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発明の名称 ウエハプローバ
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2001−144151(P2001−144151A)
公開日 平成13年5月25日(2001.5.25)
出願番号 特願平11−324863
出願日 平成11年11月16日(1999.11.16)
代理人 【識別番号】100095669
【弁理士】
【氏名又は名称】上野 登
【テーマコード(参考)】
2G011
2G014
2G032
4M106
9A001
【Fターム(参考)】
2G011 AA16 AE03 
2G014 AA13 AB51 AC19
2G032 AA00 AB02 AE02
4M106 AA01 BA01 CA01 CA15 CA31 DD01 DD30
9A001 BZ06 KZ37 LZ05
発明者 伊藤 淳 / 平松 靖二 / 伊藤 康隆
要約 目的


構成
特許請求の範囲
【請求項1】 半導体ウエハ上に形成された回路の導通検査に用いられるウエハプローバにおいて、検査される半導体ウエハを載置する検査用ステージの表面には、チャックトップ導体層を設け、前記検査用ステージの内部には、当該内部に設けられる電極を外部端子へ電気的に接続するスルーホールを形成し、当該スルーホールの端面に保護層を設けたことを特徴とするウエハプローバ。
【請求項2】 前記電極は、ガード電極及びグランド電極のうち少なくともいずれか一方からなることを特徴とする請求項1に記載のウエハプローバ。
【請求項3】 前記検査用ステージは、セラミック材料からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のウエハプローバ。
【請求項4】 前記保護層は、ニッケル、コバルト、金、銀又はパラジウムから選ばれる少なくとも一種の金属材料からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のウエハプローバ。
発明の詳細な説明
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に形成された集積回路の導通検査に用いられるウエハプローバに関するものであり、更に詳しくは、導通検査に際して半導体ウエハを電気的に固定するセラミック材料からなる検査用ステージの耐久特性を改善したウエハプローバに関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的に、半導体チップは、シリコン単結晶を所定の厚さにスライスして半導体ウエハを作成した後、この半導体ウエハに種々の集積回路等を形成することにより製造される。この半導体チップの製造工程においては、半導体ウエハの段階で、各集積回路が設計通りに動作するか否かをチェックするプロービング工程が行われる。ウエハプローバは、このプロービング工程において用いられる半導体ウエハ検査装置である。
【0003】従来のウエハプローバとして、例えば、特許第2587289号公報、特公平3-40947号公報、特開平11-31724号公報等に開示されたものが周知である。これらは、アルミニウム合金やステンレス鋼等の金属製チャックトップを有する。これらの金属製のチャックトップを有するウエハプローバは、金属板の厚みが薄いと、プローブカードのテスタピンによりチャックトップが押され、チャックトップの金属板に反りや歪みが発生する他、この反りや歪みに起因して金属板上に載置される半導体ウエハが破損したり傾いたりしてしまう。そのため、チャックトップは、厚め(15mm)に設計されている。その一方で、金属板を厚くすると、熱容量が大きくなり、チャックトップ板の温度が電圧や電流量の変化に対して迅速に追従せず、半導体ウエハの温度制御が困難になる。
【0004】従って、このような問題を解決すべく、発明者等は、金属材料に代えてセラミック材料を用いて検査用ステージを製造することを特願平11-201789号において提案している。かかる検査用ステージは、ウエハプローバ一つ当たり数十枚のグリーンシートを作製し、該当するグリーンシートについてガード/グランド電極等の印刷・パンチング作業等を行った後、これらのグリーンシートを所定の順番で積層し、焼結することにより作製される。ここで、ガード/グランド電極は、外部端子ピンと電気的に接続させる必要があることから、焼結に先だって、ガード/グランド電極と外部端子ピンとの導通部位は、各グリーンシートに孔(スルーホール)が予め形成され、ここに導電性ペーストが充填される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導電性ペーストを充填した状態で焼結を行うと、導電性ペーストの露出部が酸化するという問題がある。酸化してしまうと、導電性能が悪くなり、導通検査の信頼性を低下させることになる。かかる露出部位は、各種ペースト等を介して外部端子ピンとの接合部位となるため、検査用ステージと外部端子ピンとの密着性の点からも、露出部位の酸化は、好ましくない。
