発明の名称 |
電界電子放出源、及びそれを用いたマグネトロン及びマイクロ波応用装置 |
|
発行国 |
日本国特許庁(JP) |
公報種別 |
公開特許公報(A) |
公開番号 |
特開2007−4990(P2007−4990A) |
公開日 |
平成19年1月11日(2007.1.11) |
出願番号 |
特願2005−180117(P2005−180117) |
出願日 |
平成17年6月21日(2005.6.21) |
代理人 |
【識別番号】100097445 【弁理士】 【氏名又は名称】岩橋 文雄
|
発明者 |
米口 城弘 / 塚田 敏行 / 相賀 正幸 |
要約 |
課題 大電流を得ることのできる電子放出源、及びそれを陰極部に用いたマグネトロンを提供すること。
解決手段 熱CVD装置内に一酸化炭素及び水素ガスの混合ガスを導入し、ガス雰囲気中にてステンレスの平均結晶粒径が40μm以下である陰極基板10を450〜600℃に加熱し、陰極基板10の表面にガスを反応させることで、陰極基板10の表面に存在するNiあるいはFeなどを核として陰極基板10の表面にグラファイトナノファイバーを成長させグラファイトナノファイバー薄膜11を形成し電界電子放出源を構成した。 |