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ウエハエッジ研磨用ホルダー - 松下電器産業株式会社
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発明の名称 ウエハエッジ研磨用ホルダー
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−5515(P2007−5515A)
公開日 平成19年1月11日(2007.1.11)
出願番号 特願2005−182904(P2005−182904)
出願日 平成17年6月23日(2005.6.23)
代理人 【識別番号】100086737
【弁理士】
【氏名又は名称】岡田 和秀
発明者 松本 宗之
要約 課題
ウエハエッジに対する研磨において、研磨ダメージが低く、ウエハエッジの膜剥がれ、膜残りおよび傷を生じさせない生産性が高いエッジ研磨装置を提供する。

解決手段
半導体ウエハWの周端縁であるウエハエッジ4との相対摺動によりウエハエッジ4を研磨するウエハエッジ研磨用ホルダーAにおいて、ウエハエッジ4を包み込むようにほぼ全面的な接触状態でウエハエッジ4に当接しかつ半導体ウエハWと相対摺動してウエハエッジ4を研磨する軟質研磨パッド1と、軟質研磨パッド1をその外側から支持する研磨パッド支持体2とを備える。
特許請求の範囲
【請求項1】
半導体ウエハの周端縁であるウエハエッジとの相対摺動により前記ウエハエッジを研磨するウエハエッジ研磨用ホルダーであって、
前記ウエハエッジを包み込むようにほぼ全面的な接触状態で前記ウエハエッジに当接しかつ前記半導体ウエハと相対摺動して前記ウエハエッジを研磨する軟質研磨パッドと、
前記軟質研磨パッドをその外側から支持する研磨パッド支持体とを備えたウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項2】
前記研磨パッド支持体および前記軟質研磨パッドは、4分の1の円弧状のホルダー分割体が4つ組で円環状に組み合わされるものであり、前記ホルダー分割体が保持状態半導体ウエハの中心相当位置を中心として放射方向に出退自在に構成されている請求項1に記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項3】
前記研磨パッド支持体および前記軟質研磨パッドは、2以上のホルダー分割体によって支持されている請求項1に記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項4】
前記軟質研磨パッドは、保持状態半導体ウエハの半径方向の厚みが前記半導体ウエハのベベルの幅よりも大きく構成され、内周面に前記ウエハエッジの断面形状に近似の内周溝が形成され、前記研磨パッド支持体に埋め込まれている請求項1から請求項3までのいずれかに記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項5】
前記軟質研磨パッドは、平板状に形成され、さらに裏面に軟質シートが貼り付けられた層構造の軟質シート付き軟質研磨パッドに構成され、
前記研磨パッド支持体には前記半導体ウエハとの当接で変形する前記軟質シート付き軟質研磨パッドを凹入させる逃げ空間が設けられている請求項1から請求項3までのいずれかに記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項6】
前記軟質シート付き軟質研磨パッドにおける前記軟質シートは、その肉厚内に流体を圧入封止して当該軟質シートを膨張させる流体封止用空洞を備えている請求項5に記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項7】
前記軟質シート付き軟質研磨パッドは、その非作用状態で、前記ウエハエッジの断面形状に近似の形状に凹入した形状を保っている請求項6に記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウエハの周端縁であるウエハエッジとの相対摺動によりウエハエッジを研磨するウエハエッジ研磨用ホルダーに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体ウエハは、半導体集積回路の高集積化、高機能化および高速化に伴って、大口径化が進み、ウエハ1枚当たりの収量を増加させている。ウエハ外周から一定距離にあるウエハエッジ領域の面積が増大することから、ウエハエッジ近傍の歩留まりはウエハ製造プロセスにおいてますます重要となっている。ウエハエッジは、搬送過程におけるカセットや搬送部との接触で傷や膜の剥がれが発生しやすい。また、エッチングプロセスによるダメージなども発生しやすい。そして、プロセス各工程で剥離膜が汚染源としてウエハデバイス領域に付着し、異物の原因となる。特に、密着性が低く剥がれやすい低誘電率膜や金属膜などはウエハ製造工程で除去することが重要である。この対策のために、ウエハエッジを研磨する。特にエッジ研磨の最終表面の仕上げ研磨は重要である。