【0006】更に、ウエハプローバは、図8に示した形態で使用されるものであり、検査用ステージ501は、外部端子ピンを介して、これを支持する支持台に着脱可能に装着されるようになっている。この着脱は、検査用ステージの外部端子ピンと図示しない支持台のソケットとをはめ合わせたり、取り外したりすることによりなされる。従って、着脱作業がなされても端子ピンと検査用ステージとの接合部位が剥がれ、端子ピンがぐらついたり、はずれたりすることのない耐久性能が要求される。更に、ウエハプローバの使用に際しては、検査用ステージ及びウエハプローバは、300℃に加熱されるため、この加熱によっても、その接合部位の材料特性が変化したり、耐久性能が低下したりしないことが望ましい。
【0007】本発明は、検査用ステージと端子ピンとの密着性を改善することにより耐久特性に優れたウエハプローバを提供することを目的とする。これにより、本発明は、半導体ウエハ上に形成されたテスト信号の入力ミス・測定ミスを有効に防止しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項1に記載のウエハプローバは、検査される半導体ウエハを載置する検査用ステージの表面には、チャックトップ導体層を設け、前記検査用ステージの内部には、当該内部に設けられる電極を外部端子へ電気的に接続するスルーホールを形成し、当該スルーホールの端面に保護層を設けたことを要旨とするものである。
【0009】この場合に、請求項2に記載のように、前記電極は、ガード電極及びグランド電極のうち少なくともいずれか一方とすることが望ましい。
【0010】この場合に、請求項3に記載のように、前記検査用ステージは、窒化物セラミック、炭化物セラミック及び酸化物セラミックに属するセラミックから選ばれる少なくとも一種のセラミック材料により形成することが望ましい。セラミック材料は、剛性が高いため、この表面に金属材料からなるチャックトップ導体層を薄めに形成しても、このチャックトップ導体層に反りが発生しないからである。
【0011】前記チャックトップ導体層は、銅、チタン、クロム、ニッケル、金、銀、白金、タングステン、モリブデンから選ばれる少なくとも一種の金属材料により形成することが望ましく、当該金属材料には、リンやホウ素を若干含有させてもよい。検査用ステージの耐久特性や昇温降温特性が向上するからである。
【0012】前記スルーホールは、タングステン又はタングステンカーバイドから選ばれる少なくとも一種の金属材料を含む導電性ペーストを充填するとよい。これらの金属材料は、電流や電圧値の変化に対してその抵抗値が迅速に変化するため、微妙な温度制御をしやすいからである。また、熱膨張率の点でセラミックス材料との相性がよいからである。
【0013】この場合に請求項4に記載のように、前記保護層は、非酸化金属、具体的には、ニッケル、コバルト、金、銀又はパラジウムから選ばれる少なくとも一種の金属材料から形成することが望ましい。これらの金属は、極めて酸化されにくく、融点が高く、セラミックス材料と検査用ステージとの密着性を向上させるからである。
【0014】また、前記検査用ステージの裏面には、発熱体が設けられるが、この発熱体に前記非酸化性の保護層を設けるようにしてもよい。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に本発明の好適な実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係る一実施形態であるウエハプローバの概略構成を示した断面図、図2は、その平面図であり、図3は、その底面図であり、図4は、図1に示したウエハプローバにおけるA−A線断面図である。
【0016】これらの図において、ウエハプローバ10は、半導体ウエハ上に形成された集積回路の導通検査に用いられるものである。このウエハプローバ10は、検査される半導体ウエハを載置するための検査用ステージ12、検査用ステージ12の表面に形成されるチャックトップ導体層14、検査用ステージ12の裏面に外付式又は埋込式で形成される発熱体16、検査用ステージ12の温度を計測する測温素子等により構成される。また、ウエハプローバ10は、検査用ステージ12及び半導体ウエハの温度を制御する図示しない制御部等に接続されている。
【0017】検査用ステージ12は、材料として窒化アルミニウムを用いて作製されたものである。熱伝導率が180W/mKと高いからである。検査用ステージ12の厚さは、1〜10mmであり、チャックトップ導体層14の厚さ(1〜10μm)より厚くしている。
