米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 測定; 光学 -> セイコーエプソン株式会社

発明の名称 半導体装置の試験を行うための回路及び半導体装置の試験装置
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−24501(P2007−24501A)
公開日 平成19年2月1日(2007.2.1)
出願番号 特願2005−202489(P2005−202489)
出願日 平成17年7月12日(2005.7.12)
代理人 【識別番号】100110858
【弁理士】
【氏名又は名称】柳瀬 睦肇
発明者 竹村 浩一
要約 課題
半導体装置の正確且つ安定した試験を行うことができる回路等を提供する。

解決手段
LSIテスタ1は、バイパス・コンデンサ2と、テスト回路3と、充放電回路4とを具備する。充放電回路4は、抵抗11と、電圧源回路12と、スイッチ回路13、14とを具備する。スイッチ回路13は、第1制御信号がハイレベルの場合、バイパス・コンデンサ2の一端と半導体装置21の端子との間を接続し、第1制御信号がローレベルの場合、バイパス・コンデンサ2の一端と抵抗11の一端との間を接続する。スイッチ回路14は、テスト回路3から供給される第2制御信号がハイレベルの場合、抵抗11の他端とバイパス・コンデンサ2の他端との間を接続し、第2制御信号がローレベルの場合、抵抗11の他端と電圧源回路12の高電位側の端子との間を接続する。
特許請求の範囲
【請求項1】
コンデンサを利用して半導体装置の試験を行うための回路であって、
外部から供給される制御信号に従って、前記コンデンサの充電を行い、前記コンデンサの放電を行い、及び/又は、前記半導体装置の端子と前記コンデンサの一端との間を接続する、回路。
【請求項2】
一端が前記コンデンサの他端に接続された電源回路と、
抵抗と、
外部から供給される第1の制御信号が前記コンデンサの充電又は放電を行うことを表している場合に、前記コンデンサの一端と前記抵抗の一端との間を接続し、前記第1の制御信号が前記コンデンサの一端と前記半導体装置の端子との間を接続することを表している場合に、前記コンデンサの一端と前記半導体装置の端子との間を接続するための第1のスイッチ回路と、
外部から供給される第2の制御信号が前記コンデンサの充電を行うことを表している場合に、前記抵抗の他端と前記電源回路の他端との間を接続し、前記第2の制御信号が前記コンデンサの放電を行うことを表している場合に、前記コンデンサの他端と前記抵抗の他端との間を接続するための第2のスイッチ回路と、
を具備する、請求項1記載の回路。
【請求項3】
前記電源回路が、外部から供給される第3の制御信号に従って出力を可変とすることが可能である、請求項1又は2記載の回路。
【請求項4】
請求項1〜3のいずれか1項に記載の回路と、
前記回路に第1〜第3の制御信号を供給することにより前記回路を制御するとともに、前記半導体装置の端子に信号を印加し又は前記半導体装置の端子から出力される信号を受け取るテスト回路と、
を具備する、半導体装置の試験装置。
【請求項5】
前記テスト回路が、前記半導体装置の端子にハイレベルの信号を印加する前又は前記半導体装置の端子からハイレベルの信号が出力される前に前記コンデンサの充電を行うように前記回路を制御し、及び/又は、前記半導体装置の端子にローレベルの信号を印加する前又は前記半導体装置の端子からローレベルの信号が出力される前に前記コンデンサの放電を行うように前記回路を制御する、請求項4記載の半導体装置の試験装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の試験を行うための回路に関する。さらに、本発明は、そのような回路を具備する半導体装置の試験装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、半導体装置の試験において、LSIテスタと呼ばれる試験装置が用いられている。図4は、従来のLSIテスタの概要を示すブロック図である。図4に示すように、このLSIテスタ31は、一端が接地電位に接続され、テスト対象である半導体装置41の内部から発生するノイズや半導体装置41の外部から到来するノイズの吸収等を行うためのバイパス・コンデンサ32と、半導体装置41の端子に信号や電源電圧等を印加し、又は、半導体装置41の端子から信号を受け取るためのテスト回路33と、テスト回路33から供給される制御信号に従って、バイパス・コンデンサ32の他端と半導体装置41の端子との間を接続するためのリレー回路34とを具備する。
