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株式会社ルネサステクノロジ - 特許情報
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番号 発明の名称
1 マスクパターン設計方法および半導体装置の製造方法
2 微細パターン形成用材料、微細パターン形成方法、それを用いた電子デバイスの製造方法、およびそれにより製造された電子デバイス
3 電子装置の製造方法
4 フォトマスク、その製造方法および半導体装置の製造方法
5 レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法
6 マスクブランクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法
7 マスク検査サポートシステム及びマスク検査サポート方法
8 マスク、マスクの製造方法およびそのマスクを用いた半導体装置の製造方法

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