【0018】検査用ステージ12の材料としては、窒化アルミニウムの他、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタンその他の窒化物セラミック、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タンステンその他の炭化物セラミック及びアルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライトその他の酸化物セラミックが好適なものとして挙げられる。窒化アルミニウムをはじめとしたこららのセラミックは、単独で使用しても、二種以上を併用してもよい。
【0019】また、窒化アルミニウムその他のセラミックス中には、バインダ及び溶剤を混合しておくとよい。バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセルソルブ、ポリビニラールから選ばれる少なくとも一種、溶媒としては、α−テルピオーネ、グリコールから選ばれる少なくとも一種が使用できる。この際に、必要に応じてイットリアなどの焼結助剤を加える。更に、セラミックス材料中には、カーボンを200〜1000ppm含むことが望ましい。セラミック内の電極パターンを隠蔽し、且つ、高輻射熱が得られるからである。カーボンは、X線回折で検出可能な結晶質又は検出不能な非晶質の一方又は両方のいずれでもよい。
【0020】また、検査用ステージ12には、平面視円形状のセラミック板の表面に平面視同心円状に溝18が形成されるとともに、この溝18には半導体ウエハを吸引するための複数の吸引孔20が形成される(図2参照)。
【0021】チャックトップ導体層14は、検査用ステージ12の加熱面側表面に、検査用ステージ12と同心円形状に、その表面形状に沿って1〜10μm程度の厚さで形成される(図1及び図2参照)。チャックトップ導体層14は、該当部位に孔が形成され、検査用ステージ12と一体となって、溝18及び複数の吸引孔20を形成する。チャックトップ導体層14を形成する材料としては、スズ及びホウ素を含有させたニッケルが好適である。ニッケルは、硬度が高く、テスタピンの押圧に対しても変形等しにくいからである。また、チャックトップ導体層14の表面には、貴金属層(金、銀、白金、パラジウム)を0.01〜15μmの厚さで形成する。卑金属のマイグレーションによる汚染を防止するためである。
【0022】チャックトップ導体層14の具体的な構成としては、例えば、リン及びホウ素を各々0.01重量%〜1重量%、0.01重量%〜5重量%の組成で含有させたニッケルスパッタリング層を形成し、その上にリン及びホウ素を同じ組成で含有させた無電解ニッケルめっき層を設けたものや、チタン、モリブデン、ニッケルをこの順序でスパッタリングし、更にその上にニッケルをリン及びホウ素を各々0.01重量%〜1重量%、0.01重量%〜5重量%の組成で含有する無電解めっき若しくは電解めっきで析出させたもの等が挙げられる。尚、チタン、クロムの厚みは、0.1〜0.5μm、モリブデンの厚みは、0.5〜7.0μm、ニッケルの厚みは、0.4〜2.5μmが望ましい。尚、チャックトップ導体層14の材料としては、ニッケルの他、例えば、銅、チタン、クロム、金、銀、白金、タングステン、モリブデンから選ばれる少なくとも一種の金属を用いてもよい。
【0023】ガード電極22及びグランド電極24は、検査用ステージ12の内部に形成され、ストレイキャパシタやノイズを除去するためのものである。ガード電極22及びグランド電極24は、導電性セラミック粒子や金属粒子を含む導電性ペーストAをスクリーン印刷することにより形成される。図4に示したように、これらの電極は、平面視方形状であり、所定の位置に格子状に印刷形成される。
【0024】ガード電極22及びグランド電極24の材料となる導電性ペーストAに含有させる導電性セラミック粒子は、タングステン又はモリブデンの炭化物である。これらの炭化物は、酸化しにくく熱伝導率が低下しにくいからである。また、導電性ペーストAに含有させる金属粒子は、タングステン、モリブデン、白金、ニッケルから選ばれる少なくとも一種である。導電性セラミック粒子及び金属粒子は、その平均粒子径が0.1〜5μmのものが用いられる。印刷に最適な大きさだからである。
【0025】このような導電性ペーストAの具体例としては、上述した金属粒子又は導電性セラミック粒子85〜97重量部、アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ及びポリビニラールから選ばれる少なくとも一種のバインダ1.5〜10重量部、α−テルピオーネ、グリコール、エチルアルコール及びブタノールから選ばれる少なくとも一種の溶媒を1.5〜10重量部混合して調整したものが挙げられる。
