示しない絶縁性接着剤(例えばNCF(Non Conductive Film)又はNCP(Non Conductive Paste))が設けられている。あるいは、第1の基板200を省略して、半導体装置100を第2の基板300にフェースダウン実装することもできる。電子デバイス1000の例としては、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、EL(Electrical Luminescence)ディスプレイなどが挙げられる。なお、図12には本発明の実施の形態に係る電子機器の一例としてノート型パーソナルコンピュータが示され、図13には携帯電話が示されている。
【0035】
(第1の変形例)
図14及び図15は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本変形例では、樹脂突起140(樹脂層130)の形態が上述と異なる。
【0036】
キュア前の樹脂層130の形成工程の詳細は上述した内容を適用することができる。例えば、図14に示す例では、第2の樹脂部134を、一体的なリング形状により、第1の樹脂部132を囲むように形成している。また、本変形例では、導電層50の形成工程前において、それぞれの電極パッド16に対していずれかの樹脂突起140が対となるように、分離した複数の樹脂層130を形成する。例えば、円柱状をなす複数の第1の樹脂部132と、それぞれの第1の樹脂部132を囲むリング状の第2の樹脂部134と、をパターニングして形成した後、キュア工程により半球状をなす複数の樹脂突起140を形成する。これによれば、樹脂突起140の全周において立ち上がりを緩やかな傾斜面をもって形成することができる。
【0037】
導電層50は、例えば、いずれか1つの電極パッド16といずれか1つの樹脂突起140の間を電気的に接続する。その場合、導電層50は、1つの樹脂突起140の一部のみを覆うように形成してもよいし、その全部を覆うように形成してもよい。前者の場合、樹脂突起140の一部が露出することにより、外力が開放されるので、実装時の電気的接続部56(導電層50)のクラックを防止することができる。
【0038】
なお、本変形例においては、樹脂突起140をあらかじめ個々に分離して形成するので、上述した例のように、導電層50を形成した後の樹脂突起の部分的な除去工程を省略することができる。
【0039】
(第2の変形例)
図16及び図17は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本変形例においても樹脂突起240(樹脂層230)の形態が上述と異なる。
【0040】
図16に示す例では、第2の樹脂部234を電極パッド16と第1の樹脂部232の間(のみ)に形成する。少なくとも、第1の樹脂部232における電極パッド16とは反対側には、第2の樹脂部234を形成しない。その後、図17に示すように、樹脂層230をキュアすることにより、電極パッド16側において立ち上がりが緩やかに形成された樹脂突起240を形成することができる。これによれば、導電層50は、少なくとも電極パッド16と樹脂突起240の間において剥離防止及び断線防止が図れるので、電気的接続不良の発生を防止することができる。また、緩やかな傾斜面が片側のみに形成されることにより、樹脂突起240の平面面積の縮小化を図ることができる。
【0041】
(その他の変形例)
本実施の形態では、キュア前において複数の分離した島状の樹脂部が形成されていればよく、例えば複数回のパターニング工程により複数の樹脂部を形成してもよい。
【0042】
また、上述した例では、第1及び第2の樹脂部により樹脂層を形成する例を示したが、本実施の形態はこれに限定されず、3つ以上の分離した島状の樹脂部を形成してもよい。その場合、電極パッドに近づくに従って小さい幅の樹脂部を含む樹脂層を形成することができる。
【0043】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【0044】
【図1】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図2】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図3】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図4】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図5】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図6】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図7】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図8】図7のVIII−VIII線断面図である。
【図9】図7のIX−IX線断面図である。
【図10】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図11】本実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。
【図12】本実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図13】本実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図14】本実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図15】本実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図16】本実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図17】本実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【0045】
10…半導体基板 16…電極パッド 18…パッシベーション膜
22…マスク 30…樹脂層 32…第1の樹脂部 34…第2の樹脂部
40…樹脂突起 50…導電層 56…電気的接続部 60…樹脂コアバンプ
100…半導体装置 130…樹脂層 132…第1の樹脂部
134…第2の樹脂部 140…樹脂突起 230…樹脂層
232…第1の樹脂部 234…第2の樹脂部 240…樹脂突起




 

 


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