【0003】
従来、ウエハエッジの研磨方法として、回転する半導体ウエハの外周面の複数箇所で異なった角度から研磨パッドを押圧して研磨する装置や、回転する研磨ドラムを半導体ウエハの側面に対して複数の箇所で異なった角度で押し当てて研磨する装置などが考案されている(特許文献1,2参照)。
【特許文献1】特開平11−104942号公報
【特許文献2】特開2001−308097号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ウエハエッジの研磨においては、ウエハエッジをベベル上面、ベベル端面、ベベル下面のように複数に分割して行う。そのため、前段階で積層された膜をウエハ基板まで研磨するなど研磨膜厚が大きい場合や、金属膜と絶縁膜の両方を含む場合に問題となる。すなわち、分割した面の継ぎ目や、ウエハのデバイス面および裏面平坦面とウエハエッジ外周端との境界面に研磨残りが発生する。その結果、ウエハエッジ領域に金属膜や絶縁膜が残留し、この残留膜が半導体ウエハの搬送中などに剥がれて異物となり、製品への異物付着による歩留り低下を引き起こす。
【0005】
図7は従来のエッジ研磨装置で認められる欠陥を示す。図7(a)はウエハエッジの断面図、図7(b)はウエハエッジの正面図である。4aはベベル上面、4bはベベル端面、4cはベベル下面、4dはウエハデバイス領域、4eはウエハエッジ領域である。研磨残り6a、傷6b、被研磨膜の膜剥がれ6cが図示されている。
【0006】
また、従来の技術においては、研磨時間の短縮のために、研磨速度を高く設定し、硬質研磨パッドを用いる。この場合、研磨液を大量に使用することから希釈循環を行うが、しばしば研磨液に被研磨物が混入する。混入が生じたときは、表面に研磨傷が生じ、後工程で形成する薄膜の被覆性が低下し、ウエハエッジからの剥がれなどの汚染源となる。
【0007】
また、配線工程においては、低誘電率膜などの密着性が低い膜に対しては低い摩擦力で研磨する。しかし、摩擦力が低いと、エッジ研磨中に対象とする被研磨膜自体が剥がれてしまう。
【0008】
本発明は、このような事情に鑑みて創作したものであり、ウエハエッジに対する研磨において、研磨ダメージが低く、膜剥がれ、膜残りおよび傷を生じさせないウエハエッジ研磨用ホルダーを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明によるウエハエッジ研磨用ホルダーは、半導体ウエハの周端縁であるウエハエッジとの相対摺動により前記ウエハエッジを研磨するウエハエッジ研磨用ホルダーであって、前記ウエハエッジを包み込むようにほぼ全面的な接触状態で前記ウエハエッジに当接しかつ前記半導体ウエハと相対摺動して前記ウエハエッジを研磨する軟質研磨パッドと、前記軟質研磨パッドをその外側から支持する研磨パッド支持体とを備えた構成とされている。半導体ウエハとウエハエッジ研磨用ホルダーとの相対摺動については、半導体ウエハを回転してもよいし、ウエハエッジ研磨用ホルダーを回転してもよいし、両者を逆方向または同方向に同時または交互に回転させてもよい。
【0010】
この構成によれば、研磨パッド支持体に支えられた軟質研磨パッドがウエハエッジを包み込むようにほぼ全面的な接触状態でウエハエッジに当接し相対摺動して研磨するので、接触面積を大きくし、単位面積当たりの研磨圧力を低いものにすることができる。それゆえ、密着性の低い被研磨膜について、低速度であっても研磨表面の膜剥がれ、研磨残り、傷を防止することができる。したがって、生産性を犠牲にせずに高度の仕上がり状態で研磨することができる。
【0011】
上記構成において、次のようないくつかの好ましい態様がある。
【0012】
