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発明の名称 半導体チップ
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2001−144212(P2001−144212A)
公開日 平成13年5月25日(2001.5.25)
出願番号 特願平11−324886
出願日 平成11年11月16日(1999.11.16)
代理人 【識別番号】100095795
【弁理士】
【氏名又は名称】田下 明人 (外1名)
発明者 榎本 亮 / 矢橋 英郎 / 杉山 直
要約 目的


構成
特許請求の範囲
【請求項1】 半導体チップの電極パッド側に形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成され前記電極パッドへ接続するビアと、前記ビアを介して2以上の前記電極パッドに接続されたプレーン層と、前記ビアを介して1の前記電極パッドに接続された導体回路と、を有することを特徴とする半導体チップ。
【請求項2】 前記ビアは、内部に弾性樹脂が充填されてなることを特徴とする請求項1の半導体チップ。
【請求項3】 接着剤を介して外部接続用基板の貼られた半導体チップであって、前記外部接続用基板には、バイアホールと、該バイアホールを介して2以上の前記電極パッドに接続されたプレーン層と、該バイアホールを介して1の前記電極パッドに接続された導体回路とが形成されていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項4】 接着剤を介して外部接続用基板の貼られた半導体チップであって、前記半導体チップには、電極パッド側に絶縁層と、該絶縁層に形成された当該電極パッドと接続するビアとが形成され、前記外部接続用基板には、バイアホールと、該バイアホールを介して2以上の前記電極パッドに接続されたプレーン層と、該バイアホールを介して1の前記電極パッドに接続された導体回路と、該バイアホールに接続され前記ビア側と接続するための突起状導体と、該プレーン層又は導体回路に接続されたバンプと、が形成されていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項5】 前記電極パッドは、ジンケート処理されたアルミニウム電極パッドであり、該電極パッドの上に銅めっきからなる前記ビアが、ニッケルと銅の複合めっき層を介して形成されていることを特徴とする請求項1又は4記載の半導体チップ。
発明の詳細な説明
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップ及びその製造方法に関し、特に基板への実装が可能な導体チップ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体チップをパッケージ基板に載置し、マザーボード等の外部基板に取り付けていたのに対して、現在、半導体チップの電極パッドに直接接続用バンプを形成したり、チップ上で再配線して、バンプピッチを広げてから半導体チップを外部基板に直接取り付ける実装形態が検討されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる実装形態の半導体チップにおいては、半導体チップの電極パッドそれぞれに対して、1対1で接続用バンプを設けているため、単位面積当たりの電極パッド数が多くなるとバンプピッチを狭めなければならなかった。
【0004】本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、バンプの数を削減し、より広いバンプピッチで実装できる半導体チップを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1の半導体チップは、上記目的を達成するため、半導体チップの電極パッド側に形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成され前記電極パッドへ接続するビアと、前記ビアを介して2以上の前記電極パッドに接続されたプレーン層と、前記ビアを介して1の前記電極パッドに接続された導体回路と、を有することを技術的特徴とする。
【0006】請求項2の半導体チップでは、請求項1において、前記ビアは、内部に弾性樹脂が充填されてなることを技術的特徴とする。
【0007】請求項3の半導体チップは、接着剤を介して外部接続用基板の貼られた半導体チップであって、前記外部接続用基板には、バイアホールと、該バイアホールを介して2以上の前記電極パッドに接続されたプレーン層と、該バイアホールを介して1の前記電極パッドに接続された導体回路とが形成されていることを技術的特徴とする。
