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発明の名称 半導体検査装置および半導体装置の検査方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−12709(P2007−12709A)
公開日 平成19年1月18日(2007.1.18)
出願番号 特願2005−188668(P2005−188668)
出願日 平成17年6月28日(2005.6.28)
代理人 【識別番号】100075812
【弁理士】
【氏名又は名称】吉武 賢次
発明者 早 坂 一 人
要約 課題
試験時間の短縮を図ることが可能な半導体検査装置を提供する。

解決手段
半導体検査装置100は、下部側に接触子10が設けられ、上部側にこの接触子10と電気的に導通するパッド部11が設けられた両可動型コンタクトプローブ12を有する複数のプローブカード2と、積層された半導体ウェーハ1をそれぞれ保持するためのウェーハ保持部3と、最上部のプローブカード2の上方から圧力を印加するためのコンタクト圧印加装置4と、最下部のプローブカード2の下方に配置された最下部用プローブカード基板5と、最上部のプローブカード2のパッド部11から最下部のプローブカード2の接触子10までの導通状態を試験するためのコンタクト試験装置と、を備える。コンタクト試験により導通していないと判断された場合は、最上部のプローブカード2上面側から圧力を印加する。
特許請求の範囲
【請求項1】
下部側に半導体ウェーハを貫通する検査用貫通孔部に電気的に導通するとともに貫通するための接触子が設けられ、上部側にこの接触子と電気的に導通するとともに上部に配置された他の接触子を受け止めるためのパッド部が設けられたコンタクトプローブを有する複数のプローブカードと、
前記半導体ウェーハ上に、この半導体ウェーハの前記検査用貫通孔部を前記接触子が貫通するように前記プローブカードを配置し、このプローブカードと半導体ウェーハとの組を、前記プローブカードのパッド部がその上方に配置されるべき他のプローブカードの接触子を受け止めるように積層し、この積層された前記半導体ウェーハをそれぞれ保持するためのウェーハ保持部と、を備えることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項2】
積層された最上部の前記プローブカードの上方に配置され、このプローブカードの上方から圧力を印加するためのコンタクト圧印加装置と、
積層された最下部の前記プローブカードの下方に配置され、このプローブカードの接触子を受け止めるための最下部用プローブカード基板と、
最上部の前記プローブカードの前記パッド部から最下部の前記プローブカードの前記接触子までの導通状態を試験するためのコンタクト試験装置と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。
【請求項3】
前記ウェーハ単位で前記パッド部と前記接触子とのコンタクト試験をするためのウェーハ単位試験装置を、
さらに備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体検査装置。
【請求項4】
下部側に接触子が設けられ、上部側に前記接触子と電気的に導通するパッド部が設けられたコンタクトプローブを有するプローブカードを、半導体ウェーハに形成された半導体検査装置の検査用貫通孔部に前記接触子電気的に導通するとともに貫通するように半導体ウェーハ上に配置し、
このプローブカードと半導体ウェーハとの組を、前記プローブカードのパッド部がその上方に配置されるべき他のプローブカードの接触子を受け止めるように積層し、
この積層された前記半導体ウェーハをそれぞれ保持し、
積層された最上部の前記プローブカードの前記パッド部から最下部の前記プローブカードの前記接触子までの導通状態を試験し、
前記コンタクト試験により、前記最上部のプローブカードの前記パッド部と前記最下部のプローブカードの接触子との間が導通していない場合は、このプローブカードの上方から圧力を印加することを特徴とすることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項5】
前記最上部のプローブカードの上面側から圧力を印加した後、前記コンタクト試験を再度実施し、
