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番号 発明の名称
1 三フッ化窒素の製造方法
2 III−V族化合物半導体多結晶の製造方法
3 三フッ化窒素の製造方法
4 シェル成分含有ペロブスカイト型複合酸化物粉末およびその製造方法
5 三フッ化窒素の製造方法および製造装置
6 三フッ化窒素の製造方法
7 ヒドロキシルアミンの安定化剤、安定化方法および安定化されたヒドロキシルアミン溶液
8 三フッ化窒素の製造方法および製造装置
9 三フッ化窒素の製造方法
10 活性炭およびその製造方法並びに用途
11 Y2O3皮膜およびその製造方法
12 シリカ被覆混晶酸化物粒子、その製法及びそれを用いた化粧料
13 黒鉛材料、電池電極用炭素材料、及び電池
14 水耕栽培装置及び水耕栽培方法
15 黒鉛材料、電池電極用炭素材料、及び電池
16 フッ素ガスの製造方法
17 三フッ化窒素の製造方法
18 高純度フッ素ガスの製造方法および高純度フッ素ガス製造装置
19 活性炭、その製造方法及び用途
20 活性炭、その製造方法及びその用途
21 フッ素ガスの供給方法およびその装置
22 金属酸化物微粒子の分散液およびその製造方法
23 高純度四塩化チタンの製造方法およびそれから得られうる高純度四塩化チタン
24 食品および/または経口剤製造のためのヒドロキシクエン酸誘導体又はその塩の使用

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