【0026】更に、検査用ステージ12の内部には、ガード電極22を電源端子に接続し、グランド電極24をアースするための接続部として、スルーホール26,28が各々形成される。スルーホール26,28は、その直径が約0.1〜10mm程度であり、各々ガード電極、グランド電極の形成部位に対応させて形成される。断線を防止し、クラックや歪みを防止するのに最適な大きさだからである。
【0027】スルーホール26,28には、タングステン又はタングステンカーバイドを含有させた金ろう、銀ろう、パラジウムろう、その他のろう材30が充填される。そして、ろう材の露出面、即ち、スルーホールの端面には、ニッケル、コバルト、金、銀又はパラジウムから選ばれる少なくとも一種の非酸化高融点金属による被膜がスルーホール保護層32としてスパッタリングにより形成される。このスルーホール保護層32の上に、ろう材34(銀ろう・金ろう)を塗布し、これらを接合パッドとして外部端子ピン36が取り付けられる。従って、極めて酸化しにくくなり、温度変化に対して材料が柔らかくなったり脆くなったりすることが回避される。更に、検査用ステージ12と外部端子ピン36との密着性が向上する。
【0028】スルーホール26,28に充填されるろう材30のうち、金ろうとしては、Au-Ni合金が好適である。密着性に優れるからである。Au/Niの比率は、[81.5〜82.5(重量%)]/[18.5〜17.5(重量%)]が好適であり、Au-Ni層の厚さは、0.1〜50μmが望ましい。接続を確保するのに十分な範囲だからである。また、Au-Ni合金中の不純物元素量は、全量を100重量部とした場合に1重量部未満であることが望ましい。
【0029】発熱体16は、検査用ステージ12全体及び半導体ウエハを加熱・冷却して、これらの温度を制御する。発熱体16は、金、白金、パラジウム、ニッケル等の焼結体により形成されており、図3に示したように、略同心円形状、即ち、互いに近い二重の同心円同士が一組として一本の線になるように設けられ、複数の分割された回路として形成されることになる。発熱体16は、その厚さが1〜30μm、その幅が、0.1〜20mmが好ましい。検査用ステージ12の表面に発熱体を形成する場合には、アスペクト比が10〜200になるようにする(図1参照)。
【0030】発熱体16の表面には、スズ及びホウ素を各々0.01重量%〜1重量%、0.01重量%〜5重量%の組成で含有させたニッケル、金、銀、パラジウム及び白金から選ばれた少なくとも一種の金属材料が発熱体保護層38として形成される。窒化アルミニウムとの密着性や熱膨張率との関係が良好であり、電流や電圧の変化に対する応答性が良く温度均一化のための抵抗制御がしやすいからである。
【0031】発熱体保護層38の表面には、更に、ろう材40(銀ろう及び金ろう)を塗布し、これらを接合パッドとしてコバール製の外部端子ピン42を取り付ける。これにより、発熱体16がソケットを介して電源に接続され得る。
【0032】図5は、ウエハプローバ10を設置するための支持台44を模式的に示した断面図である。この支持台44には、冷媒吹出口46が形成されており、冷媒注入口48から冷媒が吹き込まれる。また、吸引口49から空気を吸引して吸引孔20を介してウエハプローバ10上に載置された半導体ウエハ(図示せず)を溝から吸引固定する。
【0033】次に、本発明に係るウエハプローバ10の製造方法を図6〜図7を参照して説明する。まず、セラミックス粉体である窒化アルミニウムをバインダ及び溶剤と混合してペースト状にし、このペーストをドクターブレード法を用いてシート状に成形して厚さ約0.1〜5mmのグリーンシートを作製する。
【0034】グリーンシート50は、ウエハプローバ一つ当たり数十枚作成する。グリーンシート50の一枚の厚さは、0.1〜5mm程度である。また、スルーホール26,28となる部分等には、孔Hをパンチングにより形成しておく。更に、ガード電極22及びグランド電極24に該当する部位に導電性ペーストAを印刷しておく。導電性ペーストAの印刷部位は、スルーホール26,28や吸引孔20が形成される部位に対応させ、その印刷は、グリーンシート50の収縮率に応じて所望のアスペクト比が得られるように行う。
【0035】スルーホール用の孔Hに、ろう材30を充填した後、検査用ステージの発熱体形成側、即ち、外部端子ピン取付側のスルーホールの端面(ろう材の端面)に、ニッケル被膜をスルーホール保護層32としてスパッタリングにより形成する。これにより、焼結時のスルーホール端面の酸化を回避することができる。
【0036】次に、図6(a)に示したように、作製した複数のグリーンシート50をガード電極22、グランド電極24及びスルーホール26,28が所定の位置関係となるように積層する。同図によれば、数枚のグリーンシートのように見えるが、これは模式的に示した図であり、実際には数十枚が積層されることになる。