最上部のプローブカードのパッド部と最下部のプローブカードの接触子との間が導通していないと判定された場合には、それぞれの前記接触子と前記パッド部の導通状態を試験し、
導通していないと判定された接触子を有するコンタクトプローブと、この接触子と導通すべきパッド部を有するコンタクトプローブとを配線することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の検査方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウェーハ上に形成された半導体装置の電気的試験を行う半導体検査装置および半導体装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体集積回路を製造する際、製造工程中に集積回路の電気的特性試験を行うことが必須とされている。この試験においては、集積回路が製造されたウェーハと外部の半導体試験装置との間に、試験信号を伝送させる伝送路を設ける必要がある。伝送路は先端に接触子を有し、この接触子を集積回路上の接続端子に接触させることによって、外部の半導体試験装置で生成された試験信号を集積回路に供給する。近年、回路の微細化および高集積化により、より効率よく試験を行うことが要求されている。
【0003】
ここで、従来技術の半導体試験装置には、試験信号を送受信するための信号送信部と、この信号送信部の信号を評価ウェーハに供給するためのプローブカードと、信号送信部とプローブカードとの間に設けられコプラナリティを向上するためのインターフェースと、評価ウェーハを固定するためのチャックと、を備えるものがある(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
上記従来技術は、一枚のウェーハの或る部分に対して、レティクルと表現される1チップのパッド座標を数十チップ分繰り返して配した単位で測定を実施する。したがって、1つの評価ウェーハの測定を実施するのに、数回コンタクトを繰り返して評価ウェーハ全面を測定する必要がある。さらに、例えば、同一ロット内の同様の集積回路を形成した複数のウェーハについても同様の試験を繰り返す必要がある。このように、試験にかかる時間が単純にその測定回数分増え、試験の効率化を図ることができないという問題があった。
【特許文献1】米国特許出願公開第2002/0163349号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、上記課題を解決するものであり、複数の半導体ウェーハに対して半導体装置の機能試験の実施のための信号のより確実な出入力を可能にし、試験時間の短縮を図ることが可能な半導体検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係る半導体検査装置は、下部側に半導体ウェーハを貫通する検査用貫通孔部に電気的に導通するとともに貫通するための接触子が設けられ、上部側にこの接触子と電気的に導通するとともに上部に配置された他の接触子を受け止めるためのパッド部が設けられたコンタクトプローブを有する複数のプローブカードと、
前記半導体ウェーハ上に、この半導体ウェーハの前記検査用貫通孔部を前記接触子が貫通するように前記プローブカードを配置し、このプローブカードと半導体ウェーハとの組を、前記プローブカードのパッド部がその上方に配置されるべき他のプローブカードの接触子を受け止めるように積層し、この積層された前記半導体ウェーハをそれぞれ保持するためのウェーハ保持部と、を備えることを特徴とする。
【0007】
本発明の一態様に係る半導体装置の検査方法は、下部側に接触子が設けられ、上部側に前記接触子と電気的に導通するパッド部が設けられたコンタクトプローブを有するプローブカードを、半導体ウェーハに形成された半導体検査装置の検査用貫通孔部に前記接触子電気的に導通するとともに貫通するように半導体ウェーハ上に配置し、
このプローブカードと半導体ウェーハとの組を、前記プローブカードのパッド部がその上方に配置されるべき他のプローブカードの接触子を受け止めるように積層し、
この積層された前記半導体ウェーハをそれぞれ保持し、
積層された最上部の前記プローブカードの前記パッド部から最下部の前記プローブカードの前記接触子までの導通状態を試験し、