【0003】
リレー回路34が制御信号に従ってオン状態になると、バイパス・コンデンサ32の他端と半導体装置41の端子との間が接続される。このとき、バイパス・コンデンサ32に電荷が蓄積されていると、バイパス・コンデンサ32に蓄積されている電荷が半導体装置41に流れ込んでしまう過渡現象が発生し、正確且つ安定した試験が行えない場合がある。特に、バイパス・コンデンサ32の静電容量が大きかったり、バイパス・コンデンサ32の端子間電圧が高い場合には、半導体装置41の破壊を招く場合もある。
【0004】
また、リレー回路34が制御信号に従ってオン状態になり、バイパス・コンデンサ32の他端と半導体装置41の端子との間が接続されたとき、バイパス・コンデンサ32に電荷が蓄積されていないと、電荷が半導体装置41からバイパス・コンデンサ32に流れ込んでしまう過渡現象が発生し、正確且つ安定した試験が行えない場合がある。特に、バイパス・コンデンサ32の静電容量が大きい場合には、半導体装置41の破壊を招く場合もある。
【0005】
上記のような事態を防止するために、バイパス・コンデンサ32内に蓄積されている電荷と、半導体装置41に印加される信号の変化とを考慮しながらテストパターンを作成することが考えられる。しかしながら、1回の試験中におけるリレー34のオン/オフ回数は非常に多いため、テストパターンの工夫だけで上記のような事態を防止することは困難である。
【0006】
ところで、半導体デバイスの端子に接続されたコンデンサの蓄電及び放電を行う電流測定装置等が知られている(例えば、下記特許文献1参照)。
【0007】
特許文献1には、半導体デバイスの端子に生じるデバイス電流を測定する電流測定装置であって、端子と半導体デバイスのアース電位との間に接続されたコンデンサと、コンデンサを所定の電圧に蓄電するドライバと、被試験デバイスを動作させるパターン生成装置と、所定の試験時間経過後にコンデンサの端子側の電位を測定するコンパレータと、試験時間、コンデンサの容量及び電位に基づいてデバイス電流を算出する手段とを備えたことを特徴とする電流測定装置(以下、「第1の電流測定装置」という)が掲載されている。また、特許文献1には、上記第1の電流測定装置において、コンデンサを所定の電圧に設定した後にコンデンサに所定の電流を与える疑似負荷回路と、疑似負荷回路により所定の時間所定の電流をコンデンサに与えた後にコンパレータで測定した端子側の電位、及び所定の電流に基づいてコンデンサの容量を算出する手段とを更に備えたことを特徴とする電流測定装置(以下、「第2の電流測定装置」という)も掲載されている。さらに、特許文献1には、上記第2の電流測定装置において、所定の電圧は正電圧であり、所定の電流はコンデンサに蓄積された正電圧を放電させる電流であることを特徴とする電流測定装置(以下、「第3の電流測定装置」という)も掲載されている。
【0008】
上記第3の電流測定装置によれば、ドライバが、コンデンサを所定の電圧に蓄電し、疑似負荷回路が、蓄積された正電圧を放電させる電流をコンデンサに与える。これにより、コンデンサの蓄電及び放電を行うことができる。
しかしながら、上記第3の電流測定装置においては、コンデンサの蓄電及び放電を行うために、ドライバと疑似負荷回路とを必要とする。
また、上記第3の電流測定装置は、デバイス電流を測定するための装置であり、デバイス電流を算出するため、コンデンサの電位を測定するためのコンパレータを必要とする。
【0009】
【特許文献1】特開2000−171493号公報(第2頁、図4)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、半導体装置の試験のために用いられる回路であって、半導体装置の正確且つ安定した試験を行うことができ、半導体装置の破壊を防止することができる回路を提供することを第1の目的とする。また、本発明は、そのような回路を具備する半導体装置の試験装置を提供することを第2の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
