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番号 発明の名称
1 シリコンウェーハの研磨方法及びこの方法により研磨されたシリコンウェーハ
2 プラズマエッチング装置用フォーカスリング
3 プラズマディスプレイパネルの製造方法
4 シート状電池用ゲル状ポリマー電解質
5 リチウムイオンポリマー二次電池
6 FPD用保護膜及びその製造方法並びにこれを用いたFPD
7 チップ型サージアブソーバ(1)
8 チップ型サージアブソーバ(2)
9 パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにこの基板を用いた半導体装置
10 燃料電池用セパレータ
11 燃料電池用セパレータ
12 燃料電池用セパレータ
13 ダイシングブレード及びブレード保持装置
14 シリコンウェーハの熱処理方法
15 IG処理法及びこの処理法で作られたIGウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット
16 表面弾性波フィルタ
17 固体酸化物型燃料電池
18 サージアブソーバの製造方法
19 表面弾性波素子
20 希土類−Fe−Co−B系磁石の製造方法
21 半導体ボンディングワイヤー巻き取り用スプール
22 プラズマエッチング用電極板およびその製造方法
23 表面弾性波素子
24 チップ型サーミスタ
25 積層セラミック基板及びこれを用いたパワーモジュール用基板
26 半導体実装用絶縁回路基板
27 表面弾性波素子
28 パワーモジュール用基板
29 サージ吸収素子及びその製造方法
30 アルカリ2次電池用の電極及びアルカリ2次電池及びアルカリ2次電池用の電極の製造方法
31 アルカリ2次電池用の電極活物質及びアルカリ2次電池用の電極活物質の製造方法
32 チップ型サーミスタ及びその製造方法
33 アンテナ装置及びアンテナ装置の製造方法
34 充電状態及び充電量表示装置
35 サージ吸収素子及びその製造方法
36 コンタクトプローブ
37 チップ型サーミスタ
38 二次電池の正極用粉末材料の製造方法及びこれを用いた二次電池
39 酸化銀−炭素複合材料及び酸化銀2次電池用の正極活物質及び酸化銀−炭素複合材料の製造方法
40 チップ型サーミスタ
41 高周波信号用のプローブ
42 半導体装置
43 圧電トランス
44 弾性表面波デバイスと電子機器、弾性表面波デバイスの製造方法、及び弾性表面波デバイス用圧電性材料の製造方法
45 蛍光体膜構造、この蛍光体膜を形成するためのペースト及びこの蛍光体膜を用いたプラズマディスプレイパネル
46 透磁率の高い電波吸収複合材
47 積層型チップサーミスタ及びその製造方法
48 希土類−Fe−Co−B系磁石粉末およびこの粉末を用いて製造したボンド磁石
49 チップ型サージアブソーバ
50 耐密着性無酸素銅荒引線、その製造方法及び製造装置
51 アルカリ二次電池正極製造用原料粉末
52 負特性サーミスタおよびその製造方法
53 SiGe膜の形成方法とヘテロ接合トランジスタの製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
54 電波時計
55 ポリッシング装置
56 チップアンテナの調整方法
57 チップアンテナ
58 酸化物イオン伝導体及びその製造方法並びにこれを用いた燃料電池
59 導電性顔料粉末及びこれを用いて作られた透明導電膜
60 チップアンテナ
61 チップアンテナ
62 パーティクル発生の少ないプラズマエッチング用シリコン電極板
63 チップ型サージアブソーバおよびその製造方法
64 蒸着用素材、蒸着用素材の製造方法及び蒸着方法
65 蒸着用素材および情報記録媒体
66 蒸着方法および蒸着装置
67 シリコンウェーハおよびその製造方法
68 スタッドバンプ成形用キャピラリー
69 透磁率の高い電波吸収複合材
70 半導体リード加工用工具

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