前記研磨パッド支持体および前記軟質研磨パッドについて、4分の1の円弧状のホルダー分割体が4つ組で円環状に組み合わされるものであり、前記ホルダー分割体が保持状態半導体ウエハの中心相当位置を中心として放射方向に出退自在に構成されているという態様がある。4分の1円のホルダー分割体の4つを中心に近づける側に移動させることにより、半導体ウエハをそのウエハエッジで挟持する。このとき、各ホルダー分割体における軟質研磨パッドがウエハエッジに当接するが、ウエハエッジを包み込むようなほぼ全面的な接触状態で当接することになる。研磨が終了すると、中心から遠ざける側に移動させることにより、半導体ウエハを解放する。
【0013】
また、上記において、前記研磨パッド支持体および前記軟質研磨パッドは、2以上のホルダー分割体によって支持されているという態様もある。軟質研磨パッドおよび研磨パッド支持体を支持するホルダー分割体の個数については、4つと限る必要はなく、2以上の任意の個数としてよい。
【0014】
また、前記軟質研磨パッドは、保持状態半導体ウエハの半径方向の厚みが前記半導体ウエハのベベルの幅よりも大きく構成され、内周面に前記ウエハエッジの断面形状に近似の内周溝が形成され、前記研磨パッド支持体に埋め込まれているという態様がある。この場合、ウエハエッジを半導体ウエハの厚み方向で軟質研磨パッドの内周溝に位置合わせすれば、あとは相対接近でウエハエッジを軟質研磨パッドに安定的に当接させることができる。すなわち、ウエハエッジに対する軟質研磨パッドの位置合わせを行いやすい。また、均等な全面接触状態を得やすく、研磨精度を向上することができる。
【0015】
また、前記軟質研磨パッドは、平板状に形成され、さらに裏面に軟質シートが貼り付けられた層構造の軟質シート付き軟質研磨パッドに構成され、前記研磨パッド支持体には前記半導体ウエハとの当接で変形する前記軟質シート付き軟質研磨パッドを凹入させる逃げ空間が設けられているという態様もある。この場合、平板状の軟質研磨パッドを裏面の軟質シートで補強することができる。また、層構造の軟質シート付き軟質研磨パッドは研磨パッド支持体の逃げ空間に凹入することで充分に大きく変形するため、軟質シート付き軟質研磨パッドのウエハエッジに対する密着性を増大させ、研磨精度を向上することができる。
【0016】
また、前記軟質シート付き軟質研磨パッドにおける前記軟質シートは、その肉厚内に流体を圧入封止して当該軟質シートを膨張させる流体封止用空洞を備えているという態様もある。この場合、必要に応じて、流体封止用空洞に流体を圧入封止して軟質シート付き軟質研磨パッドを膨張させる。封入する流体圧または流体量を調整することにより、ウエハエッジに対する軟質シート付き軟質研磨パッドの当接圧を調整し、研磨精度を向上することができる。
【0017】
また、前記軟質シート付き軟質研磨パッドは、その非作用状態で、前記ウエハエッジの断面形状に近似の形状に凹入した形状を保っているという態様もある。これによれば、ウエハエッジへの当接の過程で、ウエハエッジに接触する直前でウエハエッジ研磨用ホルダーを停止し、流体封止用空洞における流体圧力を制御し膨張させることにより、停止状態のまま、ウエハエッジの全面に軟質研磨パッドを接触させ、ウエハエッジ全面に適正な圧力を印加することが可能となる。
【発明の効果】
【0018】
本発明によれば、軟質研磨パッドが包み込むようにほぼ全面的な接触状態でウエハエッジに当接して相対摺動し、単位面積当たりの研磨圧力を低いものにして研磨するので、密着性の低い被研磨膜についても、低圧力かつ低速度で生産性を犠牲にせずに、膜剥がれ、研磨残り、傷を防止した状態での研磨が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
以下、本発明にかかわるウエハエッジ研磨用ホルダーの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0020】
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1におけるウエハエッジ研磨用ホルダーの平面図である。
【0021】
図1において、Aはウエハエッジ研磨用ホルダー、Wは半導体ウエハである。ウエハエッジ研磨用ホルダーAは、半導体ウエハWの周端縁であるウエハエッジ4を相対摺動により研磨する軟質研磨パッド1と、軟質研磨パッド1をその外側から支持する研磨パッド支持体2から構成されている。軟質研磨パッド1および研磨パッド支持体2は、4分の1の円弧状のホルダー分割体aが4つ組で円環状に組み合わされるものであり、保持状態の半導体ウエハWの中心相当位置を中心として4つのホルダー分割体aが放射方向に出退自在に構成されている。研磨パッド支持体2は硬質の材質で成型されている。3は研磨薬液供給ノズル、qは研磨薬液供給ノズル3から半導体ウエハWに供給される研磨薬液である。研磨薬液供給ノズル3は、隣接するホルダー分割体a,aの間に配置されている。Xはウエハエッジ4に対する研磨パッド支持体2の圧力印加方向である。
