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発明の名称 平面発光装置
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2007−179752(P2007−179752A)
公開日 平成19年7月12日(2007.7.12)
出願番号 特願2005−373581(P2005−373581)
出願日 平成17年12月26日(2005.12.26)
代理人 【識別番号】100084375
【弁理士】
【氏名又は名称】板谷 康夫
発明者 上津 智宏 / 西川 尚之
要約 課題
平面発光装置において、導光板の出射面の輝度の均一性を容易に実現する。

解決手段
平面発光装置1の導光板4の反射面42には、多数の断面略V字型のV溝45が形成されている。導光板4を長さL方向にN個の領域に分割したとき、任意の位置Xの領域における単位幅当りのV溝45の反射面積Sは、概ね次式を満たしている。
特許請求の範囲
【請求項1】
光を放射する光源と、光を反射する反射板と、前記光源から放射された光を出射する出射面を有すると共に前記出射面から出射する光を制御する光制御手段を前記出射面と反対の面に有する導光板と、を備える平面発光装置において、
前記光制御手段は、複数の溝により構成されており、
前記導光板を長さ方向にN個の領域に分割したとき、任意の位置Xの領域における単位幅当りの前記溝の反射面積Sは、概ね次式を満たし、前記光源から離れるにつれて漸次大きくなっていることを特徴とする平面発光装置。
【数1】


【請求項2】
最も非光源側の領域における単位幅当りの溝の反射面積Smaxと、全ての領域における単位幅当りの溝の平均溝反射面積Saveが、次式の条件を満たすことを特徴とする請求項1に記載の平面発光装置。
【数2】


【請求項3】
全ての領域における単位幅当りの溝の総反射面積ΣSと前記導光板の厚みT及び長さLの関係が次式の条件を満たすことを特徴とする請求項2記載の平面発光装置。
【数3】


発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示用バックライトなどに用いることが可能な平面発光装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来から、導光板を用いて光を平面状に発光させる平面発光装置がある。この平面発光装置は、光源から放射した光を導光板により導光し、その光を導光板の平面状に形成された出射面から出射させることにより、光を平面状に発光させている。また、平面発光装置は、導光板の出射面と反対の面から漏れた光を反射板により反射して再び導光板に入射させるようにしている。導光板の出射面と反対の面には、出射面から出射する光を制御する断面略V字型の多数の微細な溝から成る光制御手段が形成されている。
【0003】
このような平面発光装置は、光制御手段を成す溝を光源から遠ざかるにつれて大きくなるように形成することにより、導光板の出射面の輝度分布を全面に亘って均一にするようにしたものが知られている(例えば特許文献1参照)。
【特許文献1】特開平7−168026号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上述した特許文献1に記載の平面発光装置においては、溝の大きさが規定されておらず、また、どのような規則に従って溝を光源から遠ざかるにつれて大きくするのかが記述されていない。導光板の出射面(すなわち平面発光装置の発光面)の輝度の均一性は、溝の設計に大きく依存するため、単純に溝を光源から遠ざかるにつれて大きくしただけでは、光が均一に出射されず、出射面の輝度の均一性が満たされない。このため、従来では、出射面の輝度の均一性を得るために、輝度の均一性を満たす性能が得られるまで試行錯誤的に溝の設計を繰り返していた。
【0005】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、導光板に形成する溝の反射面積と、導光板の形状と、導光板の出射面から出射される光量との関係を明らかにし、溝の反射面積を幾何光学的計算方法を用いて配分することにより、溝の設計を試行錯誤的に行うことなく、容易に輝度の均一性を満たすことができる平面発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するために請求項1の発明は、光を放射する光源と、光を反射する反射板と、前記光源から放射された光を出射する出射面を有すると共に前記出射面から出射する光を制御する光制御手段を前記出射面と反対の面に有する導光板と、を備える平面発光装置において、前記光制御手段は、複数の溝により構成されており、前記導光板を長さ方向にN個の領域に分割したとき、任意の位置Xの領域における単位幅当りの前記溝の反射面積Sは、概ね次式を満たし、前記光源から離れるにつれて漸次大きくなっているものである。
【数4】


【0007】
請求項2の発明は、請求項1に記載の平面発光装置において、最も非光源側の領域における単位幅当りの溝の反射面積Smaxと、全ての領域における単位幅当りの溝の平均溝反射面積Saveが、次式の条件を満たすものである。
【数5】