【0008】請求項4の半導体チップは、接着剤を介して外部接続用基板の貼られた半導体チップであって、前記半導体チップには、電極パッド側に絶縁層と、該絶縁層に形成された当該電極パッドと接続するビアとが形成され、前記外部接続用基板には、バイアホールと、該バイアホールを介して2以上の前記電極パッドに接続されたプレーン層と、該バイアホールを介して1の前記電極パッドに接続された導体回路と、該バイアホールに接続され前記ビア側と接続するための突起状導体と、該プレーン層又は導体回路に接続されたバンプと、が形成されていることを技術的特徴とする。
【0009】請求項5の半導体チップは、請求項1,4において、前記電極パッドは、ジンケート処理されたアルミニウム電極パッドであり、該電極パッドの上に銅めっきからなる前記ビアが、ニッケルと銅の複合めっき層を介して形成されていることを技術的特徴とする。
【0010】請求項1の半導体チップでは、2以上の電極パッドに接続されたプレーン層を設けるため、配線を統合することができ、外部基板へ接続するためのバンプの数を削減できる。
【0011】請求項2の半導体チップでは、ビアの内部に弾性樹脂が充填され、該ビアが半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力を吸収するため、半導体チップを基板へ強固に接続することができ、半導体チップの接続信頼性を高めることができる。
【0012】請求項3、4の半導体チップでは、2以上の電極パッドに接続されたプレーン層を設けるため、配線を統合することができ、外部基板へ接続するためのバンプの数を削減できる。ここで、プレーン層を電源層あるいは接地層とすることで、より半導体チップに近いところで給電あるいはシールドでき電気的性能が向上する。また、プレーン層を設けた外部接続用基板を半導体チップに接着剤で貼り付けるため、張り付けの際に、半導体チップに反りを発生させることがない。
【0013】請求項5において、半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面には、銅めっきを行うことは困難であるが、本発明では、アルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を行った後に、ニッケルと銅との複合めっき層を形成させるため、該複合めっき層の上に銅めっきでビアを形成することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について図を参照して説明する。図1(A)は本発明の第1実施形態に係る半導体チップの断面を示している。半導体チップ30の下面には、パッシベーション膜34の開口にジンケート処理されたアルミニウム電極パッド32が形成されている。本実施形態では、パッシベーション膜34の下面に第1絶縁層36が配設され、該第1絶縁層36には、該アルミニウム電極パッド32に至るテーパ状に広がった非貫通孔36aが形成されている。そして、該非貫通孔36aの底部のアルミニウム電極パッド32には、ニッケルめっき層38,ニッケルと銅との複合めっき層40を介在させて、銅めっきを充填してなるビア42が形成されている。該ビア42には、導体回路44及びプレーン層46が接続されている。
【0015】該第1絶縁層36の上には、銅めっきポスト(ビア)50の形成された第2絶縁層48が形成されている。銅めっきポスト50には、半田等の低融点金属からなる突起状導体(バンプ)56が配設されている。該半導体チップ30は、突起状導体(バンプ)56を介して基板90側のパッド92への接続されている。
【0016】図1(B)は、図1(A)中の半導体チップのB−B横断、即ち、第1絶縁層36の表面に形成された導体回路44及びプレーン層46の平面図を示している。該導体回路44は、第1絶縁層36に形成された1のビア42と第2絶縁層48に形成される1つの銅めっきポスト50とを接続するために配設されている。即ち、半導体チップ30の1つの電極パッド32は、ビア42、導体回路44、銅めっきポスト50を介してバンプ56へ接続されている。一方、プレーン層46は、第1絶縁層36に形成された複数のビア42と第2絶縁層48に形成される銅めっきポスト50とを接続するために配設されている。即ち、半導体チップ30の2以上の電極パッド(ここでは、接地又は電源用の電極パッド)32は、ビア42、プレーン層46、銅めっきポスト50を介して1以上のバンプ56へ接続されている。
【0017】本実施形態では、プレーン層46を介して配線を統合するため、配線密度を高めることができると共に、バンプ56の数を削減することができる。
【0018】ここで、第2絶縁層48の厚さ、及び、銅めっきポスト50の高さは25〜250μmに形成されている。一方、銅めっきポスト50の直径は20μm〜300μmに形成されている。ここで、半導体チップ30と基板90の熱膨張率は異なり、半導体チップ30の動作時に発生する熱により、半導体チップ30と基板90との間に応力が発生するが、可撓性を有する第2絶縁層48及び弾性を有する銅めっきポスト50によって応力を吸収できるため、電気的接続部にクラックを発生させることがなくなり、半導体チップ30と基板90との間に高い接続信頼性を与える。