前記コンタクト試験により、前記最上部のプローブカードの前記パッド部と前記最下部のプローブカードの接触子との間が導通していない場合は、このプローブカードの上方から圧力を印加することを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
本発明の一態様に係る半導体検査装置によれば、半導体ウェーハとプローブカードとを交互に積層し、この積層された各半導体ウェーハの半導体装置について一括した信号入出力を可能とするので、積層された各半導体ウェーハの半導体装置について機能試験を並行して実施することができ、試験時間の短縮を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0009】
以下、本発明を適用した各実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例1】
【0010】
図1は、本発明の実施例1に係る半導体検査装置の全体構成を示す断面図であり、図2は、本発明の実施例1に係る半導体検査装置の要部構成を示す断面図である。また、図3は、本発明の実施例1に係る半導体検査装置のプローブカードの要部構成を示す断面図および平面図である。また、図4は、本発明の実施例1に係る半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブ(ポゴピン)の要部構成を示す断面図である。
【0011】
図1に示すように、半導体検査装置100は、半導体ウェーハ1に設けられた半導体装置(図示せず)の電気的特性の検査のための信号を印加するためのプローブカード2と、積層された半導体ウェーハ1を保持するためのウェーハ保持部3と、積層された最上部のプローブカード2の上方に配置され、このプローブカード2の上方から圧力を印加するためのコンタクト圧印加装置4と、積層された最下部のプローブカード2の下方に配置された最下部用プローブカード基板5と、コンタクト試験のための信号を生成し最上部のプローブカード2に入力するためのコンタクト試験用ドライバ6と、最下部用プローブカード基板5に接続され、積層されたプローブカード2を通過した信号が入力されるコンタクト試験用コンパレータ7と、プローブカード2に接続され、ウェーハ単位でコンタクト試験をするためのウェーハ単位試験用コンパレータ8と、を備えている。
【0012】
半導体ウェーハ1は、例えば、約70μm〜80μmの厚さを有し、半導体装置の検査のために信号を出入力するための検査用貫通孔部9が貫通するように形成されている。この検査用貫通孔部9は、例えば、100μm程度の直径を有する。また、検査用貫通孔部9の内面および上部には、例えば、Al等の導電性膜が成膜されており、半導体装置と電気的に接続されている。この検査用貫通孔部9は、一般的な半導体ウェーハをエッチングしてホール構造を形成し、例えば、Al等の導電性膜を当該ホール内面および上部に形成し、当該半導体ウェーハを裏面から削って当該ホールを貫通させることにより形成することが可能である。
【0013】
なお、検査用貫通孔部9は当該半導体装置のエリア内に形成されていてもよく、また、ダイシングにより当該半導体装置から分離されるようにエリア外に形成されていてもよい。
【0014】
図1および図2に示すように、プローブカード2は、検査用貫通孔部9にコンタクトするとともに貫通するための接触子10が下部側に設けられ、この接触子10と電気的に導通するとともに上部に配置された他の接触子10を受け止めるためのパッド部11が上部側に設けられた両可動型コンタクトプローブ12を有する。
【0015】
接触子10は、針状部10aと、ふた状部10bとからなる鋲状プローブ針である。この針状部10aがパッド部11に電気信号を伝送する。ふた状部10bは、検査用貫通孔部9の上部で接触し支持されるとともに電気的に導通するようになっている。また、接触子10は、例えば、タングステン等の導電性の材質からなり、検査用貫通孔部9と接触して電気的に接続できるようになっている。また、パッド部11は、例えば、金等の導電性の材質からなり、上部に配置される接触子10と電気的に接続できるようになっている。各パッド部11には、接触子10から所定の力が加わるようになっている。
【0016】