【0008】
請求項3の発明は、請求項2に記載の平面発光装置において、全ての領域における単位幅当りの溝の総反射面積ΣSと前記導光板の厚みT及び長さLの関係が次式の条件を満たすものである。
【数6】


【発明の効果】
【0009】
請求項1の発明によれば、溝の反射面積が概ね(1)式を満たすことにより、導光板の出射面の各領域から出射される光の量は概ね同じになり、導光板の出射面全体の輝度は均一になる。(1)式は、導光板の出射面から出射される光の量が出射面の全面に亘って均一になるように、幾何光学的計算方法により求めた数式であり、従って、溝の反射面積が概ね(1)式を満たすように溝を設計することにより、従来のように試行錯誤的に溝の設計を繰り返す必要がなく、容易に輝度の均一性を満たす性能を得ることができる。しかも、溝の反射面積は、(1)式に基づいて、導光板を長さ方向に有限個の領域に分割して各領域毎に離散的に設定すればよいため、輝度均一化のためのチューニングを直感的かつ容易に行うことができる。
【0010】
請求項2の発明によれば、(2)式の条件を満たすことにより、導光板の光源側と非光源側の輝度のバランスがさらに良くなり、より輝度の均一性の高い性能を得ることができる。
【0011】
請求項3の発明によれば、(3)式の条件を満たすことにより、導光板の出射面全体から出射される光の量が最大になり、輝度均一性の高い性能を得つつ導光板の出射面全体の輝度を最大に高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
以下、本発明を具体化した実施形態による平面発光装置について図面を参照して説明する。
<第1の実施形態>
まず、第1の実施形態について説明する。図1、図2は、第1の実施形態に係る平面発光装置の構成を示す。平面発光装置1は、光を平面状に発光する装置であり、例えば液晶表示用バックライトなどに用いられる。この平面発光装置1は、光を放射する複数の光源2と、光を反射する反射板3と、光源2から放射された光を導光して平面状に発光する導光板4とを備えている。
【0013】
複数の光源2は、1つのプリント基板6に1列に等間隔に配列されて実装されている。各光源2は白色LEDから成っている。反射板3は、金属板により形成されている。この反射板3は、光源2、導光板4を収納する筐体10の一部を兼ねている。つまり、筐体10は、金属板を折り曲げ加工して形成されており、その一部(筐体10の底面)が反射板3を兼ねている。
【0014】
導光板4は、樹脂製の透光性部材により形成されている。この導光板4は、長さL、幅W、厚みTの略矩形の平板状をしており、光が入射する入射面41と、光を導光・反射する反射面42と、光を出射する出射面43とを有している。反射面42と出射面43は相互に対向しており、各々、略平面状に形成されている。また、導光板4は、反射面42(すなわち出射面43と反対の面)に光制御手段44を有している。この光制御手段44は、出射面43から出射する光を制御するものであり、断面略V字型の多数の微細なV溝45から成っている。V溝45は、反射面42のほぼ全面に形成されており、入射面41と平行に伸びている。
【0015】
上記導光板4は、反射面42が反射板3と向かい合うように、筐体10に組み込まれ、上記プリント基板6に実装された光源2は、導光板4の入射面41に向けて光を放射するように、筐体10に組み込まれる。
【0016】
導光板4及び光源2を筐体10に組み込んだ状態において、光源2から放射された光は、導光板4の入射面41から導光板4内に入射し、導光板4内に導光されると共に導光板4の反射面42(V溝45から成る光制御手段44を含む)で反射されて、導光板4の出射面43から出射される。また、反射面42から漏れ出た光は、反射板3により反射されて、再び導光板4内に入射し、出射面43から出射される。つまり、平面発光装置1は、光源2から放射された光を導光板4の平面状に形成された出射面43から出射することにより、平面状に発光する。
【0017】
図3は、上記V溝45の構成を示す。上述のように、導光板4の反射面42には多数のV溝45が形成されている。これらのV溝45は、ピッチPで形成されており、各V溝45は、入光側斜面51と非入光側斜面52を有している。入光側斜面51の面積と非入光側斜面52の面積の和をV溝45の反射面積と呼ぶ。任意の1つのV溝45について、V溝45の深さをD、V溝45の入光側頂角(入光側斜面51と反射面42の法線との成す角度)をθ、V溝45の非入光側頂角(非入光側斜面52と反射面42の法線との成す角度)をθとすると、任意の1つのV溝45についての導光板4の単位幅当りの反射面積Uは、D/cosθ+D/cosθと表される。従って、導光板4に形成されている全てのV溝45についての導光板4の単位幅当りの総反射面積ΣSは、次の(4)式のように表される。但し、入光側頂角θ1及び非入光側頂角θ2は、全てのV溝45において同じであるとしている。
【数7】


