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番号 発明の名称
1 誘電体セラミックスおよびその製造方法
2 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
3 窒化アルミニウム質焼結体
4 ホウ化物単結晶の製造方法および基板
5 電気的接続構造、配線付き絶縁部材およびその製造方法、ならびに電子装置
6 鉛含有化合物に対する反応防止部材
7 セラミックス摺動部材とその製造方法およびこれを用いたメカニカルシールリング用部材並びにメカニカルシールリング
8 二ホウ化物単結晶の育成方法
9 表面被覆セラミック焼結体
10 黒色系セラミック焼結体およびこれを用いた光学分析用セル並びに半導体・液晶製造装置用部材
11 絞り金型
12 誘電体磁器
13 誘電体磁器
14 ガラスセラミック焼結体およびその製造方法並びに配線基板
15 アルミナ質焼結体及びこれを用いた処理装置用部材と処理装置ならびに試料処理方法
16 表面被覆部材およびその製造方法および表面被覆部材を用いた切削工具
17 誘電体磁器組成物およびそれを用いた誘電体共振器、非放射性誘電体線路並びに高周波用配線基板
18 酸化ジルコニウム質焼結体
19 鉛含有化合物に対する反応防止部材
20 誘電体磁器
21 誘電体磁器
22 圧電磁器組成物および圧電磁器
23 蛍光体及び波長変換器並びに発光装置
24 波長変換器、照明装置および照明装置集合体
25 誘電体磁器
26 窒化珪素質焼結体およびこれを用いた半導体製造装置用部材、並びに液晶製造装置用部材
27 ジルコニア焼結体
28 半導体蛍光体の製造方法
29 表面被覆セラミック焼結体
30 セラミック焼結体及び配線基板
31 セラミック焼結体とそれを用いた磁気ヘッド用基板および磁気ヘッド、ならびに記録媒体駆動装置
32 半導体層成長用基板およびそれを用いた半導体装置
33 半導体層成長用基板およびそれを用いた半導体装置
34 誘電体磁器組成物および誘電体磁器、ならびにEMIフィルタ
35 ガラス加工用部材とこれを用いた光学素子成形用押し型ならびに光学素子成形用型
36 蛍光体及び波長変換器並びに発光装置
37 粒状半導体の製造装置および製造方法ならびに光電変換装置
38 粒状半導体の製造方法および製造装置
39 圧電磁器組成物、圧電磁器、圧電アクチュエータ素子および回路モジュール
40 アルミナ質焼結体及びこれを用いた磁気ヘッド加工組立用治具
41 炭化けい素質焼結体とこれを用いた摺動部材およびメカニカルシールリング、並びにメカニカルシール
42 吸液用セラミック部材
43 炭化硼素質焼結体およびこれを用いた防護部材
44 窒化珪素質焼結体
45 セラミック回路基板およびその製造方法
46 誘電体磁器
47 単結晶育成装置
48 TiCN基サーメット
49 単結晶育成装置
50 窒化珪素接合体とその製造方法およびこれを用いた半導体製造装置用部材
51 耐食性セラミック部材
52 アルミナ質焼結体及びこれを用いた処理装置用部材と処理装置ならびに処理方法
53 アルミナ質焼結体とその製造方法及びそれらを用いた液晶製造装置

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