以上の課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の試験を行うための回路は、コンデンサを利用して半導体装置の試験を行うための回路であって、外部から供給される制御信号に従って、コンデンサの充電を行い、コンデンサの放電を行い、及び/又は、半導体装置の端子とコンデンサの一端との間を接続する。
【0012】
この回路において、一端がコンデンサの他端に接続された電源回路と、抵抗と、外部から供給される第1の制御信号がコンデンサの充電又は放電を行うことを表している場合に、コンデンサの一端と抵抗の一端との間を接続し、第1の制御信号がコンデンサの一端と半導体装置の端子との間を接続することを表している場合に、コンデンサの一端と半導体装置の端子との間を接続するための第1のスイッチ回路と、外部から供給される第2の制御信号がコンデンサの充電を行うことを表している場合に、抵抗の他端と電源回路の他端との間を接続し、第2の制御信号がコンデンサの放電を行うことを表している場合に、コンデンサの他端と抵抗の他端との間を接続するための第2のスイッチ回路とを具備するようにしても良い。
【0013】
また、電源回路が、外部から供給される第3の制御信号に従って出力を可変とすることが可能であるようにしても良い。
【0014】
また、本発明に係る半導体装置の試験装置は、本発明に係る半導体装置の試験を行うための回路と、回路に第1〜第3の制御信号を供給することにより回路を制御するとともに、半導体装置の端子に信号又は電源電圧を印加し又は半導体装置の端子から出力される信号を受け取るテスト回路とを具備する。
【0015】
この半導体装置の試験装置において、テスト回路が、半導体装置の端子にハイレベルの信号を印加する前又は半導体装置の端子からハイレベルの信号が出力される前にコンデンサの充電を行うように回路を制御し、及び/又は、半導体装置の端子にローレベルの信号を印加する前又は半導体装置の端子からローレベルの信号が出力される前にコンデンサの放電を行うように回路を制御するようにしても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【0017】
図1は、本発明の一実施形態に係るLSIテスタの概要を示す図である。図1に示すように、このLSIテスタ1は、バイパス・コンデンサ2と、テスト回路3と、充放電回路4とを具備する。
【0018】
充放電回路4は、バイパス・コンデンサ2の充放電、及びバイパス・コンデンサ2と試験対象である半導体装置21の端子との間の接続を行うための回路であり、抵抗11と、電圧源回路12と、スイッチ回路13、14とを具備する。
【0019】
スイッチ回路13は、テスト回路3から供給される第1制御信号がハイレベルの場合、バイパス・コンデンサ2の一端と半導体装置21の端子との間を接続し、第1制御信号がローレベルの場合、バイパス・コンデンサ2の一端と抵抗11の一端との間を接続する。
【0020】
電圧源回路12の一端(ここでは、低電位側の端子)は、バイパス・コンデンサ2の他端に接続されており、さらに、バイパス・コンデンサ2の他端は、所定の電位(ここでは、接地電位VSS)に接続されている。
【0021】
スイッチ回路14は、テスト回路3から供給される第2制御信号がハイレベルの場合、抵抗11の他端とバイパス・コンデンサ2の他端との間を接続し、第2制御信号がローレベルの場合、抵抗11の他端と電圧源回路12の他端(ここでは、高電位側の端子)との間を接続する。
【0022】
次に、LSIテスタ1の動作について説明する。
まず、バイパス・コンデンサ2の充電を行う場合について説明する。この場合、テスト回路3は、ローレベルの第1制御信号をスイッチ回路13に供給するとともに、ローレベルの第2制御信号をスイッチ回路13に供給する。
【0023】
スイッチ回路13は、ローレベルの第1制御信号の供給を受けて、バイパス・コンデンサ2の一端と抵抗11の一端との間を接続する。また、スイッチ回路14は、ローレベルの第2制御信号の供給を受けて、抵抗11の他端と電圧源回路12の他端との間を接続する。
【0024】
これにより、図1中の矢印に示すように、電圧源回路12〜スイッチ回路14〜抵抗11〜スイッチ回路13〜バイパス・コンデンサ2〜電圧源回路12の経路で電流が流れ、バイパス・コンデンサ2の充電が行われる。