【0018】
これらのV溝45は、次の(1)式を概ね満たすように形成されている。
【数8】


【0019】
つまり、導光板4を長さ方向にN個の同じ大きさの領域R(k=1,2,・・・,N)に分割して、任意の位置Xの領域Rにおける単位幅当りのV溝45の反射面積Sを考えたとき、その反射面積Sは、上記(1)式を満たして、光源2から離れるにつれて漸次大きくなっている。分割数Nは、特に限定されるものではないが8〜20程度が好ましい。
【0020】
なお、任意の位置Xの領域Rにおける単位幅当りのV溝45の反射面積Sとは、その領域R内にある全てのV溝45についての単位幅当りの反射面積Uの総和のことである。領域Rにおける単位幅当りのV溝45の反射面積SをS、領域Rにおける単位幅当りのV溝45の反射面積SをS、・・・、領域Rにおける単位幅当りのV溝45の反射面積SをSとすると、S+S+・・・+S=ΣSとなる。
【0021】
上記(1)式は、導光板4の出射面43から出射される光の量が出射面43の全面に亘って均一になるように、幾何光学的計算方法を用いて導出したものである。従って、V溝45が(1)式を概ね満たすように形成されていることにより、導光板4の出射面43の各領域から出射される光の量は概ね同じになり、導光板4の出射面43全体の輝度(すなわち平面発光装置1の発光面の輝度)は均一になる。
【0022】
この(1)式は、以下のようにして導出される。すなわち、導光板4を長さ方向にN個の同じ大きさの領域R(k=1,2,・・・,N)に分割し、導光板4の入射面41から入射した光が各領域Rの出射面43から均等に出射するように、各領域RのV溝45の反射面積Sを設定することを考える。なお、簡単のために、導光板4を10分割(N=10)し、入射面41からEの量の光が入射し、また、導光板4に光量損失はなく、入射面41から入射したEの量の光は、全て出射面43から出射するものとする。
【0023】
この場合、最も入射面41に近い(光源2に近い)領域Rには、Eの量の光が入射する。領域R〜R10は10分割されているため、各領域R〜R10の出射面43から光を均等に出射させるためには、領域RのV溝45の反射面積Sは、領域Rに入射する光の1/10を領域Rの出射面43から出射させるように設定する必要がある。
【0024】
そして、2番目に入射面41に近い領域Rには、既に領域Rの出射面43からEの1/10の量の光が出射しているため、残りの光であるEの9/10の量の光が入射する。領域R〜領域R10は9分割されているため、領域R〜R10の出射面43から光を均等に出射させるためには、領域RのV溝45の反射面積Sは、領域Rに入射する光の1/9を領域Rの出射面43から出射させるように設定する必要がある。
【0025】
同様に、3番目に入射面41に近い領域R、4番目に入射面41に近い領域R、・・・について考えると、それらの領域に入射する光は、入射面41から離れるにつれて減少し、そして、領域RのV溝45の反射面積S、領域RのV溝45の反射面積S、・・・は、それらの領域に入射する光の1/8、1/7、・・・を出射させるように設定する必要がある。
【0026】
このように、導光板4を長さ方向にN個の同じ大きさの領域Rに分割して考えた場合、各領域Rに入射する光の量は、入射面41から離れるにつれて減少し、従って、各領域Rの出射面43から均等に光を出射させるためには、各領域Rにおける単位幅当りのV溝45の反射面積Sは、入射面41から離れるにつれて増加させる必要がある。
【0027】
このような考え方に基づいて、導光板4の分割数Nを一般化して、各領域R(k=1,2,・・・,N)の反射面積Sを配分するように幾何光学的計算を行うことにより、上記(1)式が導出される。
【0028】
図4は、上記(1)式により分割数N=10とした場合に求められる導光板4上の位置Xと反射面積Sとの関係を示す。導光板4の各領域R〜R10の反射面積S〜S10は、最も入射面41に近い0≦X≦L/Nの領域Rの反射面積Sが最小であり、2番目に入射面41に近いL/N<X≦2L/Nの領域R、3番目に入射面41に近い2L/N<X≦3L/Nの領域R、・・・と入射面41から離れるにつれて、それらの領域の反射面積S、S、・・・が漸次大きくなる。そして、最も入射面43から離れた9L/N<X≦Lの領域R10の反射面積S10(=Smax)が最大となる。このような関係により、つまり、このように反射面積S〜S10を配分することにより、各領域R〜R10から出射される光の量E〜E10が同じになる。
【0029】
図5は、長さLが80mmである導光板4について、上記(1)式により分割数N=10として反射面積Sを配分した例を示す。この場合、導光板4の長さLが80mmであり、分割数Nが10であるため、導光板4は、長さ方向に8mm毎に0〜8mm、8〜16mm、16〜24mm、・・・、72〜80mmの10個の領域R〜R10に分割される。図中S、S、・・・、S10は、0〜8mmの領域Rの反射面積、8〜16mmの領域Rの反射面積、・・・、72〜80mmの領域R10の反射面積を示している。最も非光源側の72〜80mmの領域R10の反射面積S10=Smaxを決定することにより、その他の領域R〜Rの反射面積S〜Sが(1)式により求められる。
【0030】
図5に示す例では、Smax=14.0mmであり、(1)式において、L=80mm、N=10、X=8mm、16mm、24mm、32mm、40mm、48mm、56mm、64mm、72mmとすることにより、S=1.4mm、S=1.67mm、S=1.75mm、S=2.0mm、S=2.33mm、S=2.8mm、S=3.5mm、S=4.67mm、S=7.0mmが求められる。
【0031】
本実施形態の平面発光装置1によれば、V溝45の反射面積が概ね(1)式を満たすことにより、導光板4の出射面43の各領域から出射される光の量は概ね同じになり、導光板4の出射面43全体の輝度(すなわち平面発光装置1の発光面の輝度)は均一になる。(1)式は、導光板4の出射面43から出射される光の量が出射面43の全面に亘って均一になるように、幾何光学的計算方法により求めた数式であり、従って、V溝45の反射面積が概ね(1)式を満たすようにV溝45を設計することにより、従来のように試行錯誤的にV溝45の設計を繰り返す必要がなく、容易に輝度の均一性を満たす性能を得ることができる。
【0032】
しかも、V溝45の反射面積は、(1)式に基づいて、導光板4を長さ方向に有限個の領域R(k=1,2,・・・,N)に分割して各領域R毎に離散的に設定すればよいため、輝度均一化のためのチューニングを直感的かつ容易に行うことができる。
【0033】
<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態について説明する。以下、上記図1乃至図3に付した符号を引用して説明する。本実施形態の平面発光装置1では、V溝45は、上記第1の実施形態の(1)式に加え、次の(2)式の条件を満たすように形成されている。
【数9】


