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番号 発明の名称
1 自己整合インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造
2 インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造
3 インナーストライプレーザダイオード構造及び製造方法
4 パルス幅変調回路
5 トップゲートセルフアラインポリシリコン薄膜トランジスタ、その製造方法、及びアレイ
6 活性領域のラテラル過成長によって製造された分布帰還型レーザ
7 電子データ解凍の速度及び効率の向上方法
8 半導体材料をドープする方法
9 接着剤を用いてデバイスを相互接続するための方法
10 オプトエレクトロニック集積回路とその製造方法
11 受動半導体構造およびその製造方法
12 アモルファス・シリコン層センサ及びセンサの形成方法
13 半導体構造およびその製造方法
14 LED及びレーザダイオードの成長のため大面積で低欠陥密度の膜を分離する方法及び半導体デバイスの製造方法

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