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番号 発明の名称
1 リチウム二次電池用正極材料及びその製造方法
2 磁性体スパッタリングターゲット及びその製造方法
3 化合物半導体ウェハに含まれる特定元素の組成比のマッピング装置
4 化合物半導体ウェハ
5 ダミーウエハー
6 リチウム二次電池用正極材料の製造方法
7 レーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法
8 銅張り積層板
9 化合物半導体ウェハ
10 MoSi2を主成分とするヒーターの取付け方法
11 化学機械研磨用スラリー
12 レーザー穴開け性に優れた樹脂積層板

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