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発明の名称 半導体製造装置、ウェハ搬送装置および半導体装置の製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−5342(P2007−5342A)
公開日 平成19年1月11日(2007.1.11)
出願番号 特願2005−180209(P2005−180209)
出願日 平成17年6月21日(2005.6.21)
代理人 【識別番号】100095728
【弁理士】
【氏名又は名称】上柳 雅誉
発明者 太田 岳児 / 今井 浩一
要約 課題
ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止できるようにする。

解決手段
半導体ウェハW3下にツィーザ34が挿入された時に、ウェハカセット41から前方にせり出した半導体ウェハW3を奥に押し込む突起部36をツィーザ34に設け、ウェハカセット41の最も奥までウェハW3を押し込んだ状態で、ツィーザ34上にウェハW3を載せることができるようにツィーザ34上に配置する。
特許請求の範囲
【請求項1】
ウェハの処理を行う縦型反応炉と、前記縦型反応炉およびウェハカセットの間でウェハを搬送するウェハ搬送装置とが設けられた半導体製造装置において、
前記縦型反応炉は、
一定の間隔を保持しながら積み重なるようにしてウェハを保持するウェハボートと、
前記ウェハボートに保持されたウェハを挿入する反応室と、
前記反応室内を加熱する加熱手段とを備え、
前記ウェハ搬送装置は、
ウェハを保持するツィーザと、
前記ツィーザを前後にスライドさせるスライダと、
前記ツィーザを回転させる回転手段と、
前記ツィーザを昇降させる昇降手段と、
前記ツィーザ上に保持されたウェハを吸着する吸着手段と、
前記ツィーザ上に設けられ、前記ツィーザ上に配置されるウェハを奥に押し込む突起部とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項2】
前記突起部は、前記ウェハカセットの最も奥までウェハを押し込んだ状態で、前記ツィーザ上に前記ウェハを載せることができるように前記ツィーザ上に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
【請求項3】
ウェハを保持するツィーザと、
前記ツィーザを前後にスライドさせるスライダと、
前記ツィーザを回転させる回転手段と、
前記ツィーザを昇降させる昇降手段と、
前記ツィーザ上に保持されたウェハを吸着する吸着手段と、
前記ツィーザ上に設けられ、前記ツィーザ上に配置されるウェハを前記ウェハカセットの奥に押し込む突起部とを備えることを特徴とするウェハ搬送装置。
【請求項4】
ウェハが水平に保持されるようにウェハカセットを設置するステップと、
ツィーザ上に形成された突起部にて前記ウェハカセットの奥にウェハを押し込みながら、前記ツィーザを前記ウェハ下に挿入させるステップと、
前記ウェハ下に挿入された前記ツィーザに前記ウェハを吸着させるステップと、
前記前記ツィーザに吸着された前記ウェハを前記ウェハカセットから引き出すステップと、
前記ウェハを保持させながら前記ツィーザを上昇させることにより、ウェハボートの空き領域に前記ウェハを持ち上げるステップと、
前記ツィーザにて保持されたウェハを前記ウェハボートの空き領域に挿入するステップと、
前記ウェハボートの空き領域に挿入されたウェハの吸着を解除するステップと、
前記ウェハの吸着が解除されたツィーザを元の位置に戻すステップと、
前記ウェハボートにて保持されたウェハを反応室に挿入するステップと、
前記反応室に挿入されたウェハの熱処理または成膜処理を行うステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は半導体製造装置、ウェハ搬送装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、ウェハカセットに収容されたウェハをウェハボートに搬送する方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【0002】
従来の半導体製造プロセスでは、半導体ウェハに対して成膜処理や拡散処理を行うために、縦型反応炉を用いる方法がある。ここで、縦型反応炉に半導体ウェハを搬入する場合、ウェハカセットに収容されたウェハをウェハ搬送ロボットにてウェハボートに移載することが行われる。
図3は、従来の半導体製造装置の概略構成を示す斜視図である。
【0003】
図3において、半導体製造装置には、ウェハボート111を搬入する反応室101が設けられ、反応室101の周囲には、反応室101内を加熱するヒータ102が設けられている。また、反応室101の下方には、反応室101内を排気する排気管104が接続されるとともに、反応室101内に反応ガスを導入するガス導入管105が接続されている。また、反応室101の下端には、ウェハボート111を出し入れするとともに、反応室101内を開閉可能なシャッタ103が設けられている。
【0004】
また、ウェハボート111には、半導体ウェハW10、W11が積み重なるようにウェハW10、W11を配列する支柱112が設けられている。そして、支柱112には、半導体ウェハW10、W11の端部にかかるように構成され、一定の間隔を空けながら半導体ウェハW10、W11を積み重ねるようにして保持する爪113が設けられている。