【0019】なお、第2絶縁層48の厚さは25μm以上が良い。これは、25μm以下では、十分に応力を吸収することができないからである。他方、厚さは250μm以下であることが望ましい。これは、250μmよりも厚いと、半導体チップ30と基板90との接続信頼性が低下するからである。
【0020】引き続き、図2〜図5を参照して本実施形態に係る半導体チップ30の製造方法について説明する。ここでは、図2の工程(A)に示すパッシベーション膜34の開口にアルミニウム電極パッド32が形成された半導体チップ30に対して、以下の工程で銅めっきポストおよびバンプを形成する。先ず、図2の工程(B)に示すように半導体チップ30を常温で10〜30秒間、金属塩である酸化亜鉛と還元剤として水酸化ナトリウムを混合した液中に浸漬することで、アルミニウム電極パッド32にジンケート処理を施す。これにより、ニッケルめっき層或いは複合めっき層の析出を容易ならしめる。
【0021】引き続き、図2の工程(C)に示すように、半導体チップ30をニッケル無電解めっき液中に浸けて、アルミニウム電極パッド32の表面にニッケルめっき層38を析出させる。なお、このニッケルめっき層を形成する工程は省略しても後述する複合めっき層をアルミニウム電極パッド32に直接形成することも可能である。
【0022】そして、図2の工程(D)に示すように、該半導体チップ30を、ニッケル−銅の複合めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層38の上に0.01〜5μmのニッケル−銅の複合めっき層40を形成する。この複合めっき層をニッケルが1〜60重量%、残部を主として銅とすることで、アルミニウム電極パッドに複合めっき層を形成できるようにするのに加えて、表面に銅めっきを容易に形成できるようにする。また、複合めっき層の厚さを0.01μm以上にすることで、表面に銅めっきを形成することが可能になる。他方、5μm以下にすることで、短時間で析出することができる。
【0023】次に、図3の工程(E)に示すように絶縁樹脂を塗布する。この絶縁樹脂としては、本実施形態では、レーザー加工により非貫通孔を形成するため、熱硬化性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を用いる。化学的な処理により非貫通孔を形成する場合には、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用することができる。次に、図3の工程(F)に示すように乾燥処理を行った後、レーザにより第1非貫通孔36aを形成する。そしてさらに、加熱処理してアルミニウム電極パッド32に至る非貫通孔36aを有する第1絶縁層36を形成する。
【0024】次に、図3の工程(G)に示すように、第1非貫通孔36a内に銅めっきを充填してビア42を形成すると共に、図1(B)を参照して上述したように第1絶縁層36上に導体回路44及びプレーン層46を形成する。これらは、無電解めっきにより形成する。
【0025】次に、図4の工程(H)に示すように熱硬化性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を塗布してから、乾燥処理を行った後、図4の工程(I)に示すようにレーザにより導体回路44及びプレーン層46へ至る非貫通孔を穿設し、表面の粗化処理を行った後に、加熱することで第2の非貫通孔48aを有する第2絶縁層48を形成する。
【0026】次に、半導体チップ30を前処理液に浸漬し、パラジウム触媒を付与した後、第2絶縁層48の表面および非貫通孔48a壁面に均一に無電解銅めっき膜49を形成する。そして、PET(ポリエチレンテレフトレイト)フィルムを無電解めっき膜49の上に貼り付ける。そして、レーザにより該PETフィルムに第2の非貫通孔48aを開放する開口を設け、開口を備えるレジストを形成する。その後、半導体チップ30を電解めっき液に浸漬し、無電解銅めっき膜49を介して電流を流すことで、図4の工程(J)に示すように第2非貫通孔48a内に銅を充填して銅めっきポスト50を形成し、PETフィルムを剥離する。この銅めっきポストを第2の非貫通孔48a内に電解めっきにて銅を充填して形成するため、高さの高い銅めっきポストを廉価に構成することができる。また、電解めっきを用いるため、無電解めっきと比較して半導体チップを強アルカリの無電解めっき液に漬ける時間が短くなり、半導体チップ上の回路を破損する危険性が低下する。
【0027】次に、図5の工程(K)に示すように、銅めっきポスト50の上の無電解めっき膜49をエッチングしてバンプランド52を形成する。その後、ソルダーレジスト組成物を塗布し、金属膜52へ至る開口を形成した後、加熱し、工程(L)に示すように開口部54aを有するソルダーレジスト層54を形成する。そして、開口部54aに半田を印刷し、工程(M)に示すようにリフローを行うことで半田バンプ56を形成する。なお、バンプの高さとしては、3〜60μmが望ましい。この理由は、3μm未満では、バンプの変形により、バンプの高さのばらつきを許容することができず、また、60μmを越えると、バンプが溶融した際に横方向に拡がってショートの原因となるからである。
