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番号 発明の名称
1 偏向ヨーク
2 リッジ導波路型半導体レ−ザ素子及びその製造方法
3 プリント基板
4 ランプ電源回路
5 半導体レーザ装置
6 半導体発光素子
7 半導体レーザ装置及びその作製方法
8 クロック再生回路
9 偏向ヨーク
10 コネクタ
11 半導体装置及びその製造方法
12 半導体レーザ素子の製造方法
13 表示装置
14 磁性フェライト及び高周波用磁気コア
15 半導体レーザ装置
16 半導体レーザ装置
17 符号化装置
18 半導体レーザ素子の製造方法
19 クロック分周装置
20 偏向ヨーク装置
21 マイクロ波放電光源装置及びこのマイクロ波放電光源装置を用いた画像表示装置
22 半導体集積回路及びその製造方法
23 オーディオ信号符号化装置及びオーディオ信号復号化装置
24 マイクロ波放電光源装置及びこのマイクロ波放電光源装置を用いた画像表示装置
25 半導体素子の作製方法
26 半導体ウエハの貼り付け方法
27 ランプ用電源装置
28 半導体レーザ装置
29 オーディオ符号化装置、オーディオ符号化方法、及びオーディオ符号化信号記録媒体
30 ランプ用電源装置
31 ランプ用電源装置
32 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
33 半導体装置の組み立て方法
34 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法
35 マイクロ波放電光源装置及びこのマイクロ波放電光源装置を用いた画像表示装置
36 バイモルフアクチュエータ及びこのバイモルフアクチュエータを用いたアクチュエータ制御装置
37 半導体レーザ装置の作製方法
38 CMOSイメージセンサ及びその製造方法
39 ホール素子の作製方法
40 自発光式デバイス
41 グラニュラ膜及び磁性メモリ
42 ビタビ復号器及びビタビ復号方法
43 磁性メモリ
44 マイクロ波放電光源装置及びこのマイクロ波放電光源装置を用いた画像表示装置
45 半導体レーザ装置
46 スポットリフロー装置
47 PCM信号符号化方法及び復号化方法
48 誤り訂正装置及び方法
49 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法
50 偏向ヨーク
51 MOSトランジスタ及びその製造方法並びに液晶表示装置
52 偏向ヨーク及びその製造方法
53 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
54 弾性表面波デバイス
55 誘電体薄膜の形成方法
56 偏向コイルの巻線装置及び巻線方法並びに偏向ヨーク
57 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
58 半導体装置
59 水平偏向コイルの巻線装置及び巻線方法並びに偏向ヨーク
60 音声符号化装置、音声伝送方法、及びコンピュータプログラム記録媒体
61 無電極放電ランプ
62 プリント基板及びその製造方法
63 信号処理装置及びその方法
64 プリント基板の製造方法
65 ランプ用電源回路
66 ランプ用電源回路
67 モータ、モータ用マグネット、モータ用マグネットの製造方法
68 プリント基板の製造方法
69 ホール素子用薄膜の形成方法
70 マイクアンプ回路及びミキサー装置
71 マイクアンプ回路
72 偏向ヨーク
73 InSb薄膜基板
74 InSb薄膜基板
75 InSb薄膜基板、InSb薄膜基板の製造方法
76 InSb薄膜基板
77 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
78 偏向ヨーク
79 InSb薄膜基板の製造方法
80 InSb薄膜基板の製造方法
81 半導体集積回路及びその製造方法
82 固体撮像装置
83 超電導スイッチ、超電導デバイス及び超電導スイッチのスイッチング方法
84 半導体レーザ装置
85 リッジ導波路型半導体レ−ザ素子の製造方法
86 PCM信号符号化装置及び復号化装置
87 プリント基板における薄膜抵抗体素子の形成方法、薄膜抵抗体素子及び薄膜コンデンサ素子
88 信号処理装置、伝送方法
89 マイクロ波無電極ランプ共振装置
90 非晶質軟磁性薄膜及びこの非晶質軟磁性薄膜を用いた垂直磁気記録媒体
91 多層プリント基板及びその製造方法
92 信号処理装置

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