さらに、半導体製造装置には、ウェハカセット141に収容された半導体ウェハW12、W13をウェハボート111に移載するウェハ搬送ロボット132が設けられている。ここで、ウェハカセット141の内周面にはカセット溝142が形成されている。そして、カセット溝142は、半導体ウェハW12、W13が水平になるようにウェハカセット141を倒した時に、半導体ウェハW12、W13の端部にかかるようにして半導体ウェハW12、W13を保持し、一定の間隔を空けながら半導体ウェハW12、W13が積み重なるようにしてウェハカセット141内に半導体ウェハW12、W13を配列することができる。
【0005】
また、ウェハ搬送ロボットには、半導体ウェハW10〜W13を保持するツィーザ134が設けられ、ツィーザ134には、半導体ウェハW10〜W13をツィーザ134上に吸着する吸引孔135が配置されている。そして、ツィーザ134は、スライド溝133に沿ってツィーザ134を前後にスライドさせるスライダ132上に配置されている。そして、スライダ132は、スライダ132を水平面内で回転させるとともに、上下に昇降可能な回転盤131上に配置されている。
【0006】
そして、ウェハボート111に半導体ウェハW10、W11が移載されると、ウェハボート111が上昇することにより、ウェハボート111が反応室101内に挿入される。そして、ウェハボート111が反応室101内に挿入されると、シャッタ103が閉じられ、排気管104を介して反応室101内が排気される。そして、反応室101内が所定の真空度に達すると、ガス導入管105を介して反応ガスを反応室101内に導入しながら、半導体ウェハW10、W11の熱処理を行うことにより、半導体ウェハW10、W11に対して成膜処理や拡散処理が行われる。
【0007】
ここで、半導体ウェハW12、W13をウェハボート111に移載する場合、半導体ウェハW12、W13が垂直になるようにウェハカセット141を立てることにより、半導体ウェハW12、W13をウェハカセット141に収容しながら、半導体ウェハW12、W13を持ち運ぶことができる。そして、半導体ウェハW12、W13を反応室101に搬送する場合、半導体ウェハW12、W13が水平になるようにウェハカセット141を倒した状態で、ウェハ搬送ロボットの周囲にウェハカセット141を設置する。
【0008】
そして、ウェハ搬送ロボットの周囲にウェハカセット141が設置されると、ツィーザ134の先端がウェハカセット141の方向に向くように回転盤131が回転する。そして、ツィーザ134の先端がウェハカセット141の方向に向けられると、例えば、スライダ132が前方にスライドすることによりツィーザ134が半導体ウェハW12下に挿入される。そして、ツィーザ134が上昇して半導体ウェハW12が持ち上げられとともに、吸引孔135を介して半導体ウェハW12がツィーザ134上に吸着され半導体ウェハW12がツィーザ134上に固定される。そして、半導体ウェハW12がツィーザ134上に固定されると、スライダ132が後方にスライドすることにより半導体ウェハW12がウェハカセット141から引き出される。
【0009】
そして、半導体ウェハW12がウェハカセット141から引き出されると、ツィーザ134の先端がウェハボート111の方向に向くように回転盤131が回転する。そして、ツィーザ134の先端がウェハボート111の方向に向けられると、半導体ウェハW12を保持しながらツィーザ134が上昇することにより、ウェハボート111の空き領域に半導体ウェハW12が持ち上げられる。そして、スライダ132が前方にスライドすることによりツィーザ134がウェハボート111の空き領域に搬入され、半導体ウェハW12の吸着を解除して半導体ウェハW12をウェハボート111に設置してから、スライダ132が後方にスライドすることでツィーザ134が元の位置に戻される。
【0010】
また、例えば、特許文献1には、ボートへのウェハの移載後にウェハの位置ずれを補正してウェハの膜質を均一化するために、反射式位置ずれ検出センサをボート上に設け、反射式位置ずれ検出センサにて特定された位置ずれのあるウェハの位置を補正する方法が開示されている。
【特許文献1】特開平10−12707号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
しかしながら、半導体ウェハW12、W13をウェハボート111に移載するために、半導体ウェハW12、W13が水平になるようにウェハカセット141を倒した場合、その時の衝撃などによって、例えば、半導体ウェハW13がウェハカセット141の前方にせり出すことがある。
そして、ウェハカセット141から前方に飛び出した半導体ウェハW13をツィーザ134にて保持すると、半導体ウェハW13がツィーザ134の奥の方に寄った状態でウェハボート111に移載され、半導体ウェハW10のようにウェハボート111から前方にせり出した状態で半導体ウェハW10がウェハボート111に支持される。そして、半導体ウェハW10がウェハボート111からせり出した状態で半導体ウェハW10の成膜処理が行われると、半導体ウェハW10上での膜厚均一性が劣化するという問題があった。