【0025】
その後、テスト回路3は、ハイレベルの第1制御信号をスイッチ回路13に供給する。
スイッチ回路13は、ハイレベルの第1制御信号の供給を受けて、図2に示すように、バイパス・コンデンサ2の一端と半導体装置21の端子との間を接続する。なお、このとき、第2制御信号は、ハイレベル、ローレベルのいずれであっても良い。
【0026】
このバイパス・コンデンサ2の充電は、例えば、テスト回路3が半導体装置21の端子にハイレベルの信号(電源電位を含む)を印加する前又は半導体装置21からハイレベルの信号が出力される前に行うと効果的である。すなわち、図1に示すように、バイパス・コンデンサ2の充電が行われた後、図2において、テスト回路3が半導体装置21の端子にハイレベルの信号を印加し又は半導体装置21からハイレベルの信号が出力された場合、バイパス・コンデンサ2が充電されているので、テスト回路3又は半導体装置21からバイパス・コンデンサ2に電荷が流入するという過渡現象が生ずることがない。従って、半導体装置21の正確且つ安定した試験を行うことができ、半導体装置の破壊を防止することができる。
【0027】
次に、バイパス・コンデンサ2の放電を行う場合について説明する。この場合、テスト回路3は、ローレベルの第1制御信号をスイッチ回路13に供給するとともに、ハイレベルの第2制御信号をスイッチ回路13に供給する。
【0028】
スイッチ回路13は、ローレベルの第1制御信号の供給を受けて、バイパス・コンデンサ2の一端と抵抗11の一端との間を接続する。また、スイッチ回路14は、ハイレベルの第2制御信号の供給を受けて、抵抗11の他端とバイパス・コンデンサ2の他端との間を接続する。
【0029】
これにより、図3中の矢印に示すように、バイパス・コンデンサ2〜スイッチ回路13〜抵抗11〜スイッチ回路14〜バイパス・コンデンサ2の経路で電流が流れ、バイパス・コンデンサ2の放電が行われる。
【0030】
その後、テスト回路3は、ハイレベルの第1制御信号をスイッチ回路13に供給する。
スイッチ回路13は、ハイレベルの第1制御信号の供給を受けて、バイパス・コンデンサ2の一端と半導体装置21の端子との間を接続する。なお、このとき、第2制御信号は、ハイレベル、ローレベルのいずれであっても良い。
【0031】
このバイパス・コンデンサ2の放電は、例えば、テスト回路3が半導体装置21の端子にローレベルの信号(接地電位を含む)を印加する前又は半導体装置21からローレベルの信号が出力される前に行うと効果的である。すなわち、バイパス・コンデンサ2の放電が行われた後、テスト回路3が半導体装置21の端子にローレベルの信号を印加し又は半導体装置21からローレベルの信号が出力された場合、バイパス・コンデンサ2が放電されているので、バイパス・コンデンサ2からテスト回路3又は半導体装置21に電荷が流入するという過渡現象が生ずることがない。従って、半導体装置21の正確且つ安定した試験を行うことができ、半導体装置の破壊を防止することができる。
【0032】
なお、電圧源回路12が、テスト回路3から供給される第3の制御信号に従って出力電圧を可変とするようにしても良い。これにより、充電時(図1参照)におけるバイパス・コンデンサ2の端子間電圧を所望の電圧とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【0033】
本発明は、半導体装置の試験を行うための回路において利用可能である。この回路は、半導体装置の試験装置において利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】本発明の一実施形態としてのLSIテスタを示すブロック図。
【図2】本発明の一実施形態としてのLSIテスタを示すブロック図。
【図3】本発明の一実施形態としてのLSIテスタを示すブロック図。
【図4】従来のLSIテスタを示すブロック図。
【符号の説明】
【0035】
1、31 LSIテスタ、 2、32 バイパス・コンデンサ、 3、33 テスト回路、 4 充放電回路、 11 抵抗、 12 電圧源回路、 13、14 スイッチ回路、 21 半導体装置、 34 リレー回路




 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013