また、プローブカード2には、ウェーハ単位試験用コンパレータ8と接続するための外周コンタクタ13が設けられている。この外周コンタクタ13は、図3に示すように、配線2aにより両可動型コンタクトプローブ12に接続され電気的に接続されている。なお、両可動型コンタクトプローブ12のパッド部11は、検査対象の半導体装置のパターン2bに合わせて配置されている。
【0017】
また、この外周コンタクタ13には、図1に概略的に示すように、リレー18が接続されている。さらに、このリレー18は、当該リレー18が接続されたプローブカード2の上下に隣接するプローブカード2の外周コンタクタ13と他のリレー18を介して配線されるようになっている。このリレー18を切り換えることにより、コンタクト不良がある半導体ウェーハ1を迂回して配線される。すなわち、コンタクト不良がある半導体ウェーハ1上に配置されたプローブカード2の両可動型コンタクトプローブ12の接触子10を信号の伝送路としないで、当該半導体ウェーハ1の上下に配置されるプローブカード2の信号を伝送すべき両可動型コンタクトプローブ12同士が導通するように配線(経路迂回処置)できるようになっている。
【0018】
そして、プローブカード2は、コンタクト試験用ドライバ6が出力した信号を全ての半導体ウェーハ1に伝送させるために、半導体ウェーハ1上に、この半導体ウェーハ1の検査用貫通孔部9を接触子10が貫通するように配置される。このプローブカード2と半導体ウェーハ1との組が、プローブカード2のパッド部11がその上方に配置されるべき他のプローブカード2の接触子10を受け止めるように積層されるようになっている。この積層された半導体ウェーハ1とプローブカード2との間の距離は、例えば、約300μm程度に調整される。
【0019】
ここで、図4に示すように、両可動型コンタクトプローブ12は、プローブカード2の本体に固定され、弾性体であるバネ部14を支持する外筒15と、接触子10が下面側に接続されるとともにバネ部14が上面側に接続され、外筒15内を上下に摺動可能な下部内筒16と、パッド部11が上面側に接続されるとともにバネ部14が下面側に接続され、外筒15内を上下に摺動可能な上部内筒17と、を有する。この下部内筒16、上部内筒17が上下に摺動可能であることにより、プローブカード2のコプラナリティを吸収できるようになっている。また、バネ部14、外筒15、下部内筒16、および上部内筒17は、導電性の材質で形成されており、所定の電気信号が伝達できるようになっている。なお、コンタクトプローブ12は、少なくとも接触子10またはパット部11の片側のみ可動するようになっていてもよい。
【0020】
ウェーハ保持部3は、既述のように、積層された半導体ウェーハ1をそれぞれ保持する。
【0021】
最下部用プローブカード基板5は、最下部のプローブカード2の接触子10を受け止め、この接触子10を伝達してきた信号をコンタクト試験用コンパレータ7に出力するようになっている。
【0022】
コンタクト試験用コンパレータ7は、コンタクト試験用ドライバ6が出力し積層されたプローブカード2を伝送してきた信号、すなわち、最下部用プローブカード基板5の出力信号に基づいて、最上部のプローブカード2のパッド部から最下部のプローブカードの接触子までの導通状態を試験する。このコンタクト試験用ドライバ6とコンタクト試験用コンパレータ7とによりコンタクト試験装置が構成される。
【0023】
上記コンタクト試験により、最上部のプローブカード2のパッド部11と最下部のプローブカード2の接触子10との間が導通していないと判定された場合は、コンタクト圧印加装置4は、最上部のプローブカード2の上面側から圧力を印加する。
【0024】
ウェーハ単位試験用コンパレータ8は、上部に積層されたプローブカード2を介して、コンタクト試験用ドライバ6が出力しパッド部11に伝達される信号の入力に基づいて、ウェーハ単位でパッド部11と接触子10とのコンタクト試験をする。このウェーハ単位試験用コンパレータ8とコンタクト試験用ドライバ6とにより、ウェーハ単位コンタクト試験装置が構成される。なお、ウェーハ単位試験用コンパレータ8は、最上層のプローブカード2に接続された場合、コンタクト試験用ドライバ6とパッド部11とが電気的に導通しているか否かを検出することができるようになっている。
【0025】
