米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 電気素子 -> 株式会社東芝

発明の名称 高周波気密端子およびその製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−18864(P2007−18864A)
公開日 平成19年1月25日(2007.1.25)
出願番号 特願2005−198882(P2005−198882)
出願日 平成17年7月7日(2005.7.7)
代理人 【識別番号】110000235
【氏名又は名称】特許業務法人 天城国際特許事務所
発明者 小島 治夫
要約 課題
端子強度や気密性を失うことなく、高周波損失を低減できるRF気密端子を提供すること。

解決手段
高周波電流が流される中心導体と、この中心導体の周囲に、所定のギャップ部分の長さGを除いて設けられた金属めっきと、前記ギャップ部分の長さGの金属めっきを設けられた部分を含めて、前記中心導体の周囲に長さDだけ設けられた誘電体と、この誘電体を介して前記中心導体とにより同軸構造を形成する外導体と、を備えて成る。
特許請求の範囲
【請求項1】
高周波電流が流される中心導体と、
この中心導体の周囲に、所定のギャップ部分の長さGを除いて設けられた金属めっきと、
前記ギャップ部分の長さGの金属めっきを設けられた部分を含めて、前記中心導体の周囲に長さDだけ設けられた誘電体と、
この誘電体を介して前記中心導体とにより同軸部を形成する外導体と、
を備えて成ることを特徴とする高周波気密端子。
【請求項2】
前記ギャップ部分の長さGは、前記誘電体の長さDのほぼ1/20〜7/10の範囲内にあることを特徴とする請求項1記載の高周波気密端子。
【請求項3】
高周波電流が流される中心導体を製造する工程と、
この工程により製造された前記中心導体の周囲に、所定の長さGのギャップ部分を除いて金属めっきを施す工程と、
前記ギャップ部分を含み前記中心導体の周囲に、前記ギャップ部分の長さGより長いDだけ誘電体を設ける誘電体形成工程と、
この工程により設けられた前記誘電体の周囲に前記中心導体とにより同軸部を形成する外導体を設ける工程と、
を有することを特徴とする高周波気密端子の製造方法。
【請求項4】
前記誘電体形成工程は、前記ギャップ部分の長さGが、前記誘電体の長さDのほぼ1/20〜7/10の範囲内になるように、前記誘電体を形成することを特徴とする請求項3記載の高周波気密端子の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、メタルパッケージなどに設けられる高周波気密端子の構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
マイクロ波に用いられるメタルパッケージなどでは、パッケージ内部の気密性を維持することが必要であり、信号を外部に取り出す同軸ケーブルの周囲の気密性を維持するために高周波(RF)気密端子が用いられる。
【0003】
このような場合の従来のRF気密端子の断面図を図4に示す。このRF気密端子は、中心導体41と外導体42の間に誘電体43を充填し、中心導体41は誘電体43が設けられている同軸部44以外には金属めっき45が施された構造である。
【0004】
一般に、誘電体43と中心導体41の膨張率などが大きく異なると、密着性が悪くこれらの間に間隙が生じて気密性が失われることになる。この気密性の観点から、通常、誘電体43としてアルミナセラミックやガラスなどを用いることが多いが、そうすると中心導体41としては密着性、ひいては気密性の点から、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)の合金が適当とされ、使用されている。
【0005】
しかし、このような合金は導電率があまり高くなく、マイクロ波など周波数が高くなるに従って表皮効果の影響による抵抗分の増大を招き、高周波損失、つまり電力損失が大きくなるという問題がある。そこで表皮効果の影響を少なくするために、上記中心導体41の周囲に導電性の高い金めっきを施す処理がなされる(例えば特許文献1)。
【0006】
しかし、同軸構造となっている同軸部44の長さdの部分には、金属めっき45が施されていないので、この部分では電流が流れにくく高周波損失を生じてしまうという問題がある。
【特許文献1】特開平10−130881号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は上記のような従来のRF気密端子における問題点にかんがみてなされたもので、端子強度と気密性を失うことなくしかも高周波損失を低減できるRF気密端子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の請求項1によれば、高周波電流が流される中心導体と、この中心導体の周囲に、所定のギャップ部分の長さGを除いて設けられた金属めっきと、前記ギャップ部分の長さGの金属めっきを設けられた部分を含めて、前記中心導体の周囲に長さDだけ設けられた誘電体と、この誘電体を介して前記中心導体とにより同軸構造を形成する外導体と、を備えて成ることを特徴とする高周波気密端子を提供する。
