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番号 発明の名称
1 スピンリンスドライヤ
2 誘電エッチングプロセスのためのエッチング後処理方法
3 誘電エッチングプロセスのための総合エッチング後処理方法
4 多層電極を有する薄板状セラミック及び製造方法
5 ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック
6 チャンバのベークアウト及びクールダウン方法
7 改善されたガスエナジャイザーを有するチャンバー及び方法
8 化学気相堆積により堆積した銅の密着性を高める方法
9 基板支持装置
10 基板を縦向きに支持するグリッパ
11 ウェハカセット
12 材料処理のための新規なRFプラズマソース
13 単一基板反応装置
14 スパッタ堆積のための改善された銅ターゲット
15 プラズマ強化半導体ウェハ処理システムにおいて外形による帯電効果を減少させる方法
16 イオン注入装置
17 熱アニーリング可能な銅の電気化学堆積装置
18 基板の滑りを回避するローラ
19 プラズマ処理性能強化方法
20 ウェーハ・ハンドリング装置用組立体
21 ウェーハの向きを変えることができるグリッパ
22 イオン注入装置およびイオン注入方法
23 エピタキシャル成長装置及び方法
24 ケミカルメカニカルポリシングのための装置および方法
25 基板処理タンクの流体制御の為の方法と装置
26 孔を充填するためのアルミニウムの堆積方法及び装置
27 半導体ウェーハ処理システムの支持面を復元する方法及びその装置
28 半導体製造装置のクリーニング方法
29 昇降装置
30 半導体処理装置のためのロボットブレード
31 処理チャンバ内でエネルギーを節約するための装置
32 半導体処理システム
33 基板支持台内部の温度勾配を減少させる方法及び装置
34 チタン/窒化チタンの集積化方法
35 連続的で塊状化していない種層の障壁層への接着
36 選択的ダマシンケミカルメカニカルポリシング
37 半導体ウェーハの汚染物質の検出
38 欠陥参照システムによる自動パターン分類方法
39 ウェーハ位置の検出方法
40 静電チャックにより発生する静電力の平衡化方法および装置
41 基板上でエピタキシャルシリコン層をシールするための方法及びシステム
42 スパッタリング装置および成膜方法
43 メガソニック洗浄装置
44 バイア及びコンタクトのシーケンシャルスパッタ及び反応性プリクリーニング
45 処理チャンバのための遠隔式プラズマクリーニング方法
46 電気めっき銅の微小隙間制御及び自己アニール管理のための最良アニール技術
47 リアルタイム欠陥原因決定
48 基板上のシリコンエッチング方法
49 半導体デバイスの銅の酸化および汚染を減少するための方法および装置
50 半導体製造装置における基板加熱方法及び半導体製造装置
51 遠隔プラズマ源を用いる被膜除去
52 安定性のあるフッ素が添加されたケイ酸塩ガラスおよび他の膜を形成するための改良形プロセスガス分配
53 静電チャック及びその製造方法
54 マイクロエレクトニックデバイス及びその形成方法。
55 半導体処理技術
56 成膜方法及び成膜装置
57 半導体集積回路を製造する方法
58 タングステンシリサイド膜を形成する方法、および金属−絶縁膜−半導体型トランジスタを製造する方法
59 摩擦型制御を用いるケミカルメカニカルポリシング
60 磁気結合基板ローラ
61 集積した低K誘電体層とエッチング停止層
62 半導体ウェハ容器を保管し装荷するコンパクトな装置及び方法
63 基板支持組立体のためのシリコンカーバイドスリーブ
64 基板支持装置及びその伝熱方法
65 半導体処理技術
66 半導体基板の温度制御のための方法及びその装置
67 内蔵チャンネルを有する多層セラミック静電チャック
68 半導体処理技術
69 基板処理装置及びガス漏洩検知方法
70 半導体製造装置
71 半導体製造装置
72 半導体装置の製造方法、その製造装置及び半導体装置
73 プロセスチャンバー表面のクリーニング方法
74 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
75 プロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置
76 半導体製造装置における基板加熱方法
77 基板搬送ロボットの検査装置
78 半導体処理装置用多面ロボットブレード
79 基板支持装置
80 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
81 圧力伝達機構を有するキャリヤヘッド
82 入力モジュールを使用して半導体基板を搬送する方法および装置
83 基板をエッチングする装置及び方法
84 遠隔プラズマを用いて膜ギャップ充填性を高める多段階式のチャンバクリーニングプロセス
85 研磨されたハロゲンドープシリコンガラスの窒素処理
86 ハイブリッドで一様に適用可能な自動欠陥分類法
87 外部のステージング領域を有するロードロック
88 半導体ウェーハ処理のためのデュアルバッファチャンバクラスタツール
89 イオン注入装置及びイオン注入方法
90 半導体処理技術
91 コンピュータ統合製造技術
92 半導体デバイス製造のための統合臨界寸法制御
93 連続フッ素および水素プラズマによるコンタクト洗浄
94 エッジ接触ロードカップ
95 ケミカルメカニカルポリシング装置用パッド洗浄ブラシおよびその製造方法
96 プラズマ処理装置及び方法
97 基板産出高およびスループットを向上させる粒子検出および組み込み視覚システム
98 ウェーハの直流バイアス電圧を原位置において測定するための容量性プローブ
99 半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための方法及び装置
100 有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応による液状シリカ層の形成

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