【0012】
また、半導体ウェハW10のせり出し量が大き過ぎると、ウェハカセット141とウェハボート111との間で半導体ウェハW10を搬送する時に、半導体ウェハW10がウェハカセット141またはウェハボート111と接触し、半導体ウェハW10が破損することがあるという問題があった。
また、特許文献1に開示された方法では、ウェハの位置ずれを検出するために反射式位置ずれ検出センサが必要になり、装置構成の複雑化を招くとともに、ボートへのウェハの移載後にウェハの位置ずれを補正する必要があることから、スループットが低下するという問題があった。
【0013】
そこで、本発明の目的は、ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止することが可能な半導体製造装置、ウェハ搬送装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0014】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、ウェハの処理を行う縦型反応炉と、前記縦型反応炉およびウェハカセットの間でウェハを搬送するウェハ搬送装置とが設けられた半導体製造装置において、前記縦型反応炉は、一定の間隔を保持しながら積み重なるようにしてウェハを保持するウェハボートと、前記ウェハボートに保持されたウェハを挿入する反応室と、前記反応室内を加熱する加熱手段とを備え、前記ウェハ搬送装置は、ウェハを保持するツィーザと、前記ツィーザを前後にスライドさせるスライダと、前記ツィーザを回転させる回転手段と、前記ツィーザを昇降させる昇降手段と、前記ツィーザ上に保持されたウェハを吸着する吸着手段と、前記ツィーザ上に設けられ、前記ツィーザ上に配置されるウェハを前記ウェハカセットの奥に押し込む突起部とを備えることを特徴とする。
【0015】
これにより、ウェハカセットからせり出したウェハを奥に押し込みながら、ウェハカセットに収容されているウェハ下にツィーザを挿入することができる。このため、ウェハ下にツィーザを挿入するだけで、ウェハカセットからせり出したウェハを正規の位置に戻すことが可能となり、ウェハがウェハカセットからせり出している場合においても、ツィーザの正規の位置でウェハを保持しながら、ウェハを搬送することができる。このため、ウェハがウェハカセットからせり出している場合においても、ツィーザにて保持されたウェハがウェハボートにせり出して配置されることを防止することが可能となり、ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止することが可能となる。この結果、装置構成の複雑化を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハでの膜厚均一性を向上させることが可能となるとともに、ウェハの位置ずれを補正するために、ウェハボートに一旦移載されたウェハを再移動させる必要がなくなり、スループットの低下を抑制することができる。
【0016】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、前記突起部は、前記ウェハカセットの最も奥までウェハを押し込んだ状態で、前記ツィーザ上に前記ウェハを載せることができるように前記ツィーザ上に配置されていることを特徴とする。
これにより、ウェハカセットからせり出したウェハをウェハカセットの奥に押し込むことで、ウェハカセットに収容されているウェハを正規の位置に戻すことができ、ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止することができる。
【0017】
また、本発明の一態様に係るウェハ搬送装置によれば、ウェハを保持するツィーザと、前記ツィーザを前後にスライドさせるスライダと、前記ツィーザを回転させる回転手段と、前記ツィーザを昇降させる昇降手段と、前記ツィーザ上に保持されたウェハを吸着する吸着手段と、前記ツィーザ上に設けられ、前記ツィーザ上に配置されるウェハを奥に押し込む突起部とを備えることを特徴とする。
【0018】
これにより、ウェハ下にツィーザを挿入しながら、ウェハカセットからせり出したウェハを正規の位置に戻すことが可能となり、ウェハがウェハカセットからせり出している場合においても、ウェハカセットに収容されたウェハをウェハボートに移載させるために必要な工程内において、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを補正することが可能となる。