【0034】
つまり、導光板4の最も非光源側の領域における単位幅当りのV溝45の反射面積Smaxと、導光板4の全ての領域における単位幅当りのV溝45の平均溝反射面積Saveが、上記(2)式の条件を満たしている。本実施形態における他の構成については、上記第1の実施形態と同様である。
【0035】
上記(2)式は、シミュレーション実験により得られたものである。すなわち、シミュレーション実験の結果、(2)式において、係数γの値が3.4よりも小さければ、導光板4の非光源側の輝度が相対的に高くなり、係数γの値が4.6よりも大きければ、光源側の輝度が相対的に高くなり、係数γの値が3.4≦γ≦4.6の範囲であれば光源側の輝度と非光源側の輝度のバランスが良くなる(輝度の差が少なくなる)ことが明らかとなった。
【0036】
本実施形態の平面発光装置1によれば、反射面積Smaxと平均溝反射面積Saveが上記(2)式の条件を満たすことにより、導光板4の光源側の輝度と非光源側の輝度のバランスがさらに良くなり、より輝度の均一性の高い性能を得ることができる。
【0037】
<第3の実施形態>
次に、第3の実施形態について説明する。以下、上記図1乃至図3に付した符号を引用して説明する。本実施形態の平面発光装置1では、V溝45は、上記第1の実施形態の(1)式、及び上記第2の実施形態の(2)式に加え、次の(3)式の条件を満たすように形成されている。
【数10】


