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科学技術振興事業団 - 特許情報
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番号 発明の名称
1 有機・無機複合磁性材料とその製造方法
2 窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法
3 積層構造を用いる単電子トンネルトランジスタ
4 プラズマ発生装置
5 電磁波素子
6 超短パルス広帯域光波発生方法及びその装置
7 光制御性分子磁性体
8 ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法
9 紫外発光体及びその製造方法
10 固体レーザー装置
11 半導体レーザ
12 半導体レーザ
13 半導体レーザの製造方法
14 半導体レーザ
15 マイクロ波プラズマ処理装置
16 液晶性ポーラロン磁性体およびその製造方法
17 光制御性磁性材料
18 強磁性2重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイス
19 p型III族窒化物半導体とその製造方法
20 フィルタバンク及びフィルタリング方法
21 超磁歪アクチュエータとそれを用いたアクティブ制振装置
22 電磁加熱方法とその装置
23 積層型磁性木材
24 ミリ波・遠赤外光検出器
25 リチウムイオン二次電池の電極用ハニカム構造集電体、リチウムイオン二次電池の電極及びリチウムイオン二次電池の電極用ハニカム構造集電体の製造方法
26 プラズマ処理装置
27 二相マイクロフローエレクトロスプレー質量分析法
28 5族元素による酸化物/半導体界面の安定化方法と安定化半導体
29 時分割波長多重パルス光発生装置及び多波長計測システム
30 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子およびその駆動方法
31 薄膜形成方法及び薄膜堆積装置
32 窒化ガリウム半導体の製造方法
33 金属微粒子秩序構造形成方法
34 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
35 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
36 アップ・コンバージョン素子
37 高純度化ポリチオフェン誘導体から成る光電変換素子用光キャリアー生成および輸送材料薄膜
38 ポリアニリン誘導体から成る光電変換素子用光キャリアー生成および輸送材料薄膜
39 立体規則性ポリチオフェン誘導体から成る光電変換素子用光キャリアー生成および輸送材料薄膜
40 鉛蓄電池
41 鉛蓄電池
42 非線形歪み補償電力増幅器
43 低融点の金属と前記金属とは異なる金属からなる電極とのメゾスコピック接合整流素子
44 超高圧電子顕微鏡用耐圧光ファイバー及びその製造方法
45 広帯域波長可変超短パルス光発生装置
46 可とう電気導体の両端部の圧着接合方法
47 GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN量子井戸構造の形成方法
48 電界放出型電子源及びそのカーボンナノチューブの製造方法
49 カルコパイライト型化合物半導体の製造方法
50 端子の接続方法
51 偏波共用アンテナ
52 高感度飛行時間型質量分析装置
53 発熱体並びにその発熱体を用いた加熱体およびアクチュエータとそのアクチュエータの製造方法
54 Ce添加チオガレートレーザー
55 半導体シリサイド膜の製造方法
56 低抵抗p型SrTiO3の製造方法
57 抵抗シャント固有ジョセフソン接合装置及びそれを用いたオンチップ検出器
58 有機電界発光素子
59 情報処理構造体
60 リチウムイオン二次電池
61 量子サイズ効果型微小電子銃及びこの電子銃を使用した平面型ディスプレイ装置並びにその製造方法
62 無粒界型磁気抵抗効果素材及びその製造方法
63 多孔質低誘電率シリコン系絶縁膜をシリル化処理する方法
64 (La,Ba)MnO3系室温超巨大磁気抵抗材料

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