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番号 発明の名称
1 ペリクル
2 大型ペリクルの製造方法
3 レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法
4 レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法
5 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
6 マイクロカプセル、その製造方法、及び電子写真用トナー組成物
7 多層レジスト法によるパターン形成方法
8 面取り大型基板及びその製造方法
9 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
10 ペリクルのペリクル容器への収納方法、ペリクルのペリクル容器からの取り出し方法、ペリクルの輸送方法および保管方法、ペリクルを収納したペリクル容器の梱包方法ならびにペリクルを収納したペリクル容器の開封方法
11 電子写真式画像形成用ゴム部材及び電子写真式画像形成装置
12 アミン化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
13 フォトマスクブランクの製造方法
14 フォトマスクブランクの製造方法
15 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
16 レジスト材料及びパターン形成方法
17 ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法
18 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
19 フォトレジスト膜のリワーク方法
20 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
21 マスクパターン被覆材料
22 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
23 レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法
24 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
25 基板及びその製造方法、並びにそれを用いたパターン形成方法
26 ポジ型フォトレジスト組成物
27 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板
28 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
29 エッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物、エッチングマスク用ケイ素含有膜、及び、これを用いた基板加工中間体及び被加工基板の加工方法
30 ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜、及び、これを用いた基板加工中間体及び被加工基板の加工方法
31 レジスト下層膜材料及びパターン形成方法
32 高熱伝導性熱定着ロール又は定着ベルト用シリコーンゴム組成物及び熱定着ロール又は定着ベルト
33 フッ素樹脂又はフッ素ラテックスコーティングシリコーンゴム定着ロールの製造方法
34 フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法
35 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
36 レジスト材料及びパターン形成方法
37 基板及びパターン形成方法
38 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
39 反射防止膜材料、基板、及びパターン形成方法
40 フォトマスクブランクおよびフォトマスク
41 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
42 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
43 レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法
44 クロムレス位相シフトマスク用フォトマスクブランク、クロムレス位相シフトマスク、及びクロムレス位相シフトマスクの製造方法
45 ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
46 フッ素樹脂系被覆定着ロールの接着耐久性を向上する方法
47 レジスト材料及びパターン形成方法

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