次に、上記構成を有する半導体検査装置100により半導体装置を検査するための方法について説明する。ここで、本検査方法は、積層された各半導体ウェーハの半導体装置を並行して機能試験するために、前段階として、各半導体装置に接続された検査用貫通孔部に各プローブカード2が信号を印加できる状態かを検査するとともに、コンタクト不良がある場合には、当該コンタクト不良の改善策を実施するものである。さらに、当該改善策によってもコンタクト不良が改善されない場合には、コンタクト不良のあった半導体ウェーハを迂回して配線し積層された他の半導体ウェーハの半導体装置の機能検査の実施を可能にするものである。
【0026】
以下、図面を参照しつつ本検査方法について説明する、図5は、本発明の一態様である実施例1に係る半導体装置の検査方法を示すフロー図である。
【0027】
ます、プローブカード2を、半導体ウェーハ1に形成された半導体検査装置の検査用貫通孔部9に接触子10がコンタクトするとともに貫通するように半導体ウェーハ1上に配置する(ステップS1)。
【0028】
次に、プローブカード2と半導体ウェーハ1との組を、プローブカード2のパッド部11がその上方に配置されるべき他のプローブカード2の接触子10を受け止めるように積層する(ステップS2)。
【0029】
このステップS2の後、ウェーハ保持部3により、積層された半導体ウェーハ1をそれぞれ保持する(ステップS3)。これらの半導体ウェーハ1は、プローブカード2の接触子10に負荷を与えないように位置決めされた位置に固定される。
【0030】
積層された最上部のプローブカード2のパッド部11から最下部のプローブカード2の接触子10までの導通状態をコンタクト試験する(ステップS4)。このコンタクト試験は、例えば、コンタクト試験用ドライバ6の出力信号が積層された全てのプローブカード2の接触子10とパッド部11とを伝送して、コンタクト試験用コンパレータ7により正常に検出されるか否かを判定することにより実施される。なお、コンタクト不良の原因としては、例えば、検査用貫通孔部9が正常に開口しておらず、また、半導体装置の製造工程中のアルミの成膜不良で生じた検査用貫通孔部9のアルミのつまりにより接触子10が正常に貫通できない場合等が考えられる。
【0031】
このステップS4のコンタクト試験により、コンタクト不良が検出されなかった場合には、積層された各半導体ウェーハ1の半導体装置について機能試験が並行して実施されることとなる。なお、各半導体装置に対する機能試験は、例えば、最上部のプローブカード2のパッド部11、最下部用プローブカード基板5、および各プローブカードの外周コンタクタ13から機能試験のための信号を出入力することにより実施される。
【0032】
一方、ステップS4のコンタクト試験により、最上部のプローブカード2のパッド部11と最下部のプローブカード2の接触子10との間が導通していないと判定された場合は、コンタクト圧力印加装置4により、最上部のプローブカード2の上方から圧力を印加する(ステップS5)。このコンタクト圧力印加装置4による圧力の印加は、半導体ウェーハ1およびプローブカード2を破損しない程度の値まで徐々に増加するように実施される。これにより、最上部のプローブカード2の接触子10から下方に積層された両可動型コンタクトプローブ12の弾性的に上下に摺動するパッド部11および接触子10により圧力が伝達される。そして、例えば、接触子10が正常に検査用貫通孔部9を貫通した場合には、コンタクト不良のあったパッド部11とのコンタクト不良が改善されることとなる。
【0033】
ステップS5で最上部のプローブカード2の上面側から圧力を印加した後、コンタクト試験装置によりコンタクト試験を再度実施する(ステップS6)。
【0034】
このステップS6のコンタクト試験により、コンタクト不良が検出されなかった場合には、積層された各半導体ウェーハ1の半導体装置について機能試験が並行して実施されることとなる。
【0035】
一方、最上部のプローブカード2のパッド部11と最下部のプローブカードの接触子10との間が導通していないと判定された場合には、ウェーハ単位試験装置によりそれぞれの接触子10とパッド部11の導通状態を試験する(ステップS7)。
【0036】
上記試験により、導通していないと判定された接触子10を有する両可動型コンタクトプローブ12と、この接触子10と導通すべきパッド部11を有する両可動型コンタクトプローブ12とをリレー18を切り換えることにより経路迂回処置する(ステップS8)。これにより、コンタクト不良のあった半導体ウェーハ1を迂回して配線し積層された他の半導体ウェーハ1の半導体装置の機能検査の実施ができるようになる。