このため、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを補正するために、ウェハの位置ずれを検出するセンサを設ける必要がなくなるとともに、ウェハボートに一旦移載されたウェハを再移動させる必要がなくなり、スループットの低下を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハでの膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【0019】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハが水平に保持されるようにウェハカセットを設置するステップと、ツィーザ上に形成された突起部にて前記ウェハカセットの奥にウェハを押し込みながら、前記ツィーザを前記ウェハ下に挿入させるステップと、前記ウェハ下に挿入された前記ツィーザに前記ウェハを吸着させるステップと、前記前記ツィーザに吸着された前記ウェハを前記ウェハカセットから引き出すステップと、前記ウェハを保持させながら前記ツィーザを上昇させることにより、ウェハボートの空き領域に前記ウェハを持ち上げるステップと、前記ツィーザにて保持されたウェハを前記ウェハボートの空き領域に挿入するステップと、前記ウェハボートの空き領域に挿入されたウェハの吸着を解除するステップと、前記ウェハの吸着が解除されたツィーザを元の位置に戻すステップと、前記ウェハボートにて保持されたウェハを反応室に挿入するステップと、前記反応室に挿入されたウェハの熱処理または成膜処理を行うステップとを備えることを特徴とする。
【0020】
これにより、ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止することが可能となる。このため、スループットの低下を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハでの膜厚均一性を向上させることが可能となり、半導体装置のコストダウンを図りつつ、半導体装置の品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0021】
以下、本発明の実施形態に係る半導体製造装置および半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す斜視図である。
図1において、半導体製造装置には、ウェハボート11を搬入する反応室1が設けられ、反応室1の周囲には、反応室1内を加熱するヒータ2が設けられている。また、反応室1の下方には、反応室1内を排気する排気管4が接続されるとともに、反応室1内に反応ガスを導入するガス導入管5が接続されている。また、反応室1の下端には、ウェハボート11を出し入れするとともに、反応室1内を開閉可能なシャッタ3が設けられている。
【0022】
また、ウェハボート11には、半導体ウェハW1が積み重なるようにウェハW1を配列する支柱12が設けられている。そして、支柱12には、半導体ウェハW1の端部にかかるように構成され、一定の間隔を空けながら半導体ウェハW1を積み重ねるようにして保持する爪13が設けられている。
さらに、半導体製造装置には、ウェハカセット41に収容された半導体ウェハW2、W3をウェハボート11に移載するウェハ搬送ロボット32が設けられている。ここで、ウェハカセット41の内周面にはカセット溝42が形成されている。そして、カセット溝42は、半導体ウェハW2、W3が水平になるようにウェハカセット41を倒した時に、半導体ウェハW2、W3の端部にかかるようにして半導体ウェハW2、W3を保持し、一定の間隔を空けながら半導体ウェハW2、W3が積み重なるようにしてウェハカセット41内に半導体ウェハW2、W3を配列することができる。
【0023】
また、ウェハ搬送ロボットには、半導体ウェハW1〜W3を保持するツィーザ34が設けられ、ツィーザ34には、半導体ウェハW1〜W3をツィーザ34上に吸着する吸引孔35が配置されている。そして、ツィーザ34は、スライド溝33に沿ってツィーザ34を前後にスライドさせるスライダ32上に配置されている。そして、スライダ32は、スライダ32を水平面内で回転させるとともに、上下に昇降可能な回転盤31上に配置されている。
【0024】
そして、ツィーザ34には、半導体ウェハW3下にツィーザ34が挿入された時に、ウェハカセット41から前方にせり出した半導体ウェハW3を奥に押し込む突起部36が設けられている。ここで、突起部36は、ウェハカセット41の最も奥までウェハW3を押し込んだ状態で、ツィーザ34上にウェハW3を載せることができるようにツィーザ34上に配置すること好ましい。
【0025】
そして、ウェハボート11に半導体ウェハW0、W1が移載されると、ウェハボート11が上昇することにより、ウェハボート11が反応室1内に挿入される。そして、ウェハボート11が反応室1内に挿入されると、シャッタ3が閉じられ、排気管4を介して反応室1内が排気される。そして、反応室1内が所定の真空度に達すると、ガス導入管5を介して反応ガスを反応室1内に導入しながら、半導体ウェハW0、W1の熱処理を行うことにより、半導体ウェハW0、W1に対して成膜処理や拡散処理が行われる。
【0026】
ここで、ツィーザ34上に突起部36を設けることにより、ウェハカセット41からせり出したウェハW3を奥に押し込みながら、ウェハカセット41に収容されているウェハW3下にツィーザ34を挿入することができる。このため、ウェハW3下にツィーザ34を挿入するだけで、ウェハカセット41からせり出したウェハW3を正規の位置に戻すことが可能となり、ウェハW3がウェハカセット41からせり出している場合においても、ツィーザ34の正規の位置でウェハW3を保持しながら、ウェハW3をウェハボート11に搬送することができる。このため、ウェハW3がウェハカセット41からせり出している場合においても、ツィーザ34にて保持されたウェハW3がウェハボート11にせり出して配置されることを防止することが可能となり、ウェハW3の位置ずれを検出することなく、ウェハボート11に移載されるウェハW3の位置ずれを防止することが可能となる。この結果、装置構成の複雑化を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハW3での膜厚均一性を向上させることが可能となるとともに、ウェハW3の位置ずれを補正するために、ウェハボート11に一旦移載されたウェハW3を再移動させる必要がなくなり、スループットの低下を抑制することができる。
