番号 発明の名称 1 炭化ケイ素基板の表面再構成方法 2 窒化ガリウム結晶の成長方法 3 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 4 ＩＩＩ族窒化物膜を形成する方法および半導体装置 5 窒化アルミニウム焼結体とその製造方法及び半導体基板 6 ガラス微粒子堆積体の製造方法 7 ガラス管の加工方法 8 ガラス微粒子堆積体の製造方法 9 光ファイバー母材の製造方法、製造装置、および製造プログラム 10 高硬度ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法 11 真空蒸着装置および真空蒸着装置の運転方法 12 ＺｎＳ焼結体およびその製造方法 13 マイクロ波プラズマＣＶＤ装置 14 ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド 15 光ファイバの製造方法 16 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 17 蛍光体 18 窒化アルミニウム粉末成形体、焼結体及びそれらの製造方法 19 ガラス微粒子堆積体の製造方法 20 ＡｌＮ結晶およびその成長方法ならびにＡｌＮ結晶基板 21 エレクトロルミネッセンス用蛍光体の製法及びエレクトロルミネッセンス用蛍光体 22 回路接続用接着剤 23 熱間圧延線材の直接熱処理方法および装置 24 光ファイバ用冷却装置及びその位置決め方法 25 石英管の内面処理方法、光ファイバ母材製造方法及び光ファイバ製造方法 26 ガラス体製造方法及び光ファイバ 27 ＧａＮ自立基板の製造方法及びＧａＮ自立基板並びに青色ＬＥＤ 28 セラミックス基材 29 光ファイバ用母材の製造方法 30 ＥＬ用蛍光体 31 ガラス母材の製造方法 32 真空蒸着装置および真空蒸着方法 33 ガラス母材の製造方法 34 ガラス合成用バーナ及び該バーナを用いたガラス微粒子堆積体の製造方法 35 成膜制御方法及び成膜制御装置並びに成膜装置 36 光ファイバー母材の製造方法 37 単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 38 接着剤 39 ダイヤモンド被覆基板、濾過フィルター及び電極 40 異方導電性接着剤 41 ガラス微粒子堆積体の製造方法 42 ガラス微粒子堆積体の製造方法 43 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 44 ＥＬ用蛍光体、ＥＬシートとＥＬ用蛍光体の製法 45 窒化アルミニウム焼結体 46 ダイヤモンドの加工方法 47 ガラス部材の製造方法および製造装置 48 光ファイバープリフォームの製造方法 49 異方導電性接着剤 50 ＩＩＩ族窒化物結晶およびその成長方法 51 ガラス微粒子堆積体の製造方法 52 樹脂組成物とそれを用いた電線・ケーブル、絶縁チューブおよび熱収縮チューブ 53 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 54 蛍光体、蛍光ランプ、ＥＬ用蛍光体及び蛍光体の製造方法 55 蛍光体とそれを用いたＥＬ素子及び蛍光体の製造方法 56 蛍光体とそれを用いたＥＬ素子および蛍光体の作製方法 57 真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置 58 マグネシウム合金材 59 ダイヤモンドの合成方法及びダイヤモンド合成装置 60 立方晶窒化硼素焼結体 61 加熱炉、ガラスの加熱方法及び加熱炉の維持方法 62 ダイヤモンド被覆基板及び電極 63 ガラス体製造方法 64 微小ガラス体の製造方法 65 めっき用樹脂成形品とそれを用いた射出成形回路部品 66 複合基板及びその製造方法、並びに電極及び電解装置 67 窒化物半導体結晶基板の製造方法 68 半導体結晶基板の製造方法 69 ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法 70 窒化ガリウム結晶基板、半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法および窒化ガリウム結晶基板の識別方法 71 窒化アルミニウム焼結体 72 マグネシウム合金ねじの製造方法及びマグネシウム合金ねじ 73 窒化物基板の製造方法と窒化物基板及び窒化物系半導体デバイス 74 ガラス母材の延伸方法 75 ガラスの製造方法 76 ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置 77 ノンハロゲン難燃性樹脂組成物およびそれを用いた電線・ケーブル 78 液状熱硬化性樹脂組成物、および接合材 79 ダイヤモンドの合成方法 80 エポキシ樹脂組成物とそれを用いた導電性接着剤および異方導電膜 81 アイオノマー樹脂組成物及びそれを用いた熱収縮チューブ 82 ３次元微細構造体の製造方法 83 ガラス母材の外径制御方法及び外径制御装置 84 ガラス微粒子堆積体の製造方法 85 加熱炉及び被加熱物の加熱方法 86 ガラス微粒子堆積体の製造方法及びガラス体の製造方法 87 ガラス母材の製造方法 88 成形体用樹脂組成物および該樹脂組成物より得られた成形体 89 ＧａＮ結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法 90 ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板および半導体デバイス 91 立方晶窒化ホウ素焼結体およびその製造方法 92 蛍光体、その製造方法及び該蛍光体を含んだ無機ＥＬ素子 93 高分子組成物の製造方法と高分子組成物ならびにこれを用いた絶縁電線およびワイヤーハーネス 94 ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板 95 埋め込み基板結晶製造方法および埋め込み基板結晶 96 基板ホルダー、成膜装置、成膜方法、および被成膜基板 97 光ファイバ用ボビンおよびこのボビンを使用した光ファイバの製造方法 98 接着フィルム、該接着フィルムを用いたフラットケーブルの製造方法 99 接着テープ及びリール巻き接着テープ 100 光ファイバの製造方法および製造装置

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