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昭和電工株式会社 - 特許情報
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番号 発明の名称
1 電解コンデンサ用電極、電解コンデンサ及びこれらの製造法
2 固体電解コンデンサ及びその製造方法
3 半導体発光素子用エピタキシャル基板及び発光素子
4 AlGaInP発光ダイオード
5 III族窒化物半導体発光素子
6 III族窒化物半導体光デバイス
7 フッ素ガスの供給方法および供給装置
8 AlGaInP発光ダイオード
9 III族窒化物半導体発光ダイオード
10 窓層を備えたAlGaInP発光ダイオード
11 AlGaInP発光ダイオード
12 AlGaInP発光ダイオード
13 AlGaInP発光ダイオード
14 AlGaInP発光ダイオード
15 AlGaInP発光ダイオード
16 AlGaInP発光ダイオード
17 III族窒化物半導体発光素子
18 III族窒化物半導体発光素子
19 導電樹脂組成物及びそれを用いた成形物
20 AlGaInP発光ダイオード
21 AlGaInP発光ダイオード
22 AlGaInP発光ダイオード
23 III族窒化物半導体発光素子
24 固体電解コンデンサ及びその製造方法
25 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハーおよびこれを用いた発光素子
26 III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
27 III族窒化物半導体発光素子
28 III族窒化物半導体発光素子
29 電気化学素子の検査方法及び製造方法
30 半導体発光素子用エピタキシャルウェーハ、半導体発光素子、およびその製造方法
31 GaInP系エピタキシャル構造体
32 赤外発光素子用エピタキシャル基板およびこれを用いて作製した発光素子
33 赤外発光素子用エピタキシャル基板およびこれを用いた発光素子
34 感温抵抗体及びその製造方法
35 GaInP系積層構造体
36 GaInP系積層構造体
37 二次電池及びその材料
38 GaInP系積層構造体
39 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、その製造方法および半導体発光素子
40 AlGaInP発光ダイオードおよびその製造方法
41 AlGaInP系発光ダイオード
42 半導体発光ダイオード
43 半導体発光ダイオード
44 コンデンサ
45 コンデンサおよびその製造方法
46 AlGaInP系発光ダイオード
47 AlGaInP発光ダイオード
48 III−V族化合物半導体発光ダイオード
49 GaInP系積層構造体及びこれを用いて作製した電界効果型トランジスタ
50 AlGaInP発光ダイオード
51 半導体発光素子、半導体発光素子用電極、その製造方法、半導体発光素子を用いたLEDランプ、およびそのLEDランプを用いた光源
52 可視発光素子用エピタキシャル基板およびこれを用いて作製した発光素子
53 電気化学素子及びその製造方法
54 正極活物質、その製造法及びそれを用いた非水二次電池
55 コンデンサおよびその製造方法
56 電解質材料及びその用途
57 積層型固体電解コンデンサ
58 クリップ付き放熱器
59 留め具付き放熱器
60 留め具付き放熱器
61 放熱器のソケットへの固定構造
62 高分子電解質形成用モノマー含有液の再生方法
63 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハおよびこれを用いた発光ダイオード
64 ヒートシンク用ファンシュラウドおよびこれを具備したヒートシンク
65 CPU装置への放熱器固定構造
66 ヒートシンク
67 正極活物質、その製造法及びそれを用いた非水二次電池
68 固体電解コンデンサ及びその製造方法
69 放熱器およびその製造方法
70 ヒートシンク
71 III族窒化物半導体発光素子用ウェハ、その製造方法およびIII族窒化物半導体発光素子
72 p型III族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法
73 p型III族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法
74 発熱素子冷却用放熱器
75 コンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
76 ヒートシンクおよびその製造方法
77 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ
78 III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
79 固体電解コンデンサ及びその製造方法
80 ヒートシンク加工用複合材およびヒートシンクの製造方法
81 ハロゲン系ガスの除害剤、除害方法及びその用途
82 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハ、およびこれを用いた発光ダイオード

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