【0037】
ここで、図6は、図1に示す半導体検査装置の要部の構成を示す断面図および配線図である。図6に示すように、例えば、半導体ウェーハ1a、半導体ウェーハ1bで検査用貫通孔部9が正常に開口していないために、接触子19aとパッド部20aとが導通せずコンタクト不良21が発生した場合は、リレー18aをそのままにし、リレー18bを切り換えて、半導体ウェーハ1aを挟む上下2つのプローブカード2の外周コンタクタ13を配線する。これにより、既述のように、積層された他の半導体ウェーハ1の半導体装置の機能検査の実施ができるようになっている。
【0038】
以上のように、本実施例に係る半導体検査装置によれば、半導体ウェーハとプローブカードとを交互に積層し、この積層された各半導体ウェーハの半導体装置について一括した信号入出力を可能とするとともに、例えば、半導体ウェーハに形成された検査用貫通孔部の開口に異常があり、積層されたプローブカードの電気的な導通が為されていない場合であっても、最上部のプローブカード2の上面側から圧力を印加しコンタクト不良を改善し、半導体装置について一括した信号入出力を可能とするので、積層された各半導体ウェーハの半導体装置について機能試験を並行して実施することができ、試験時間の短縮を図ることができる。
【0039】
また、上記コンタクト不良が改善されない場合であっても、コンタクト不良のある半導体ウェーハを迂回するようにプローブカードを配線することにより、少なくとも残りの半導体ウェーハに形成された各半導体装置については、機能試験のための信号の出入力を可能にすることができる。
【実施例2】
【0040】
上記実施例1では、半導体ウェーハを貫通する半導体装置の検査用貫通孔部にコンタクトするとともに貫通するための接触子が、鋲状プローブ針である場合について述べたが、本実施例では、接触子の他の構成について述べる。
【0041】
図7は、本発明の実施例2に係る半導体検査装置の要部構成を示す断面図である。また、また、図8は、本発明の実施例2に係る半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブの要部構成を示す断面図である。なお、図中、実施例1と同じ符号は、実施例1と同様の構成を示しており、図示しない他の構成は実施例1の構成と同様である。
【0042】
図7に示すように、接触子22は、円錐形プローブ針である。この円錐形プローブ針の頂部22aがパッド部11に接触し電気信号を伝送するようになっている。また、円錐形プローブ針の円錐面22bは、検査用貫通孔部9の上部で接触し支持されるとともに電気的に導通するようになっている。また、接触子22は、例えば、タングステン等の導電性の材質からなり、検査用貫通孔部9と接触して電気的に接続できるようになっている。
【0043】
ここで、図8に示すように、両可動型コンタクトプローブ23は、プローブカード2の本体に固定され、弾性体であるバネ部14を支持する外筒15と、接触子22が下面側に接続されるとともにバネ部14が上面側に接続され、外筒15内を上下に摺動可能な下部内筒16と、パッド部11が上面側に接続されるとともにバネ部14が下面側に接続され、外筒15内を上下に摺動可能な上部内筒17と、を有する。この下部内筒16、上部内筒17が上下に摺動可能であることにより、プローブカード2の垂直方向のコプラナリティを吸収できるようになっている。
【0044】
以上のように、本実施例に係る半導体検査装置によれば、実施例1と同様に、積層された各半導体ウェーハの半導体装置について機能試験を並行して実施することができ、試験時間の短縮を図ることができる。
【実施例3】
【0045】
上記実施例2では、半導体ウェーハを貫通する半導体装置の検査用貫通孔部に電気的に導通するとともに貫通するための接触子が、円錐形プローブ針である場合について述べたが、本実施例では、特に、この接触子である円錐形プローブ針に溝部を形成した構成について述べる。
【0046】
図9は、本発明の実施例3に係る半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブの要部構成を示す断面図である。図10は、図9の両可動型コンタクトプローブの接触子の断面図である。なお、図中、実施例と同じ符号は、実施例1と同様の構成を示しており、図示しない他の構成は実施例1の構成と同様である。