【0037】次に、図6(b)に示したように、積層体の加熱及び加圧を行い、グリーンシート50及び導電性ペーストAを焼結させる。加熱温度は、1000〜2000℃、加圧力は、100〜200kg/cm2である。加熱及び加圧は、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気下で行う。これにより、ガード電極22、グランド電極24及びろう材30が充填されたスルーホール26,28等が形成される。次に、図6(c)に示したように、ドリル、サンドブラストにより焼結体の表面に平面視同心円状の溝18を形成する。
【0038】次に、図6(d)に示したように、焼結体の底面に導電性ペーストBを印刷してこれを焼成し、発熱体16を形成する。
【0039】次に、図7(e)に示したように、半導体ウエハ載置面(溝形成面)にリン及びホウ素を各々0.01〜1重量%、0.01〜5重量%含有させたチタン、モリブデン、ニッケル等をスパッタリングした後、リン及びホウ素を各々0.01〜1重量%、0.01〜5重量%含有させた無電解ニッケルめっき等を施してチャックトップ導体層14を形成する。また、発熱体16の表面にもリン及びホウ素を各々0.01〜1重量%、0.01〜5重量%含有させた無電解ニッケルめっきにより発熱体保護層38を形成する。
【0040】次に、図7(f)に示したように、溝18から裏面にかけて貫通する吸引孔20を形成する。最後に、図7(g)に示したように、スルーホール保護層32にろう材34(銀ろう及び金ろう)を塗布した後、外部端子ピン36を載せて、200〜500℃で加熱してリフローする。また、発熱体保護層38にも同様にろう材40(銀ろう及び金ろう)を塗布した後、外部端子ピン42を載せて、200〜500℃で加熱してリフローする。また、必要に応じて有底孔を設け、その内部に熱電対を埋め込むことができる。
【0041】以下、本発明を更に詳細に説明する。
(実施例1)ウエハプローバの製造(1) 窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製、平均粒径1.1μm)100重量部、イットリア(平均粒径0.4μm)4重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部及び1−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合した組成物を用いて、ドクターブレード法により成形し、厚さ0.47mmのグリーンシートを得た。
【0042】(2) このグリーンシートを80℃で5時間乾燥させた後、パンチングにてスルーホール用等の貫通孔を形成した。
【0043】(3) 平均粒子径1μmのタングステンカーバイド粒子100重量部、アクリル系バインダ3.0重量部、α−テルピオーネ溶媒3.5重量部及び分散剤0.3重量部を混合してガード電極及びグランド電極を形成するための導電性ペーストAとした。また、平均粒子径3μmのタングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α−テルピオーネ溶媒3.7重量部及び分散剤0.2重量部を混合してスルーホールに充填するためのろう材(導電性ペーストB)とした。
【0044】(4) 次に、グリーンシートにこの導電性ペーストAをスクリーン印刷により格子状に印刷した。また、外部端子ピンと電気的接続を確保するためのスルーホール用の貫通孔に導電性ペーストBを充填した。更に、グリーンシートのスルーホールの端面(ろう材の端面)にスパッタリングにより、厚さ2μmのニッケル被膜をスルーホール保護層として形成した。更に0.1μ,の金層をスパッタリングで形成した。
【0045】(5) このようにして作製された種々のグリーンシートを所定の順番で50枚積層して130℃、80kg/cm2の圧力で一体化することにより積層体を作製した(図6(a)参照)。
【0046】(4) 次に、この積層体を窒素ガス中で600℃で5時間脱脂し、1890℃、圧力150kg/cm2で3時間ホットプレスし、厚さ4mmの窒化アルミニウム板状体を得た。得られた板状体を、直径230mmの円形状に切り出してセラミック製の板状体とした(図6(b)参照)。スルーホールの大きさは、直径3.0mm、深さ3.0mm程度であった。また、ガード電極及びグランド電極の厚さは10μm、ガード電極の形成位置は、半導体ウエハ載置面から1.2mm、グランド電極の形成位置は、半導体ウエハ載置面から3.0mmであった。