【0022】
図2はウエハエッジ研磨用ホルダーAの断面を示す。図2(a)は非当接状態を示し、図2(b)は当接状態を示す。軟質研磨パッド1、研磨パッド支持体2およびウエハエッジ4の断面形状が示されている。軟質研磨パッド1は、その半導体ウエハWの半径方向の厚みが半導体ウエハWのベベルの幅(上下幅)よりも大きく構成され、内周面にウエハエッジ4の砲弾状の断面形状に近似の半円弧状の内周溝1aが形成され、研磨パッド支持体2に埋め込まれている。研磨パッド支持体2に貼り付けられた軟質研磨パッド1は、図2(b)に示すように、半導体ウエハWに加圧当接してウエハエッジ4に接触した際に、ウエハエッジ4を包み込むようなほぼ全面的な接触状態となるように構成されている。
【0023】
半導体ウエハWは、図示しない回転基盤に載置固定される。4つのホルダー分割体aを圧力印加方向Xに沿って中心に近づける側に移動させることにより、半導体ウエハWをそのウエハエッジ4で挟持する。このとき、ウエハエッジ4の全周に対して最大限の接触長さが確保される。ホルダー分割体aはそのように構成されている。4つのホルダー分割体aのそれぞれは、ウエハエッジ4への当接時に隣り合うホルダー分割体aと干渉しない範囲で設けられる。半導体ウエハWの厚み方向でウエハエッジ4を軟質研磨パッド1の内周溝1aに位置合わせすれば、あとは相対接近でウエハエッジ4を軟質研磨パッド1に安定的に当接させることができる。すなわち、ウエハエッジ4に対する軟質研磨パッド1の位置合わせがスムーズに行われる。また、各軟質研磨パッド1がウエハエッジ4を包み込むようなほぼ全面的な接触状態で当接する当接する。内周溝1aがあるので、均等な全面接触状態を得やすい。
【0024】
4つのホルダー分割体aから半導体ウエハWに対して圧力印加方向Xに沿って半径方向内側に圧力をかけた状態で、半導体ウエハWを回転し、研磨薬液供給ノズル3から研磨薬液qを半導体ウエハWに供給する。研磨薬液供給ノズル3が隣接するホルダー分割体a,a間に配置されているので、研磨薬液供給ノズル3からの軟質研磨パッド1に対する研磨薬液qの供給量を安定化することができる。半導体ウエハWのウエハエッジ4が軟質研磨パッド1に摺接し、その摺接面に研磨薬液qが浸透することにより、軟質研磨パッド1でウエハエッジ4を研磨することができる。
【0025】
この場合、研磨パッド支持体2に支えられた軟質研磨パッド1がウエハエッジ4を包み込むようにほぼ全面的な接触状態でウエハエッジ4に当接し相対摺動して研磨するので、接触面積を大きくし、単位面積当たりの研磨圧力を低いものにすることができる。それゆえ、密着性の低い被研磨膜について、低速度であっても研磨表面の膜剥がれ、研磨残り、傷を防止することができる。したがって、生産性を犠牲にせずに高度の仕上がり状態で研磨することができる。研磨精度は高いものとなる。
【0026】
ウエハ研磨後、研磨薬液供給ノズル3から純水が供給され、ウエハエッジ4の研磨表面の研磨薬液qを純水で置換する。後洗浄工程でウエハエッジ4に付着している研磨薬液qの除去を行うが、あらかじめ純水で置換しておくことにより、研磨薬液qの除去を行いやすくする。またそのとき、ウエハエッジ4だけでなく表面にもDIW(脱イオン水)を供給してウエハ表面の乾燥を防止することが望ましい。その後、半導体ウエハWの回転を停止し、並行して研磨パッド支持体2をウエハエッジ4から離間する。半導体ウエハWの回転停止のタイミングは、軟質研磨パッド1がウエハエッジ4から完全に離脱した後に設定する。これにより、ウエハエッジ4への軟質研磨パッド1からの研磨残の付着を防止でき、望ましいフローである。
【0027】
軟質研磨パッド1については、ニッタハース社から市販されているICタイプの硬質パッドよりも硬度が低く、弾性率の高いものを使用するのが好ましい。
【0028】
