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三菱マテリアルシリコン株式会社 - 特許情報
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番号 発明の名称
1 シリコンウェーハ洗浄液の決定方法及びこの洗浄液を用いたウェーハの洗浄方法
2 半導体ウェーハの洗浄方法
3 ウェーハケース
4 張り合わせ基板およびその製造方法
5 張り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法
6 張り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法
7 半導体ウェーハの面取り面の形成方法
8 半導体ウェーハの製造方法
9 半導体ウェーハの製造方法
10 半導体ウェーハのプラズマ処理方法およびその装置
11 張り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法
12 張り合わせ基板およびその製造方法
13 張り合わせ基板およびその製造方法
14 シリコンウェーハのIG処理法及びこれにより作られたIGウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット
15 半導体基板への金属の吸着を抑制した半導体基板用処理液及びこの処理液の調製方法並びにこれを用いた半導体基板の処理方法
16 半導体基板表面のウェット処理方法及びその処理液
17 半導体ウェーハおよびその製造方法
18 シリコンウェーハの研磨液及びこれを用いた研磨方法
19 シリコン単結晶ウェーハの表面評価法
20 ウェーハの保持機構及びウェーハの保持方法
21 SOIウェーハおよびその製造方法
22 半導体ウェーハの製造方法
23 ウェーハボート
24 高平坦度裏面梨地ウェーハおよびその製造方法ならびに該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置
25 半導体ウェーハの製造方法
26 ウェーハスピン乾燥装置
27 点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハ
28 半導体素子の評価方法
29 SOIウェーハおよびその製造方法
30 張り合わせSOIウェーハの製造方法
31 CVD装置及びそのパージ方法
32 研磨装置及び被研磨材の研磨方法
33 シリコンウェーハの熱処理方法
34 気相成長装置
35 半導体ウェーハ、その面取り面の加工方法およびその装置
36 高平坦度半導体ウェーハおよびその製造方法
37 高平坦度半導体ウェーハの製造方法及び高平坦度半導体ウェーハ
38 高平坦度半導体ウェーハの製造方法及び高平坦度半導体ウェーハ
39 シリコンウェーハ及びそのエッチング液並びにそのエッチング方法
40 半導体基板の洗浄方法
41 高平坦度半導体ウェーハの製造方法及び高平坦度半導体ウェーハ
42 SOI基板の製造方法
43 IGウェーハの製造方法及びこの方法で作られたIGウェーハ
44 半導体ウェーハの製造方法
45 シリコンウェーハのCu濃度測定方法
46 張り合わせシリコン基板の製造方法
47 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ
48 シリコンウェーハの熱処理方法
49 半導体ウェーハの製造方法
50 半導体ウェーハの表面処理方法及び半導体ウェーハ
51 半導体ウェーハの熱処理方法及び半導体ウェーハ
52 シリコンウェーハの研磨液及びこれを用いた研磨方法
53 片面鏡面ウェーハ
54 半導体基板の洗浄液及び洗浄方法
55 半導体基板の洗浄方法
56 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
57 半導体ウェーハの研磨方法
58 シリコンウェーハ表面上の微粒子の測定方法
59 擬似MOSFETの測定方法
60 張り合わせ基板の製造方法
61 SOI基板の製造方法
62 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法
63 シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ
64 SOI基板の製造方法
65 張り合わせ基板およびその製造方法
66 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法およびその装置
67 半導体ウェーハの研磨方法およびその装置
68 シリコン基板の表面処理方法
69 シリコンボートおよびその製造方法
70 片面鏡面ウェーハの製造方法
71 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法

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