【0009】
本発明の請求項3によれば、高周波電流が流される中心導体を製造する工程と、この工程により製造された前記中心導体の周囲に、所定の長さGのギャップ部分を除いて金属めっきを施す工程と、前記ギャップ部分を含み前記中心導体の周囲に、前記ギャップ部分の長さGより長いDだけ誘電体を設ける誘電体形成工程と、この工程により設けられた前記誘電体の周囲に前記中心導体とにより同軸部を形成する外導体を設ける工程と、を有することを特徴とする高周波気密端子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、端子強度と気密性を失うことなく、高周波損失を低減できるRF気密端子およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【0012】
図1に本発明の一実施形態によるRF気密端子の断面図を示し、図2にこの実施形態のRF気密端子の外観図を示す。図1は、図2に示したRF気密端子のA―A間の断面図である。
【0013】
このRF気密端子10は、高周波電流が流れる中心導体11と、この中心導体11とにより同軸構造を成す外導体12と、中心導体11と外導体12を分ける誘電体13と、この誘電体13と直接接触する部分14を除いて中心導体11の周囲に施される高導電率の金属めっき15とから構成される。
【0014】
中心導体11および、外導体12には、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)の合金を用いて製造される。中心導体11と外導体12を分ける誘電体13には、ガラスを使用し、長さ16(長さD)で充填する。また、中心導体11には、誘電体13内の所定部分14(ギャップ長G)を除き、周囲に例えば金を材料とした金属めっき15を施された構造となっている。
【0015】
上記ギャップ長Gは、短いほど中心導体11における高周波損失は少なくできる。反面、この部分が非常に短くなると、中心導体11と誘電体13との間の密着性が弱くなり、気密性が損なわれるおそれもある。
【0016】
このギャップ長Gは、種々の実験の結果、同軸部16の誘電体13の長さDの1/20〜7/10程度であれば、端子強度や気密性を低下させることなく、高周波損失を低減できることがわかった。
【0017】
このように、誘電体13内の中心導体11に金属めっきが施されていない部分14を適度の長さにして、その他の部分の周囲を金属めっき15で被覆することによって、端子強度と気密性を失うことなく、高周波損失を低減することができる。
【0018】
次に、本発明によるRF気密端子の製造方法の一実施形態を、図3に示すフローチャートを用いて説明する。まず、ステップS301で製造した中心導体11を用意する。次にステップS302で、この中心導体11の周囲に、長さGのギャップ部分14を除いて、金属めっき15を施す。上記ギャップ部分14の長さGは、前述したように誘電体13の長さDの1/20〜7/10の範囲内の長さ、例えば1/2とする。
【0019】
次に、ステップS303において、上記ギャップ部分14の長さGの中心が誘電体13の長さ方向に対して中心に一致するようにして、長さDだけ誘電体13を充填する。この後、ステップSS304において、誘電体13の外側に誘電体13と同じ長さDで外導体12を設ける。
【0020】
このようにして本実施形態で示したRF気密端子を容易に製造することができる。
【0021】
なお、金めっきが施されていないギャップ部分は、誘電体が設けられている部分の中央に必ずしも来る必要はないが、密着性の点から、ギャップ部分が誘電体の設けられている部分以内に入ることが好ましい。
【0022】
なお、金属めっきの材料としては、金のほかニッケルなどを用いることができる。金属めっきの厚さは、上述のように表皮効果の関係で決められるが、通常使用される周波数では3μm以上、好ましくは4μm以上の厚さがあれば実質的に高周波損失を非常に小さくすることができる。
【0023】
また、本発明の同軸部の誘電体の半径は、使用周波数の1/16程度であることが好ましいが、1/4より小さければ、それほど問題は生じない。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の一実施形態によるRF気密端子の断面を示す図。
【図2】本発明の一実施形態によるRF気密端子の外観を示す図。
【図3】本発明のRF気密端子の製造方法の一実施形態のフローチャートを示す図。
【図4】本発明の従来のRF気密端子の一例の断面を示す図。
【符号の説明】
【0025】
11・・・中心導体、
12・・・外導体、
13・・・誘電体、
14・・・ギャップ部分
15・・・金属めっき、
16・・・同軸部、
D・・・誘電体の長さ、
G・・・ギャップ部分の長さ。




 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013