研磨パッド支持体2がウエハエッジ4へ印加する圧力については、0.2〜4Psi(poundper square inch:1Psi≒6.89×103 N/m2 )とするのが好ましい。この印加圧力は、被研磨膜の密着性や、被研磨表面への傷などのダメージ程度等に応じて最適化した条件で設定するものとする。例えば被研磨面が熱酸化膜や、PTEOS(プラズマTEOS:TEOS(テトラエトキシシラン))などの密着性の良い酸化膜から構成されている場合は、2Psi以上の高回転数領域が使用でき、低誘電率膜など密着性が低い場合には、2Psi以下の領域とすることが望ましい。
【0029】
半導体ウエハWの回転数については、200〜1500rpmとするのが好ましい。この回転数は、半導体ウエハWに対する軟質研磨パッド1の印加圧力および被研磨膜の密着性や、被研磨表面への傷などのダメージ程度等に応じて最適化した条件で設定するものとする。例えば被研磨面が熱酸化膜や、PTEOSなどの密着性の良い酸化膜から構成されている場合は、500rpm以上の高回転数領域が使用でき、低誘電率膜など密着性が低い場合には、1000rpm以下の領域とすることが望ましい。
【0030】
研磨薬液qの供給量については、総量で50〜500ml/minの範囲で設定するのが好ましい。
【0031】
(実施の形態2)
図3は本発明の実施の形態2におけるウエハエッジ研磨用ホルダーの断面を示す。図3(a)は非当接状態を示し、図3(b)は当接状態を示す。軟質研磨パッド1は、平板状に形成され、さらに裏面に軟質シート5が貼り付けられた層構造の軟質シート付き軟質研磨パッド1Aに構成されている。軟質シート付き軟質研磨パッド1Aは、平板状の軟質研磨パッド1を裏面の軟質シート5で補強したものである。研磨パッド支持体2には半導体ウエハWのウエハエッジ4との当接で変形する軟質シート付き軟質研磨パッド1Aを凹入させる逃げ空間2aが設けられている。2bは研磨パッド支持体2に一体的に連設されているパッド支持板であり、軟質シート付き軟質研磨パッド1Aの上下両辺部を貼り付けている。
【0032】
上下がパッド支持板2bで固定された層構造の軟質シート付き軟質研磨パッド1Aは、図3(b)に示すように、半導体ウエハWに加圧当接してウエハエッジ4に接触した際に、研磨パッド支持体2の逃げ空間2aに凹入することで充分に大きく変形する。軟質シート付き軟質研磨パッド1Aはウエハエッジ4に対して全面接触し、軟質シート付き軟質研磨パッド1Aのウエハエッジ4に対する密着性を増大させる。軟質シート付き軟質研磨パッド1Aのウエハエッジ4に対する圧力分布が実質的に均一になり、研磨精度を向上することができる。
【0033】
ウエハ基板メーカーからは、様々な仕様のウエハエッジ4が供給される。図4は半導体ウエハWのウエハエッジ4の断面を示す。エッジの形状について図4(a)は3面構成、図4(b)は多面構成(5面構成)、図4(c)はラウンド構成を示す。4aはベベル上面、4bはベベル端面、4cはベベル下面である。また、4dはウエハデバイス領域、4eはウエハエッジ領域である。
【0034】
本実施の形態においては、層構造の軟質シート付き軟質研磨パッド1Aを逃げ空間2aに大きく変形させることができるので、ウエハエッジ4の形状の様々な変化に対して、いずれにも追従することができる。すなわち、ベベル上面、ベベル端面、ベベル下面を含めて全面接触し、しかも圧力分布を均一化することができる。
【0035】
軟質シート5の厚みについて、半導体ウエハWに加圧当接してウエハエッジ4に接触した際に、軟質シート付き軟質研磨パッド1Aのウエハエッジ4に対する圧力分布が実質的に均一になるように設計するものとする。
【0036】
その他の構成および動作については、実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
【0037】
(実施の形態3)
図5は本発明の実施の形態3におけるウエハエッジ研磨用ホルダーの断面を示す。図5(a)は非当接状態を示し、図5(b)は当接状態を示す。
【0038】
層構造の本実施の形態の軟質シート付き軟質研磨パッド1Bは、平板状の軟質研磨パッド1と、その裏面に貼り付けられた肉厚な軟質シート5から構成されている。軟質シート5には、その肉厚内に流体を圧入封止して、この軟質シート5を膨張させる複数の流体封止用空洞5aが形成されている。2aは逃げ空間、2bはパッド支持板である。
【0039】
軟質シート付き軟質研磨パッド1Bを半導体ウエハWに加圧当接してウエハエッジ4に接触した際に、流体封止用空洞5aに流体(気体、液体)を圧入封止して軟質シート5を膨張させる。封入する流体圧または流体量を調整することにより、軟質シート付き軟質研磨パッド1Bはウエハエッジ4に対してベベル上面、ベベル端面、ベベル下面を含めて全面接触し、ウエハエッジ4に対する圧力分布が適正かつ均一になり、研磨精度を向上することができる。
