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番号 発明の名称
201 半導体製造装置及び半導体製造方法
202 半導体装置およびその製造方法
203 半導体整流素子
204 不良原因特定システム、不良原因特定方法及び半導体装置の製造方法
205 半導体装置の製造方法
206 半導体ウェーハ及び半導体装置の製造方法
207 部品位置補正装置、部品位置補正方法、及びプログラム
208 半導体装置製造方法
209 半導体素子
210 磁気メモリ
211 高周波回路装置
212 リミッター回路
213 半導体装置
214 薄膜圧電共振器、フィルタ及び薄膜圧電共振器の製造方法
215 アンテナ装置
216 A/D変換器
217 プリドライバー回路
218 非水電解質電池および負極活物質
219 電子放出装置
220 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
221 信号処理装置
222 電子回路の製造方法
223 電力用半導体素子及びインバータ装置
224 電界効果トランジスタ及びその製造方法
225 半導体装置
226 半導体装置
227 半導体装置
228 半導体製造方法
229 基板洗浄装置および基板洗浄方法
230 半導体装置
231 半導体評価装置および半導体処理装置
232 半導体層堆積用基板、電界効果型半導体装置及び電界効果型半導体装置の製造方法。
233 半導体装置
234 半導体集積回路装置
235 増幅回路とこれを用いたフィルタ及び無線通信装置
236 乗算器及びこれを用いる無線通信装置
237 半導体集積回路装置
238 表示装置
239 表示装置
240 真空容器の製造方法、真空容器、および真空容器の製造装置
241 半導体装置
242 半導体装置の製造方法および半導体装置
243 窒化物半導体素子
244 電子回路
245 半導体装置とその製造方法
246 窒化物半導体素子
247 半導体装置
248 半導体装置およびその製造方法
249 プリント回路板、およびプリント回路板を備えた電子機器
250 半導体装置の製造方法
251 半導体装置およびその製造方法
252 記憶装置の製造方法
253 半導体装置
254 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
255 半導体装置
256 スイッチ素子、メモリ素子および磁気抵抗効果素子
257 レーザ発生器の冷却構造
258 MOS型半導体装置
259 ガス絶縁変流器
260 不揮発性半導体記憶装置
261 近接した応力ライナー膜を有する半導体装置及びその製造方法
262 液冷装置
263 BTL方式の増幅回路
264 薄膜圧電共振器及びその製造方法
265 アンテナ装置
266 半導体装置及びその製造方法
267 出来栄え予測装置、出来栄え予測方法及び半導体装置の製造方法
268 発光装置
269 不揮発性半導体メモリ装置
270 集積回路装置の製造方法
271 光結合装置
272 近接効果の計算方法、危険箇所検出装置及びプログラム
273 半導体装置及びその製造方法
274 コンバータトランス
275 ESD保護素子
276 記憶装置及びその製造方法
277 MIS型電界効果トランジスタの製造方法及び半導体記憶装置の製造方法
278 マスク基板の平坦度シミュレーションシステム
279 半導体集積回路装置
280 放電灯用冷陰極、冷陰極放電灯及び放電灯用冷陰極の製造方法
281 非水電解質電池および負極活物質
282 電気絶縁材料および注型品
283 半導体装置
284 半導体ウェハアニール処理用ボート
285 電子機器
286 半導体モジュール
287 半導体装置及びその組立方法
288 薄膜圧電共振器およびフィルタ回路
289 燃料電池
290 非水電解質電池および携帯情報機器
291 燃料電池システム
292 液漏れ検知構造
293 真空機器の製造方法および真空機器
294 燃料電池ユニット及び測定値補正方法
295 真空バルブ用接点材料及びその製造方法
296 半導体装置
297 熱電素子デバイス及び熱電モジュール
298 磁気ランダムアクセスメモリ
299 半導体装置とその製造方法
300 半導体装置

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