【0038】
つまり、導光板4の全ての領域における単位幅当りのV溝45の総反射面積ΣSと導光板4の厚みT及び長さLの関係が上記(3)式の条件を満たしている。本実施形態における他の構成については、上記第1の実施形態と同様である。
【0039】
上記(3)式は、以下のようにして得られたものである。すなわち、導光板4の出射面4全体からの出射量が最大となるときの単位幅当りのV溝45の総反射面積ΣSの値は、導光板4の厚みTと長さLに依存して異なった値となる。そこで、まず、異なる厚みT及び長さLの導光板4について、出射面43全体からの出射量が最大となるときの総反射面積ΣSの値を求めるシミュレーション実験を行った。
【0040】
図6(a)(b)は、このシミュレーション実験の結果を示す。図6(a)は、V溝45のピッチPを0.3mmとした場合の結果を示し、図6(b)は、V溝45のピッチPを1.0mmとした場合の結果を示す。これらの図において、図中の数値は、それぞれ、導光板4の厚みTを0.5mm、1.0mm、1.5mm、2.0mm、導光板4の長さLを40mm、80mm、120mm、160mm、200mmとした場合に出射面43全体からの出射量が最大となったときの総反射面積ΣSの値(単位mm)を示している。
【0041】
そして、出射面43全体からの出射量が最大となるときの総反射面積ΣS、厚みT、長さLの関係を見出すために、これらの実験結果をグラフ化した。
【0042】
図7(a)は、V溝45のピッチPを0.3mmとした場合の実験結果をグラフ化したものを示し、図7(b)は、V溝45のピッチPを1.0mmとした場合の実験結果をグラフ化したものを示す。これらの図は、導光板4の長さLを横軸にとり、V溝45の総反射面積ΣSを導光板4の厚みTで除した値ΣS/Tを縦軸にとって、上記実験で得た(すなわち出射面43全体からの出射量が最大となるときの)ΣSの値をグラフ化したものである。
【0043】
これら図7(a)(b)のグラフから見て判るように、V溝45の総反射面積ΣSを導光板4の厚みTで除した値ΣS/Tと導光板4の長さLとの関係は、ほぼ直線で表される。この直線を表す式を数値解析により求めると、上記(3)式が得られる。
【0044】
すなわち、V溝45の総反射面積ΣSと導光板4の厚みT及び長さLの関係が上記(3)式の条件を満たしていれば、導光板4の出射面43全体からの出射量がほぼ最大となる。なお、係数αの値が0.023よりも大きい場合は、総反射面積ΣSが大きくなりすぎて、入射面41近傍から多くの光が出射されてしまうため、出射面43全体からの出射量が少なくなる。係数βの値が11.0より大きい場合も同様である。また、係数αの値が0.016よりも小さい場合は、総反射面積ΣSが小さくなりすぎて、V溝45により反射する回数が減り、出射面43全体からの出射量が少なくなる。係数βの値が7.0より小さい場合も同様である。
【0045】
(3)式によれば、導光板4の厚みTと長さLを設定することにより、0.016≦α≦0.023、7.0≦β≦11.0の値を用いて、導光板4の出射面43全体からの出射量がほぼ最大となる総反射面積ΣSを求めることができる。また、(3)式により求めたΣSの値を用い、V溝45の総本数nを設定することにより、上記(2)式により、導光板4の最も非光源側の領域における単位幅当りのV溝45の反射面積Smaxを求めることができ、さらに、この(2)式で求めたSmaxの値を用いて、上記(1)式により、導光板4の各領域における単位幅当りのV溝45の反射面積Sを求めることができる。
【0046】
本実施形態の平面発光装置1によれば、導光板4の全ての領域における単位幅当りのV溝45の総反射面積ΣSが(3)式の条件を満たすことにより、導光板4の出射面43全体から出射される光の量が最大になり、輝度均一性の高い性能を得つつ出射面43全体の輝度を最大に高めることができる。しかも、総反射面積ΣSは、導光板4の厚みTと長さLを設定すれば、(3)式に基づいて、それら厚みT、長さL、及び係数α、βの値を用いて容易に求めることができる。
【0047】
<第4の実施形態>