【0040】
流体封止用空洞5aに封入する流体としては、純水、高純度窒素、CDA(クリーンドライエア)などを用いる。なお、レギュレータを介して流体圧力を制御することにより、研磨中の圧力を安定化するのが望ましい。
【0041】
その他の構成および動作については、実施の形態2と同様であるので説明を省略する。
【0042】
(実施の形態4)
図6は本発明の実施の形態4におけるウエハエッジ研磨用ホルダーの断面を示す。図6(a)は非当接状態を示し、図6(b)は当接状態を示す。
【0043】
層構造の本実施の形態の軟質シート付き軟質研磨パッド1Cは、平板状の軟質研磨パッド1と、その裏面に貼り付けられた肉厚な軟質シート5から構成され、軟質シート5には複数の流体封止用空洞5aが形成されている。本実施の形態においては、軟質シート付き軟質研磨パッド1Cは、その非作用状態で、ウエハエッジ4の断面形状に近似の半円弧状に凹入した形状を保っている。この凹入形状の結果として、内周面は半円弧状の内周溝1aとなっている。
【0044】
ウエハエッジ4への当接の過程で、ウエハエッジ4に接触する直前で4つのホルダー分割体aを停止し、流体封止用空洞5aにおける流体圧力を制御し膨張させることにより、ホルダー分割体aの停止状態のまま、ウエハエッジ4の全面に軟質研磨パッド1を接触させ、ベベル上面、ベベル端面、ベベル下面を含めて全面に適正な圧力を印加することが可能となる。
【0045】
その他の構成および動作については、実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
【0046】
ウエハメーカーから供給された半導体ウエハは、そのウエハエッジ4の形態が様々である。また、従来の技術で研磨した後の半導体ウエハでの、同様な状況にある。そこで、様々なウエハエッジ4の形態に対して、実施の形態1〜4のうちの最適な機能のものを選択することで、従来の技術では実現できなかった低圧力での高精度な研磨を実施できる。
【0047】
なお、上記では半導体ウエハWを回転させたが、ウエハエッジ研磨用ホルダーAを回転してもよいし、両者を逆方向または同方向に同時または交互に回転させてもよい。
【0048】
また、上記では軟質研磨パッド1および研磨パッド支持体2を支持するホルダー分割体aの個数を4つとしたが、この個数は任意であり、2以上であればよい。
【産業上の利用可能性】
【0049】
本発明のウエハエッジ研磨用ホルダーは、ウエハエッジを研磨する装置および方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【図1】本発明の実施の形態1におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す平面図
【図2】本発明の実施の形態1におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す要部断面図
【図3】本発明の実施の形態2におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す要部断面図
【図4】ウエハエッジの形態を示す断面図
【図5】本発明の実施の形態3におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す要部断面図
【図6】本発明の実施の形態4におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す要部断面図
【図7】従来の方法によるウエハエッジ研磨面の課題を示す断面図と正面図
【符号の説明】
【0051】
A ウエハエッジ研磨用ホルダー
a ホルダー分割体
q 研磨薬液
W 半導体ウエハ
X 圧力印加方向
1 軟質研磨パッド
1A,1B,1C 軟質シート付き軟質研磨パッド
1a 内周溝
2 研磨パッド支持体
2a 逃げ空間
2b パッド支持板
3 研磨薬液供給ノズル
4 ウエハエッジ
4a ベベル上面
4b ベベル端面
4c ベベル下面
4d ウエハデバイス領域
4e ウエハエッジ領域
5 軟質シート
5a 流体封止用空洞




 

 


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