【0047】(5) 次に、上記(4)で得た窒化アルミニウム板状体を、ダイアモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、炭化ケイ素によるブラスト処理で、溝を設けた(図6(c)参照)。また、溝形成面と対向面に発熱体を形成するために導電性ペーストBを印刷してこれを焼成し、発熱体を形成した(図6(d)参照)。
【0048】(6) そして、チャックトップ導体層を加熱面に形成すべく、スパッタリング法により、順次、チタン層、モリブデン層、ニッケル層を形成した。スパッタリングのための装置は、日本真空技術株式会社製のSV-4540を使用した。スパッタリングの条件は、気圧0.6Pa、温度100℃、電力200Wであり、スパッタリング時間は、30秒から1分の範囲内で、各金属によって調整した。得られた膜の厚さは、蛍光X線分析計の画像から、チタン層は0.3μm、モリブデン層は2μm、ニッケル層は1μmであった(図7(e)参照)。
【0049】(6) 硫酸ニッケル30g/l、ほう酸30g/l、塩化アンモニウム30g/l、及びロッシェル塩60g/lを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴、及び硫酸ニッケル250〜350g/l、塩化ニッケル40〜70g/l、ホウ酸30〜50g/lを含み、硫酸でpH2.4〜4.5に調整した電解ニッケルめっき浴を用いて、上記(5)で得られたセラミック板を浸漬し、スパッタリングにより形成された金属層(チャックトップ導体層形成部位)及び発熱体の表面に厚さ7μm、ホウ素の含有量が1重量%以下のニッケル層を析出させ、120℃で3時間アニーリングした(図7(e)参照)。
【0050】(7) 次に、チャックトップ導体層に金被膜を形成すべく、更に、表面にシアン化金カリウム2g/l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50g/l及び次亜リン酸ナトリウム10g/lを含む無電解金めっき液に、93℃の条件で1分間浸漬した。これにより、ニッケルめっき層上に厚さ1μmの金めっき層を形成した(図7(e)参照)。
【0051】(8) 次に、図7(f)に示したように、溝から裏面に向ける空気吸引孔をドリル加工により形成した。
(9) また、スルーホール保護層に80%Sn-20%Pbの半田を用い300℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子ピンを取り付けた。また、図示を省略するが、温度制御のための複数熱電対を凹部に埋め込んだ。
(10) 次に、図示を省略するが(1)から(9)の製造工程を経たウエハプローバにプローブ・カードを接続してウエハプローバを得るとともに、検査用ステージの測温素子、発熱体を制御部に接続した。
【0052】(実施例2)厚さ1μmの金層をスパッタリングで形成した他は、実施例1と同様である。これを実施例2とした。
【0053】(比較例1)スルーホール端面にニッケル被膜を形成しない他は、実施例1と同様のウエハプローバを作製した。これを比較例1とした。比較例1についてのその他の構成については、実施例1と同様であるため、その説明は省略する。
【0054】耐久特性の評価は、次のようにして行った。即ち、外部端子ピンの着脱試験を500回繰り返して行った。その結果、実施例1に係るウエハプローバは、半田とスルーホールの界面で剥離が生じなかったが、比較例1に係るウエハプローバには、半田とスルーホールの界面で剥離が生じた。スルーホールの界面に酸化膜が生じ、半田との密着性が低下したためと推定される。このことから、スルーホール端面にニッケル被膜を形成すると検査用ステージと外部端子ピンとの密着性が向上することが判明した。
【0055】以上本発明の一実施の形態について説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、焼結に先だって、スルーホール端面にのみニッケル被膜を形成したが、発熱体形成部位にも同様にニッケル被膜を形成するようにしてもよい。
【0056】
【発明の効果】本発明に係るウエハプローバは、検査される半導体ウエハを載置する検査用ステージを窒化アルミニウムその他のセラミック材料により形成し、その表面には、ニッケルその他の金属材料によるチャックトップ導体層を設けるとともに、前記検査用ステージの内部には、当該内部に設けられる電極を外部端子へ電気的に接続するスルーホールをタングステン、タングステンカーバイドその他の導電ペーストを充填して形成し、当該スルーホールの端面にニッケルその他の金属材料による保護層を設けたものであるから、検査用ステージと外部端子との密着性が向上する。従って、本発明に係るウエハプローバは、その耐久特性を向上させることができる。




 

 


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