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東芝セラミックス株式会社 - 特許情報
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番号 発明の名称
1 単結晶引上げ装置、シリコン単結晶引上げ装置およびシリコン単結晶引上げ方法
2 単結晶引上装置及びその制御方法
3 単結晶引上装置及びその制御方法
4 単結晶引上装置及びその制御方法
5 単結晶製造装置
6 焼成用容器
7 セラミックス複合材料の製造方法
8 半導体単結晶の製造方法、半導体単結晶の製造装置、半導体単結晶の製造制御プログラムおよび半導体単結晶製造制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
9 単結晶引上装置及びその制御方法
10 イットリアセラミックス焼結体
11 透光性イットリア焼結体およびその製造方法
12 耐プラズマ性イットリア焼結体の製造方法
13 光学用合成石英ガラスの製造方法
14 Y2O3焼結体からなるセラミックガスノズル
15 耐プラズマ性電極埋設体及びその製造方法
16 半導体単結晶の製造方法
17 電子部品焼成用治具およびその製造方法
18 シリコン単結晶引上用ルツボ
19 イットリアセラミックス焼結体およびその製造方法
20 シリコン単結晶の製造方法
21 シリカガラスルツボ
22 ガラス管螺旋加工装置および螺旋状ガラス管の製造方法
23 結晶化促進コーティング用シリカガラスルツボ
24 シリカガラスの製造方法
25 フォーカスリング
26 シリコン単結晶原料の溶解方法
27 半導体単結晶の製造方法
28 焼成容器
29 シリコンウエハの製造方法
30 耐プラズマ性溶射部材
31 シリカガラス部材の接合方法およびシリカガラス製品
32 シリコン単結晶の製造方法
33 透光性酸化イットリウム焼結体及びその製造方法
34 炭化ケイ素多孔質セラミックスの接合方法および接合部材
35 光触媒水浄化装置
36 単結晶薄膜およびその形成方法
37 微細加工用基材の微細加工方法、その加工品、プレス成形品
38 ガラス状カーボンの微細加工方法、ガラス状カーボン加工物、微細加工物
39 透光性酸化ルテチウム焼結体及びその製造方法
40 輻射シールド及びそれを具備する単結晶引上装置
41 単結晶引上装置、及びその制御方法
42 ヒト造血幹細胞または造血前駆細胞の培養方法
43 単結晶引上装置
44 単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法
45 単結晶引上装置及び単結晶の製造方法。
46 リン酸カルシウム系細胞培養担体および培養方法
47 シリコン単結晶製造装置およびこれを用いた製造方法
48 シリコン単結晶の製造方法
49 単結晶引上装置
50 イットリアセラミックス焼結体およびその製造方法
51 プラズマ処理装置用イットリアセラミックスおよびその製造方法
52 SiC焼結体、SiC粒子及びSiC焼結体の製造方法
53 耐プラズマ性溶射部材
54 イットリアセラミックス焼結体およびその製造方法
55 イットリア系複合材
56 SiO2−TiO2系ガラスの製造方法
57 固形状原料のリチャージ方法
58 固形状原料のリチャージ管およびこれを用いたリチャージ方法
59 固形状原料のリチャージ装置
60 単結晶製造装置およびリチャージ方法
61 単結晶引上装置
62 透光性セラミックス焼結体及びその製造方法
63 透光性酸化イットリウム焼結体及びその製造方法
64 透光性酸化イッテルビウム焼結体及びその製造方法
65 単結晶の製造方法
66 シリカガラス中実棒材の製造方法

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