次に、第4の実施形態について説明する。以下、上記図1乃至図3に付した符号を引用して説明する。本実施形態の平面発光装置1では、導光板4の厚みTを1.2mm、長さLを80mm、幅Wを60mm、V溝45のピッチPを導光板4の全領域に亘って一定の0.3mmとし、上記(1)〜(3)式に基づいて導光板4の各領域でのV溝45の反射面積Sを設定した。反射面積Sは、上記図4及び図5と同様に導光板4の入射面41(光源2)から離れるにつれて漸次増加し、Saveは約0.037〜0.058mm、Smaxは約0.13〜0.27mmとなる。
【0048】
図8は、本実施形態の平面発光装置1における導光板4上の位置XとV溝45の深さDとの関係を示す。V溝45の深さDは、反射面積Sの大きさと対応して入射面41から離れるにつれて漸次深くなり、最も入射面41に近い位置において最も浅く約0.004mmとなり、最も入射面41から離れた位置において最も深く、約0.085mmとなる。
【0049】
本実施形態の平面発光装置1によれば、導光板4の出射面43全体から出射される光の量が最大になると共に、出射面43の各領域から出射される光の量が均等になり、これにより、全体の輝度が高く、かつ輝度均一性の高い性能が得られる。
【0050】
図9は、本実施形態の平面発光装置1における導光板4の出射面43の輝度分布を示す。出射面43を縦横に9等分した9つの領域Q〜Qについて輝度の測定を行った。図中、各領域Q〜Q内に示す数値は、その領域の輝度(単位cd/m)を示している。このように輝度を測定した結果、領域Qの輝度が313.7cd/mで最大となり、領域Qの輝度が287.9cd/mで最小となった。中央領域Qに対する最大輝度領域Qの輝度ムラ「(領域Qの輝度−領域Qの輝度)/領域Qの輝度」は、約−0.1%であり、中央領域Qに対する最小輝度領域Qの輝度ムラ「(領域Qの輝度−領域Qの輝度)/領域Qの輝度」は、約8.1%である。また、入射面側領域Q〜Qに対する非入射面側領域Q〜Qの輝度ムラ「(領域Q〜Qの輝度−領域Q〜Qの輝度)/領域Q〜Qの輝度」は、約−3.0%である。これらの結果から判るように、本実施形態の平面発光装置1は、導光板4の出射面43の輝度が出射面43の全面に亘って均一になっており、また、出射面43全体の輝度が十分に高くなっている。
【0051】
なお、本発明は、上記各実施形態の構成に限られず、種々の変形が可能である。例えば、光源2は、複数に限られず、1つであってもよい。また、光源2は、白色LEDに限られず、例えば冷陰極管を用いてもよい。反射板3と筐体10は別体であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る平面発光装置の分解斜視図。
【図2】同平面発光装置の断面図。
【図3】同平面発光装置のV溝の構成を示す導光板の一部を拡大した断面図。
【図4】同平面発光装置の導光板上の位置とその位置の領域における単位幅当りのV溝の反射面積の関係を示す図。
【図5】同平面発光装置の各領域における単位幅当りのV溝の反射面積の配分例を示す図。
【図6】本発明の第3の実施形態に係る平面発光装置の(3)式を導出するために、異なる厚み及び長さの導光板について、出射面全体からの出射量が最大となるときの総反射面積の値を求める実験を行った結果を示す図であり、(a)はV溝のピッチを0.3mmとした場合の実験結果を示す図、(b)はV溝のピッチを1.0mmとした場合の実験結果を示す図。
【図7】(a)は図6(a)に示す実験結果をグラフにした図、(b)は図6(b)に示す実験結果をグラフにした図。
【図8】本発明の第4の実施形態に係る平面発光装置における導光板上の位置とその位置におけるV溝の深さとの関係を示す図。
【図9】同平面発光装置の出射面の輝度分布を示す図。
【符号の説明】
【0053】
1 平面発光装置
2 光源
3 反射板
4 導光板
6 プリント基板
10 筐体
41 入射面
42 反射面
43 出射面
44 光制御手段
45 V溝





 

 


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