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番号 発明の名称
1 炭化ケイ素基板の表面再構成方法
2 窒化ガリウム結晶の成長方法
3 光ファイバ用ガラス母材の製造方法
4 III族窒化物膜を形成する方法および半導体装置
5 窒化アルミニウム焼結体とその製造方法及び半導体基板
6 ガラス微粒子堆積体の製造方法
7 ガラス管の加工方法
8 ガラス微粒子堆積体の製造方法
9 光ファイバー母材の製造方法、製造装置、および製造プログラム
10 高硬度ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法
11 真空蒸着装置および真空蒸着装置の運転方法
12 ZnS焼結体およびその製造方法
13 マイクロ波プラズマCVD装置
14 ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド
15 光ファイバの製造方法
16 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
17 蛍光体
18 窒化アルミニウム粉末成形体、焼結体及びそれらの製造方法
19 ガラス微粒子堆積体の製造方法
20 AlN結晶およびその成長方法ならびにAlN結晶基板
21 エレクトロルミネッセンス用蛍光体の製法及びエレクトロルミネッセンス用蛍光体
22 回路接続用接着剤
23 熱間圧延線材の直接熱処理方法および装置
24 光ファイバ用冷却装置及びその位置決め方法
25 石英管の内面処理方法、光ファイバ母材製造方法及び光ファイバ製造方法
26 ガラス体製造方法及び光ファイバ
27 GaN自立基板の製造方法及びGaN自立基板並びに青色LED
28 セラミックス基材
29 光ファイバ用母材の製造方法
30 EL用蛍光体
31 ガラス母材の製造方法
32 真空蒸着装置および真空蒸着方法
33 ガラス母材の製造方法
34 ガラス合成用バーナ及び該バーナを用いたガラス微粒子堆積体の製造方法
35 成膜制御方法及び成膜制御装置並びに成膜装置
36 光ファイバー母材の製造方法
37 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
38 接着剤
39 ダイヤモンド被覆基板、濾過フィルター及び電極
40 異方導電性接着剤
41 ガラス微粒子堆積体の製造方法
42 ガラス微粒子堆積体の製造方法
43 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法
44 EL用蛍光体、ELシートとEL用蛍光体の製法
45 窒化アルミニウム焼結体
46 ダイヤモンドの加工方法
47 ガラス部材の製造方法および製造装置
48 光ファイバープリフォームの製造方法
49 異方導電性接着剤
50 III族窒化物結晶およびその成長方法
51 ガラス微粒子堆積体の製造方法
52 樹脂組成物とそれを用いた電線・ケーブル、絶縁チューブおよび熱収縮チューブ
53 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
54 蛍光体、蛍光ランプ、EL用蛍光体及び蛍光体の製造方法
55 蛍光体とそれを用いたEL素子及び蛍光体の製造方法
56 蛍光体とそれを用いたEL素子および蛍光体の作製方法
57 真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置
58 マグネシウム合金材
59 ダイヤモンドの合成方法及びダイヤモンド合成装置
60 立方晶窒化硼素焼結体
61 加熱炉、ガラスの加熱方法及び加熱炉の維持方法
62 ダイヤモンド被覆基板及び電極
63 ガラス体製造方法
64 微小ガラス体の製造方法
65 めっき用樹脂成形品とそれを用いた射出成形回路部品
66 複合基板及びその製造方法、並びに電極及び電解装置
67 窒化物半導体結晶基板の製造方法
68 半導体結晶基板の製造方法
69 AlxGayIn1−x−yN結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法
70 窒化ガリウム結晶基板、半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法および窒化ガリウム結晶基板の識別方法
71 窒化アルミニウム焼結体
72 マグネシウム合金ねじの製造方法及びマグネシウム合金ねじ
73 窒化物基板の製造方法と窒化物基板及び窒化物系半導体デバイス
74 ガラス母材の延伸方法
75 ガラスの製造方法
76 III族窒化物結晶の製造方法および製造装置
77 ノンハロゲン難燃性樹脂組成物およびそれを用いた電線・ケーブル
78 液状熱硬化性樹脂組成物、および接合材
79 ダイヤモンドの合成方法
80 エポキシ樹脂組成物とそれを用いた導電性接着剤および異方導電膜
81 アイオノマー樹脂組成物及びそれを用いた熱収縮チューブ
82 3次元微細構造体の製造方法
83 ガラス母材の外径制御方法及び外径制御装置
84 ガラス微粒子堆積体の製造方法
85 加熱炉及び被加熱物の加熱方法
86 ガラス微粒子堆積体の製造方法及びガラス体の製造方法
87 ガラス母材の製造方法
88 成形体用樹脂組成物および該樹脂組成物より得られた成形体
89 GaN結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法
90 GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板および半導体デバイス
91 立方晶窒化ホウ素焼結体およびその製造方法
92 蛍光体、その製造方法及び該蛍光体を含んだ無機EL素子
93 高分子組成物の製造方法と高分子組成物ならびにこれを用いた絶縁電線およびワイヤーハーネス
94 III族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶基板
95 埋め込み基板結晶製造方法および埋め込み基板結晶
96 基板ホルダー、成膜装置、成膜方法、および被成膜基板
97 光ファイバ用ボビンおよびこのボビンを使用した光ファイバの製造方法
98 接着フィルム、該接着フィルムを用いたフラットケーブルの製造方法
99 接着テープ及びリール巻き接着テープ
100 光ファイバの製造方法および製造装置

[1][2]
 

 


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