【0027】
図2は、本発明の一実施形態に係るウェハ搬送方法を示す斜視図である。
図2(a)において、半導体ウェハW3をウェハボート11に移載する場合、半導体ウェハW3が垂直になるようにウェハカセット41を立てることにより、半導体ウェハW3をウェハカセット41に収容しながら、半導体ウェハW3を持ち運ぶことができる。そして、半導体ウェハW3を反応室1に搬送する場合、半導体ウェハW3が水平になるようにウェハカセット41を倒した状態で、ウェハ搬送ロボットの周囲にウェハカセット41を設置する。ここで、半導体ウェハW3が垂直になるようにウェハカセット41を立てると、半導体ウェハW3はウェハカセット41の最も奥に配置され、ウェハカセット41の最も奥に半導体ウェハW3が配置された状態が半導体ウェハW3の正規の位置となる。そして、半導体ウェハW3が水平になるようにウェハカセット41を倒した時の衝撃などによって、半導体ウェハW3がウェハカセット41の前方にせり出したものとする。
【0028】
そして、ウェハ搬送ロボットの周囲にウェハカセット41が設置されると、ツィーザ34の先端がウェハカセット41の方向に向くように回転盤31が回転する。そして、ツィーザ34の先端がウェハカセット41の方向に向けられると、図2(b)に示すように、スライダ32が前方にスライドすることによりツィーザ34が半導体ウェハW3下に挿入される。
【0029】
ここで、半導体ウェハW3下にツィーザ34が挿入されると、図2(c)に示すように、ツィーザ34上に形成された突起部36がウェハW3の端部に押し当てられ、ウェハカセット41からせり出したウェハW3が奥に押し込まれながら、半導体ウェハW3下にツィーザ34が配置される。そして、ウェハカセット41からせり出したウェハW3がウェハカセット41の最も奥に押し込まれると、スライダ32のスライド動作が停止し、ウェハカセット41からせり出したウェハW3がウェハカセット41の正規の位置に戻される。そして、ウェハカセット41からせり出したウェハW3がウェハカセット41の正規の位置に戻されると、ツィーザ34が上昇して半導体ウェハW3が持ち上げられとともに、吸引孔35を介して半導体ウェハW3がツィーザ34上に吸着され半導体ウェハW3がツィーザ34上に固定される。そして、半導体ウェハW3がツィーザ34上に固定されると、スライダ32が後方にスライドすることにより半導体ウェハW3がウェハカセット41から引き出される。
【0030】
そして、半導体ウェハW3がウェハカセット41から引き出されると、図2(d)に示すように、ツィーザ34の先端がウェハボート11の方向に向くように回転盤31が回転する。そして、ツィーザ34の先端がウェハボート11の方向に向けられると、半導体ウェハW3を保持しながらツィーザ34が上昇することにより、ウェハボート11の空き領域に半導体ウェハW3が持ち上げられる。そして、スライダ32が前方にスライドすることによりツィーザ34がウェハボート11の空き領域に搬入され、半導体ウェハW3の吸着を解除して半導体ウェハW3をウェハボート11に設置してから、スライダ32が後方にスライドすることでツィーザ34が元の位置に戻される。
【0031】
これにより、ウェハW3下にツィーザ34を挿入しながら、ウェハカセット41からせり出したウェハW3を正規の位置に戻すことが可能となり、ウェハW3がウェハカセット41からせり出している場合においても、ウェハカセット41に収容されたウェハW3をウェハボート11に移載させるために必要な工程内において、ウェハボート11に移載されるウェハW3の位置ずれを補正することが可能となる。このため、ウェハボート11に移載されるウェハW3の位置ずれを補正するために、ウェハW3の位置ずれを検出するセンサを設ける必要がなくなるとともに、ウェハボート11に一旦移載されたウェハW3を再移動させる必要がなくなり、スループットの低下を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハW3での膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す斜視図。
【図2】本発明の一実施形態に係るウェハ搬送方法を示す斜視図。
【図3】従来の半導体製造装置の概略構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【0033】
1 反応室、2 ヒータ、3 シャッタ、4 排気管、5 ガス導入管、11 ウェハボート、12 支柱、13 爪、31 回転盤、32 スライダ、33 スライド溝、34 ツィーザ、35 吸引孔、36 突起部、41 ウェハカセット、42 カセット溝、W0〜W3 ウェハ




 

 


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