【0047】
図9に示すように、両可動型コンタクトプローブ25は、プローブカード2の本体に固定され、弾性体であるバネ部14を支持する外筒15と、接触子24が下面側に接続されるとともにバネ部14が上面側に接続され、外筒15内を上下に摺動可能な下部内筒16と、パッド部11が上面側に接続されるとともにバネ部14が下面側に接続され、外筒15内を上下に摺動可能な上部内筒17と、を有する。
【0048】
接触子24は、円錐形プローブ針である。この円錐形プローブ針の頂部24aがパッド部11に接触し電気信号を伝送するようになっている。また、円錐形プローブ針の円錐面24bには、頂部24aから放射状に延びた溝25が形成されている。この溝25により、スクラブして接触抵抗を下げて、検査用貫通孔部9との接触性を向上させるようになっている。また、この接触子24は、既述の実施例と同様に、例えば、タングステン等の導電性の材質からなり、検査用貫通孔部9と接触して電気的に接続できるようになっている。
【0049】
以上のように、本実施例に係る半導体検査装置によれば、実施例1と同様に、積層された各半導体ウェーハの半導体装置について機能試験を並行して実施することができ、試験時間の短縮を図ることができる。さらに、接触子である円錐形プローブ針の円錐面に溝を形成して、検査用貫通孔部との接触性を向上しているので、より確実に機能試験を実施できる。
【0050】
なお、以上の実施例においては、プローブカードと半導体ウェーハとを積層した段階で、最上部のプローブカードの上面からコンタクト圧印加装置により圧力を印加については言及していないが、積層し半導体ウェーハを保持した後、当該圧力を印加し、その後のコンタクト試験でコンタクト不良が検出された場合に、さらに高い圧力を印加するようにしてもよいのは勿論である。
【0051】
また、以上の実施例においては、両可動型コンタクトプローブの弾性体としてバネ部を用いて説明したが、他の弾性を有する機構であれば、同様の作用効果を奏することができるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】本発明の一態様である実施例1に係る半導体検査装置の全体構成を示す断面図である。
【図2】図1の半導体検査装置の半導体検査装置の要部構成を示す断面図である。
【図3】図1の半導体検査装置のプローブカードの要部構成を示す断面図および平面図である。
【図4】図1の半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブの要部構成を示す断面図である。
【図5】本発明の一態様である実施例1に係る半導体装置の検査方法を示すフロー図である。
【図6】である。
【図7】本発明の一態様である実施例2に係る半導体検査装置の要部の構成を示す断面図である。
【図8】図7の両可動型コンタクトプローブの要部の構成を示す断面図である。
【図9】本発明の一態様である実施例3に係る半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブの要部の構成を示す断面図である。
【図10】図9の両可動型コンタクトプローブの接触子の要部構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【0053】
1 半導体ウェーハ
2 プローブカード
3 ウェーハ保持部
4 コンタクト圧印加装置
5 最下部用プローブカード基板
6 コンタクト試験用ドライバ
7 コンタクト試験用コンパレータ
8 ウェーハ単位試験用コンパレータ
9 検査用貫通孔部
10 接触子
10a 針状部
10b ふた状部
11 パッド部
12 両可動型コンタクトプローブ(ポゴピン)
13 外周コンタクタ
14 バネ部
15 外筒
16 下部内筒
17 上部内筒
18、18a、18b リレー
19 接触子
20 パッド部
21 コンタクト不良
22 接触子
22a 頂部
22b 円錐面
23 両可動型コンタクトプローブ(ポゴピン)
24 接触子
24a 頂部
24b 円錐面
25 溝
100 半導体検査装置




 

 


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