米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 計算機;電気通信 -> 株式会社ハイニックスセミコンダクター

番号 発明の名称
1 NAND型メモリアレイ及びこれを用いた読出方法、プログラム方法及び消去方法
2 半導体メモリ装置のカラムリペア回路及びカラムリペア方法
3 強誘電体メモリの参照装置及びその駆動方法
4 アドレス遷移検出回路
5 オートプリチャージギャップレス保護回路を有する半導体メモリ素子のオートプリチャージ装置
6 センシング回路を用いたマルチレベルフラッシュメモリプログラム方法及びリード方法
7 フラッシュメモリ装置
8 ワードライン電圧クランピング回路
9 ビデオフレームの圧縮及び伸張ハードウェアシステム
10 強誘電体メモリ及びその駆動方法
11 半導体メモリ素子の信号伝達制御装置
12 半導体メモリ装置のデータ入出力回路
13 パワーアップ信号発生回路
14 半導体メモリ装置の内部アドレス発生回路
15 高電圧動作用昇圧回路
16 不良画素アドレス記憶部を有するイメージセンサ
17 イメージセンサー
18 半導体記憶装置及びセンスアンプの駆動方法
19 不揮発性強誘電体メモリ装置並びにその駆動方法
20 データラインが安定したプリチャ−ジ電圧を有する半導体メモリ装置
21 マルチバンク構造のフラッシュメモリ装置
22 フラッシュメモリ素子及びその消去方法
23 フラッシュメモリ装置
24 不揮発性強誘電体メモリ及びその駆動方法
25 強誘電体メモリ及びその駆動方法
26 制御及びアドレスクロック非分配型メモリシステム
27 半導体メモリ装置
28 ブートストラップ回路
29 不揮発性強誘電体メモリ装置のカラムリペア回路
30 マイクロコントローラのメモリアドレッシング方法及びページマッピング装置
31 半導体メモリ素子の電圧発生装置
32 メモリ装置
33 スケルチ回路
34 データ暗号化装置及びその方法
35 位相偏移変調方式の変調器
36 スイッチドキャパシタ積分器
37 メモリ装置、その制御方法及びメモリサブシステム
38 半導体メモリ素子のパワーアップ信号発生装置
39 同期式半導体メモリ素子
40 センスアンプオーバドライバスキームにおける消耗電流減少のための半導体メモリ装置及びその方法
41 フラッシュメモリ装置
42 低電圧検出器
43 半導体メモリ装置
44 ジッタ特性を改善した遅延固定ループ回路
45 モニターリング回路を有する半導体メモリ装置
46 フラッシュメモリ素子
47 送受信装置及びそれを備えた高速動作インタフェースシステム
48 磁気抵抗ラム
49 マルチレベルフラッシュメモリセルセンス回路
50 レジスタ制御ディレイロックループ回路
51 イメージセンサ
52 不揮発性強誘電体メモリ装置及びそのメインビットライン負荷制御部の駆動方法
53 不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法
54 不揮発性強誘電体メモリ装置及びそれを用いたマルチビットデータの書込み及び読出し方法
55 強誘電体メモリの駆動装置及び方法
56 不揮発性強誘電体メモリデバイスのリペア方法及び回路
57 半導体メモリ素子のリフレッシュ装置及びリフレッシュ方法
58 半導体メモリ装置のコンプレス入出力回路
59 イメージセンサの画素配列部及びそれを含むイメージセンサ並びにイメージセンサの自動ブラックレベル補償方法
60 半導体メモリ素子のデコーディング装置及びその装置のイネーブル方法
61 プログラムカウント回路及びこれを用いたフラッシュメモリ素子のプログラムワードライン電圧発生回路
62 NAND型フラッシュメモリのワードラインデコーダ

[1]
 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013