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発明の名称 電子部品
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−24615(P2007−24615A)
公開日 平成19年2月1日(2007.2.1)
出願番号 特願2005−205265(P2005−205265)
出願日 平成17年7月14日(2005.7.14)
代理人 【識別番号】100097445
【弁理士】
【氏名又は名称】岩橋 文雄
発明者 石田 裕昭
要約 課題
本発明は、導電性基板上に所定の電子回路を構成する電極を設け導電性基板の電位を電子回路の基準電位として用いる電子部品に関して、導電性基板上に電極を配置した電子部品における電気特性の向上を目的とする。

解決手段
特に導電性基板6による基準電位に接続する電極10を絶縁層11上と導電性基板6上に跨り形成するとともに、絶縁層11における前記導電性基板6側部分を結晶性ガラスからなる第1絶縁層13により形成し、この第1絶縁層13の上面および側面を覆う絶縁層11の上面部分および側面部分を非結晶性ガラスからなる第2絶縁層14により形成した構成とした。
特許請求の範囲
【請求項1】
電子回路の基準電位を形成する導電性基板と、この導電性基板上に部分的に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられて前記電子回路の一部を形成する第1の電極と、前記第1の電極とは分離されるとともに前記絶縁層上と前記導電性基板上に跨り設けられて前記電子回路の一部を形成する第2の電極と、前記第1、第2の電極に実装されて前記電子回路の一部を形成する実装部品とを備え、前記絶縁層における前記導電性基板側部分を結晶性ガラスからなる第1絶縁層により形成し、この第1絶縁層の上面および側面を覆う前記絶縁層の上面部分および側面部分を非結晶性ガラスからなる第2絶縁層より形成したことを特徴とする電子部品。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、導電性基板上に所定の電子回路を構成する電極を設け導電性基板の電位を電子回路の基準電位として用いる電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、このような電子部品を形成するにあたっては図4に示されるようにステンレス基板などの導電性基板1上に部分的に結晶性ガラスからなる絶縁層2を設け、絶縁層2および導電性基板1の表面に適宜電子回路を構成するための電極3が設けられていた。
【0003】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
【特許文献1】特開2003−97997号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、電極3を形成する電極ペーストには導電性基板1との密着強度を上げるためのガラス成分が含まれており、焼成時のこのガラス成分が沈下してしまい、一端を基準電位に接続する実装部品4を実装するための電極というように導電性基板1に直接的に配置する電極3においては、沈下したガラス成分が基準電位に対する電気的導通を阻害する絶縁体5として作用してしまい、結果的に電子回路における基準電位を確保することが困難なものとなり電子部品の電気特性を劣化させてしまうという問題を有していた。
【0005】
そこで、本発明はこのような問題を解決し、導電性基板上に電極を配置した電子部品における電気特性の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
そして、この目的を達成するために本発明は、特に導電性基板による基準電位に接続する電極を絶縁層上と導電性基板上に跨り形成するとともに、絶縁層における前記導電性基板側部分を結晶性ガラスからなる第1絶縁層により形成し、この第1絶縁層の上面および側面を覆う絶縁層の上面部分および側面部分を非結晶性ガラスからなる第2絶縁層により形成した構成としたのである。
【発明の効果】
【0007】
この構成によれば、基準電位を形成する導電性基板と、これに接続される電極と電気導電性を高めることができ、導電性基板上に電極を配置した電子部品における電気特性を向上させることが出来るのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
以下、本発明の一実施形態について図を用いながら説明する。
【0009】
図1は、ステンレスからなる導電性基板6上に図2に示すブリッジ回路7とこのブリッジ回路7の出力信号を処理する処理回路8とからなるセンサ回路を形成した歪みセンサを示したものであり、導電性基板6上にはブリッジ回路7を構成する歪み抵抗膜9や処理回路8を構成するチップコンデンサやチップインダクタなどの実装部品(特に図示せず)や電気配線用の電極10が適宜配置された構成となっている。なお、各電極10は回路構成する上で導電性基板6との電気絶縁性を確保すべく基本的に電極10と導電性基板6との間に絶縁層11が配置されている。
【0010】
また、この歪みセンサにおいては実装部品12を介して基準電位に接続する回路構成があり、この部分の電極構成は図3に示すように実装部品12の実装性を考慮し主回路側の電極10aと基準電位側の電極10bの両方とも高さが等しくなるように絶縁層11上に配置され、基準電位側の電極10bは絶縁層11上に設けられた実装部品12の実装部分から基準電位を形成する導電性基板6表面に跨るように延出した構成となっている。
【0011】
そして、この歪みセンサにおいてはセンサ回路を形成する電極10の電気絶縁性を確保するために設けられた絶縁層11を、導電性基板6側の第1絶縁層13とこの第1絶縁層13の上面および側面を覆う第2絶縁層14からなる2層構造とし、第1絶縁層13を結晶性ガラスで、また、第2絶縁層14を非結晶性ガラスにより形成した構成として歪みセンサの電気特性を向上させている。
【0012】
すなわち、非結晶性ガラスは加熱により再溶融するという特徴を有することから、基準電位に接続する電極10bと接する絶縁層11部分を非結晶性ガラスからなる第2絶縁層14で形成することで、電極焼成時には第2絶縁層14を形成する非結晶性ガラスが再溶融し、電極10bの焼成時に沈下して絶縁体15として作用するガラス成分が第2絶縁層14を形成する非晶質ガラス中に拡散し易くなる。
【0013】
つまり、この第2絶縁層14近傍に位置する電極領域におけるガラス成分が焼成段階において再溶融した第2絶縁層14中に拡散し易くなるため、この電極領域におけるガラス成分の密度が低減されることとなり電極10bと導電性基板6との電気導通性を高めることが出来るのである。
【0014】
なお、この一実施形態では導電性基板6を用いた電子部品として歪みセンサを挙げて説明したが、本発明はこの一実施形態に限定されるものではなく、導電性基板6上に所定の電子回路を構成する電極10を設け導電性基板6の電位を電子回路の基準電位として用いる電子部品において同様の効果を奏するものである。
【産業上の利用可能性】
【0015】
本発明は、導電性基板上に所定の電子回路を構成する電極を設け導電性基板の電位を電子回路の基準電位として用いる電子部品に関し、電子回路の電気特性を向上させることが出来るという効果を有し、特に導電性基板の歪みを利用する歪みセンサに有用である。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の一実施形態における歪みセンサを示した上面図
【図2】同歪みセンサの回路構成を示す模式図
【図3】同歪みセンサの電極構造を示す模式図
【図4】従来の電子部品における電極構造を示す模式図
【符号の説明】
【0017】
6 導電性基板
10a (第1の)電極
10b (第2の)電極
11 絶縁層
12 実装部品
13 第1絶縁層
14 第2絶縁層




 

 


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