発明の名称 |
強誘電体メモリ素子及びその製造方法 |
|
発行国 |
日本国特許庁(JP) |
公報種別 |
公開特許公報(A) |
公開番号 |
特開2007−13206(P2007−13206A) |
公開日 |
平成19年1月18日(2007.1.18) |
出願番号 |
特願2006−249337(P2006−249337) |
出願日 |
平成18年9月14日(2006.9.14) |
代理人 |
【識別番号】100090387 【弁理士】 【氏名又は名称】布施 行夫
|
発明者 |
下田 達也 / 西川 尚男 |
要約 |
課題 精密な加工が可能な強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供する。
解決手段 第1電極32、強誘電体膜34及び第2電極36の少なくとも一部材を形成するための材料が優先的に堆積される表面特性を有する第1の領域324と、第1の領域324に比較してキャパシタ部分を構成する少なくとも一部材を形成するための材料が堆積され難い表面特性を有する第2の領域326と、を形成する。複数の第1の領域324間に隔壁部材328を設け、第2の領域326を、隔壁部材328に形成する。第2の領域326は、第1の領域324よりも上方に形成する。キャパシタ部分を構成する少なくとも一部材を形成するための材料を付与し、第1の領域324に該部材を選択的に形成する。 |