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番号 発明の名称
1 半導体基板上に窒化された界面を形成するための方法
2 高選択性CMPを用いた集積回路装置のトレンチ素子分離方法
3 半導体パッケージ及びその製造方法
4 半導体集積回路のトレンチ分離方法
5 研磨ヘッドの止め輪及びこれを備えた化学機械的研磨装置
6 化学機械的研磨装置にウェーハをローディング/アンローディングするためのロードカップのペデスタル
7 浅いトレンチ素子分離形成方法
8 半導体パッケージ及びその製造方法
9 プリント基板装着器具を有する電子システム
10 電子レンジ用高圧トランス及びその製造方法
11 銅配線層を有する半導体素子及びその製造方法
12 三重金属配線一つのトランジスター/一つのキャパシタ及びその製造方法
13 半導体パッケージのパッド構造
14 端子接続装置
15 マイクロ波検出装置を有する電子レンジ
16 最適な工程パラメータの設定が可能なリソグラフィーシステム及びその運用方法
17 O3−TEOS酸化膜蒸着方法及び蒸着装置
18 半導体素子のシリンダ形ストレージ電極製造方法
19 エッチバックを用いた多結晶シリコンコンタクトプラグ形成方法およびこれを用いた半導体素子の製造方法
20 広帯域光ファイバー増幅器及びその増幅方法
21 ウェーハ用熱処理装置及び方法
22 表面波プラズマエッチング装置を用いた半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法
23 ポリシリコン膜に対する金属シリサイド膜のエッチング選択比を高める方法及びこれを用いてポリシリコン膜及び金属シリサイド膜との積層膜をエッチングする方法
24 選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法
25 ウェーハプロービング装置及びこれを用いたウェーハ検査用ニードル校正方法
26 シードビームを用いた広帯域光源
27 電子レンジ用トランス
28 単一電荷蓄積MNOSメモリ及びMONOSメモリ並びにそれらの駆動方法
29 SiOF絶縁膜が形成された強誘電体メモリ及びその絶縁膜の形成方法
30 写真工程の解像度を越えるトレンチを絶縁膜の内に形成する方法
31 フィードバックループを用いた長波長帯域光ファイバー増幅器
32 レーザ切断用基板及びレーザ切断用基板からなる液晶表示装置パネル
33 ウェーハ加熱方法及びこれを適用した装置
34 高容量を有するキャパシタ製造方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法
35 トップゲート形ポリシリコン薄膜トランジスター製造方法
36 フィードバックループを用いた光学素子測定用L−バンド光源
37 半導体集積回路の感知増幅装置
38 可変長コーディング方法及び装置
39 マグネトロン駆動回路
40 交流電圧の引出の可能な電子レンジ
41 ウェーハを加熱するための方法と装置及びウェーハ上にフォトレジストフィルムをベイキングするための方法と装置
42 半導体装置の製造において使われるプラズマによって誘起される電荷帯電程度を判別する方法およびこれに用いられる判別装置
43 半導体装置におけるタングステンプラグの形成方法
44 微細構造物の製造に用いられる物質層の蝕刻方法及びリソグラフィーマスクの形成方法
45 トレンチ素子分離方法
46 チップスケール半導体パッケージの製造方法
47 半導体集積回路装置
48 半導体素子の製造方法
49 ゲート酸化膜の損傷を回復させる半導体装置のゲート製造方法
50 誘電体共振器の電極構造
51 携帯電話機及びこれに用いられるアンテナ
52 ヘリカルアンテナ
53 携帯電話端末用電力増幅器
54 携帯電話端末用電力増幅器
55 化学蒸着用チューブ
56 プラズマ化学蒸着によるオーミック層形成方法
57 シリコン酸化物とポリシリコンを同時にエッチングするためのエッチングガス組成物、これを利用したエッチング方法およびこれを利用した半導体メモリ装置の製造方法
58 ダイナミックドライエッチング装置及びこれを用いたダイナミックドライエッチング方法
59 加工チャンバにまたは加工チャンバからウェーハを移送するためのウェーハ搬送装置
60 トレンチ隔離領域の形成方法
61 自己整合コンタクトを有する半導体メモリ装置及びその製造方法
62 印刷回路基板及びこの印刷回路基板のスクリーンプリントのためのマスク
63 露光装置及びこれを用いた露光方法
64 半導体製造設備用サセプターシステム
65 半導体装置の製造方法
66 マイクロスクラッチ検査方法及びこれを使用するマイクロスクラッチ検査装置
67 半導体装置の電気的連結配線製造方法
68 自己整列コンタクトをもつ半導体素子及びその製造方法
69 SOI構造を有する半導体素子及びその製造方法
70 セルアレー領域内にバルクバイアスコンタクト構造を備える不揮発性メモリ素子
71 半導体素子及びその製造方法
72 半導体素子のキャパシタ製造方法
73 半導体メモリ素子
74 キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法
75 バッファ
76 レベルシフタを有する半導体装置のデータ出力回路及びデータ出力方法、該データ出力回路を有する半導体装置
77 半導体素子の製造方法
78 半導体ウェーハにHSG−Siを形成するための方法及び装置
79 自己整合されたトレンチを有するフラッシュメモリ及びその製造方法
80 集積回路のヒューズオプション回路及び方法
81 SOI構造を有する半導体素子及びその製造方法
82 SiGeチャンネルのMOSトランジスタ及びその製造方法
83 半導体ウェーハの蝕刻状態計測方法
84 非金属導電物質よりなる陰極板を有する電子ビーム照射装置
85 半導体装置の絶縁膜平坦化方法
86 半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法
87 酸化膜除去法及び酸化膜除去のための半導体製造装置
88 シリコン窒化膜の形成方法
89 半導体集積回路チップ
90 半導体装置及びその製造方法
91 半導体素子のキャパシタ製造方法
92 変形された逆追跡方式の2段軟出力ビタビアルゴリズム復号化器
93 電子レンジ
94 半導体基板用洗浄液及び洗浄方法
95 アニーリングを伴った半導体ウェーハの製造方法及び半導体素子の製造方法
96 メッキを用いた金属配線形成方法及びそれにより製造された半導体素子
97 半導体装置及びその製造方法
98 再配置チップサイズパッケージ及びその製造方法
99 上昇された構造のソース/ドレインを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法
100 耐ビットエラー算術符号化/復号化装置及びその方法、耐ビットエラー算術符号化/復号化プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体

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