【0028】半導体チップ30のバンプ44と基板90のパッド92が対応するように、半導体チップ30を載置させて、リフローすることにより、図1(A)に示すように半導体チップ30を基板90に取り付ける。
【0029】図6は、第1実施形態の改変例に係る半導体チップを示している。図1を参照して上述した半導体チップでは、第2絶縁層48に形成されたビア50は、銅めっきを充填してなる銅めっきポストであった。これに対して、改変例において、ビア50が、第2非貫通孔48aの表面に形成された銅めっき膜51と該銅めっき膜51内に充填された弾性樹脂53とからなる。該弾性樹脂53は、熱硬化性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂からなる。該弾性樹脂53の表面には金属膜52が形成されている。
【0030】改変例に係る半導体チップ30では、ビア50の内部に弾性樹脂53が充填され、該ビア50が半導体チップ30と基板との熱膨張差により発生する応力を吸収するため、半導体チップの接続信頼性を高めることができる。なお、上述した第1実施形態では、半導体チップ30に第1絶縁層36及び第2絶縁層48の2層を形成したが、3層以上の絶縁層を形成すると共に、プレーン層によってコンデンサを形成することも可能である。
【0031】引き続き、本発明の第2実施形態に係る半導体チップについて、図7〜図9を参照して説明する。上述した第1実施形態では、絶縁層を積層することで、配線を形成した。これに対して、第2実施形態では、配線を形成した基板を半導体チップに貼り付ける構成を採用している。
【0032】図7(A)は本発明の第1実施形態に係る半導体チップの断面を示している。半導体チップ30の下面には、パッシベーション膜34の開口にジンケート処理されたアルミニウム電極パッド32が形成されている。本実施形態では、パッシベーション膜34の下面に第1絶縁層36が配設され、該第1絶縁層36には、該アルミニウム電極パッド32に至るテーパ状に広がった非貫通孔36aが形成されている。そして、該非貫通孔36aの底部のアルミニウム電極パッド32には、ニッケルめっき層38,ニッケルと銅との複合めっき層40を介在させて、銅めっきを充填してなるビア42及び導体回路44が形成されている。
【0033】当該半導体チップ30の下面には、外部接続用基板60が貼り付けられている。該外部接続用基板60は、バイアホール62A、62B、62Cの形成された3枚の第1基板60A、第2基板60B、第3基板60Cから成る。第1基板60Aのバイアホール62Aの上面には、突起状導体68Aを介して半導体チップ側の導体回路44と接続されている。第3基板60Cのバイアホール62Cの下面には、外部基板への接続用の半田バンプ56が形成されている。
【0034】図7(B)は、図7(A)中の半導体チップをB−B横断、即ち、第1基板60Aの下面に形成された導体回路64及びプレーン層66の平面図を示している。該導体回路64は、第1基板60Aに形成された1のスルーホール62Aと第2基板60Bに形成された1つのスルーホール62Bとを接続するために配設されている。即ち、半導体チップ30の1つの電極パッド32は、ビア42、導体回路44、第1基板のスルーホール62A、導体回路64、第2基板のスルーホール62B、第3基板60Cのスルーホール62Cを介してバンプ56へ接続されている。一方、プレーン層66は、第1基板60Aに形成された複数のスルーホール62Aと第2基板60Bに形成されたスルーホール62Bとを接続するために配設されている。即ち、半導体チップ30の2以上の電極パッド(ここでは、接地又は電源用の電極パッド)32は、ビア42、導体回路44、第1基板30Aのスルーホール62A、プレーン層66、第2基板30Bのスルーホール62B、第3基板60Cのスルーホール62Cを介して1以上のバンプ56へ接続されている。
【0035】また、第1基板30Aのプレーン層66C1と、第2基板60Bのプレーン層66C2とは、第2基板60Bを介して対向配置され、コンデンサを形成している。本実施形態では、接着剤74を介して基板60A、60B、60Cを積層しているため、第1実施形態と異なり、高誘電率の材質の基板60Bを用いることができる。このため、高容量のコンデンサの形成が可能になる。更に、本実施形態では、プレーン層66を介して配線を統合するため、配線密度を高めることができると共に、バンプ56の数を削減することができる。また、導体回路の形成された第1、第2、第3基板を用いるため、第1実施形態と比較して、基板、配線の厚み、幅等の寸法精度に優れ、電気特性を高めることができる。
【0036】ここで、基板60A、60B、60Cを積層して成る外部接続用基板60の厚さは、75〜750μmに形成されている。ここで、半導体チップ30と基板90(図1参照)との熱膨張率は異なり、半導体チップ30の動作時に発生する熱により、半導体チップ30と基板90(図1参照)との間に応力が発生するが、樹脂から成り可撓性を有する外部接続用基板60によって応力を吸収できるため、電気的接続部にクラックを発生させることがなくなり、半導体チップ30と基板90との間に高い接続信頼性を与えている。なお、第2実施形態では、第2基板60Bの基材として樹脂を用いているが、この代わりに誘電率の高いセラミック板等を採用することで、コンデンサの容量を大きくすることも可能である。
【0037】引き続き、図8,図9を参照して第2実施形態に係る半導体チップ30の製造方法について説明する。ここでは、先ず、半導体チップ側への第1絶縁層36及びビア42の形成については、図2及び図3を参照して上述した第1実施形態と同様であるため、第1基板60Aの形成方法に付いて、図8を参照して説明する。図8の工程(A)に示すように、片面に金属層72の形成された絶縁性基材70に、接着剤層74及びPET(ポリエチレンテレフトレイト)フィルム76を貼り付ける。ここで、絶縁性基材70としては、有機系絶縁性基材であれば使用でき、具体的には、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、ガラス布エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド基材、ビスマレイミドトリアジン樹脂基材から選ばれるリジッド(硬質)の積層基材、あるいは、ポリフェニレンエーテル(PPE)フィルム、ポリイミド(PI)などのフィルムからなるフレキシブル基材から選ばれる1種であることが望ましい。
【0038】前記絶縁性基材70としてはリジッドな積層基材であることが望ましく、特に片面銅張積層板が好適である。金属層72がエッチングされた後の取扱中に配線パターンやバイアホールの位置がずれることがなく、位置精度に優れるからである。
【0039】また、絶縁性基材70に形成された金属層72は、銅箔を使用できる。銅箔は密着性改善のため、マット処理されていてもよい。ここでは、片面銅張積層板を使用する。片面銅張積層板は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂をガラスクロスに含浸させてBステージとしたプリプレグと銅箔を積層して熱プレスすることにより得られる基板である。片面銅張積層板は、リジッドな基板であり、扱いやすくコスト的にも最も有利である。また、絶縁性基材70の表面に、金属を蒸着した後、電解めっきを用い、金属層を形成することもできる。
【0040】絶縁性基材70の厚さは25〜250μm、好ましくは50〜100μmである。絶縁性を確保するためである。これらの範囲より薄くなると強度が低下して取扱が難しくなりとともに十分な可撓性を持たせ難くなり、逆に厚すぎると微細なバイアホールの形成および導電性材料による充填が難しくなるからである。一方、金属層72の厚さは、5〜35μm、好ましくは8〜30μmであり、12〜25μmが好適である。これは、後述するようにレーザ加工にて孔明けした際に、薄すぎると貫通してしまうからであり、逆に厚すぎるとエッチングが難いからである。
【0041】接着剤層74は、有機系接着剤からなることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエーテル(PPE:Polyphenylen ether)、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂との複合樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との複合樹脂、BTレジンから選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが望ましい。
【0042】有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、スプレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。また、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミネートすることによってもできる。接着剤層の厚さは、5〜50μmが望ましい。接着剤層は、取扱が容易になるため、予備硬化(プレキュア)しておくことが好ましい。
【0043】ついで、レーザ加工により、絶縁性基材70に非貫通孔70aを開ける(工程(B))。レーザ加工機としては、炭酸ガスレーザ加工機、UVレーザ加工機、エキシマレーザ加工機などを使用できる。また、孔径は20〜300μmがよい。炭酸ガスレーザ加工機は、加工速度が速く、安価に加工できるため工業的に用いるには最も適しており、本願発明に最も望ましいレーザ加工機である。ここで、炭酸ガスレーザ加工機を用いた場合には、該孔70a内であって、金属層72の表面にわずかながら溶融した樹脂が残りやすいため、デスミア処理することが、接続信頼性を確保するため望ましい。
【0044】引き続き、レーザ加工で開けた非貫通孔70aに電解めっきを充填してスルーホール62Aとする(工程(E))。電解めっきとしては、例えば、銅、金、ニッケル、ハンダめっきを使用できるが、特に、電解銅めっきが最適である。この場合は、バンプを同時に形成することができる。
【0045】電解めっきは、絶縁性基材70に形成された金属層72をめっきリードとして行う。前記金属層72は、絶縁性基材70上の全面に形成されているため、電流密度が均一となり、非貫通孔を電解めっきにて均一な高さで充填することができる。ここで、電解めっき前に、非貫通孔70a内の金属層72の表面を酸などで活性化処理しておくとよい。めっきを行う際には、絶縁性基材70に形成された金属層72の表面側に電解めっきが析出しないように、金属層72側に図示しないマスクをかけておくか、或いは、同じ絶縁性基材70を2枚、金属層72同士を積層密着させてめっき液に触れないようにして、電解めっきを行ことが好ましい。
【0046】次に、さらに工程(D)において、該非貫通孔70a内の残りの空間に導電性ペースト68を充填する。第2実施形態では、電解めっきの高さのばらつきを導電ペースト68により是正してバンプの高さをそろえることができる。なお、この場合導電性ペーストの代えて低融点金属を充填することもできる。
【0047】導電性ペーストは、銀、銅、金、ニッケル、半田から選ばれる少なくとも1種以上の金属粒子からなる導電性ペーストを使用できる。また、前記金属粒子としては、金属粒子の表面に異種金属をコーティングしたものも使用できる。具体的には銅粒子の表面に金、銀から選ばれる貴金属を被覆した金属粒子を使用することができる。
【0048】なお、導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフィド(PPS)などの熱可塑性樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望ましい。
【0049】電解めっきの非貫通孔の充填率(電解めっきの高さ×100/非貫通孔の深さ)は、平均で50%以上、100%未満、より好ましくは、55%〜95%であり、60%〜90%が最適である。
【0050】次に、工程(E)に示すように、金属膜72をパターンエッチングして、導体回路64及びプレーン層66を形成する。
【0051】工程(F)にてフィルム76を除去して、導電性ペースト68を接着剤層74から露出させてバンプ68Aとし、第1基板60Aを完成する。
【0052】引き続き、半導体チップ30、第1基板60A、第2基板60B、第3基板60Cを、熱プレスを用いて加熱し加圧プレスすることにより接着する。ここでは、先ず、加圧されることで、基板60A、60B、60Cのバンプ68A、68B、68Cが、未硬化の接着剤(絶縁性樹脂)74を周囲に押し出し、導体回路44,プレーン層46、導体回路64,プレーン層66と当接し両者の接続を取る。更に、加圧と同時に加熱されることで、接着剤層74が硬化し、半導体チップ30と基板60A、60B、60Cとの間で強固な接着が行われる。なお、熱プレスとしては、真空熱プレスを用いることが好適である。第1実施形態では、絶縁層36、48を硬化させる際に、半導体チップに反りを発生させることがあり得る。これに対して、第2実施形態では、プレーン層を設けた基板を半導体チップに接着剤で貼り付けるため、張り付けの際に、半導体チップに反りを発生させることがない。
【0053】最後に、図7(A)に示すように、半導体チップと反対側のスルーホール62Cの表面にバンプ56を形成する。バンプ56は、例えば、導電性ペーストを所定位置に開口の設けられたメタルマスクを用いてスクリーン印刷する方法、低融点金属である半田ペーストを印刷する方法、半田めっきを行う方法、あるいは半田溶融液に浸漬する方法により形成することができる。低融点金属としては、Pb−Sn系半田、Ag−Sn系半田、インジウム半田等を使用することができる。
【0054】また、上述した実施態様では、バイアホールを形成するための穴をレーザ加工を用いて形成したが、ドリル加工、パンチング加工等の機械的方法で穴開けすることも可能である。
【0055】上述した第2実施形態では、予め基材70側に接着剤層74を塗布してからスルーホール62及び突起状導体68Aを形成した。これにより、突起状導体68Aを接着剤層74から露出させ、電気的な接続信頼性を高めた。この代わりに、突起状導体を形成してから接着剤層74を塗布し、当該接着剤層74を薬液等に晒さないようにして、接着の信頼性を高めることも可能である。




 

 


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