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発明の名称 ウエハプローバ
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2001−144150(P2001−144150A)
公開日 平成13年5月25日(2001.5.25)
出願番号 特願平11−324862
出願日 平成11年11月16日(1999.11.16)
代理人 【識別番号】100095669
【弁理士】
【氏名又は名称】上野 登
【テーマコード(参考)】
2G011
2G032
4M106
9A001
【Fターム(参考)】
2G011 AA16 AE03 
2G032 AA00 AE02 AF02 AL00
4M106 AA01 BA01 CA01 CA15 CA31 DD01 DD30
9A001 BZ06 KZ37 LZ05
発明者 伊藤 淳 / 平松 靖二 / 伊藤 康隆
要約 目的


構成
特許請求の範囲
【請求項1】 被検査半導体ウエハを載置するものであってセラミック材料によって形成される検査用ステージの表面にはチャックトップ導体層を形成し、前記検査用ステージの内部には発熱線を埋め込んだことを特徴とするウエハプローバ。
【請求項2】 前記検査用ステージは、窒化物セラミック、炭化物セラミック及び酸化物セラミックに属するセラミック材料から選ばれる少なくとも一種のセラミック材料により形成されていることを特徴とする請求項1に記載のウエハプローバ。
【請求項3】 前記チャックトップ導体層は、タングステン、モリブデン及び白金から選ばれる少なくとも一種の金属材料により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のウエハプローバ。
【請求項4】 前記発熱線は、銅、チタン、クロム、ニッケル、金、銀、白金、タングステン及びモリブデンから選ばれる少なくとも一種の金属材料により形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のウエハプローバ。
発明の詳細な説明
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路の導通検査用のウエハプローバに関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的に、半導体チップは、シリコン単結晶を所定の厚さにスライスして半導体ウエハを作製した後、この半導体ウエハに種々の集積回路等を形成することにより製造される。そして、半導体ウエハの段階で形成した各集積回路が設計通りに動作するか否かがチェックされる(プロービング工程)。このプロービング工程においては、ウエハプローバは、図8に示したように、半導体ウエハWを検査用ステージ501に載置した状態で、テスタピンを配置したプローブ・カード601を接触させて使用される。テスタピンは、集積回路の全電極パッド位置に合わせて配置され、全テスタピンに対応する信号線は、プローブ・カード601からテスターに接続される。
【0003】そして、半導体ウエハの良否は、集積回路へ入力されたテストパターン入力信号に対し、集積回路から出力されるテストパターン出力信号を読み取ることにより判定される。検査中においては、半導体ウエハは、150℃〜200℃の温度に維持しておく必要があるため、検査用ステージの加熱制御が並行してなされる。
【0004】周知のウエハプローバとして、例えば、特許第2587289号公報、特公平3-40947号公報、特開平11-31724号公報等に開示されたものが挙げられる。これら従来のウエハプローバは、アルミニウム合金やステンレス鋼等の金属製検査用ステージを備えたものである。かかる金属製材料によれば、検査用ステージは、厚めにする必要がある(15mm程度)。金属板の厚みが薄いと、テスタピンにより検査用ステージが押され、検査用ステージに反りや歪みが発生し、更にこの反りや歪みに起因して半導体ウエハが破損したり傾いたりするからである。
【0005】もっとも、検査用ステージの厚さを厚くしても、ウエハプローバの重量が増し、かさばることになる。また、金属板が厚くなると、熱伝導率が高い金属を使用しているにもかかわらず、昇温降温特性が悪くなる。そうすると、検査用ステージの温度は、電圧や電流量の変化に対して迅速に追従しなくなり、高温で半導体ウエハを吸引固定すると温度制御ができなくなる。
【0006】そこで、発明者等は、金属製のステージに代えてセラミック材料を用いた検査用ステージを備えたウエハプローバを特願平11-201789号で提案している。セラミック材料による検査用ステージは、セラミック粉体をバインダや溶剤と混合してグリーンシートを作製し、該当するグリーンシートに導電性ペーストをスクリーン印刷により印刷した後、数十枚のグリーンシートを積層して焼結することにより作製される。かかる導電性ペーストを印刷した部位は、ガード電極、グランド電極及び発熱体を形成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導電性ペーストを印刷して焼結によりガード電極、グランド電極及び発熱体を形成すると、その厚さにバラツキが生じる。特に、発熱体は、その厚さが厚いと抵抗値が下がる一方、その厚さが薄いと抵抗値が上がるため、その厚みによって発熱量にバラツキが生じることになる。
【0008】そうすると、検査用ステージは、発熱体の発熱量が多い部分に対応する部分が高めの温度になる一方、発熱体の発熱量が少ない部分に対応する部分が低めの温度になる。従って、検査用ステージの温度制御を行ったとしても、所定の厚さにない発熱体では、そもそも所期する発熱量を得ることができない。その結果、検査用ステージ全体の温度は、均一化がなされ得ない。そこで、発明者等は、焼結すると発熱体の厚さにバラツキが生じるのであれば、初めから均一な厚さの金属線を埋め込んだらどうかという技術的手段を見い出すに至った。
【0009】更にウエハプローバの場合、150℃〜200℃の状態でテスタピンを押し当てるため、ヤング率が低下した状態で荷重がかかることになり、ステージが若干たわむ。このようなたわみが繰り返されると、内部あるいは表面に存在する印刷で形成された発熱体や電極は、導電体粒子の結合体であるため、応力で粒子同士が離れてしまい、抵抗値が高くなってしまうというプローバ特有の問題も見られた。
【0010】本発明は、金属材料からなる発熱線を埋め込んで抵抗制御を正確に行うことにより、所期する発熱量を得て検査用ステージ全体の温度を均一化することができるウエハプローバを提供することを目的とする。これにより、本発明は、導通検査の測定ミスを防止して、その信頼性を向上させようとするものである。本発明の他の目的は、導通試験を繰り返し行っても抵抗値が変動しないプローバを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項1に記載のウエハプローバは、被検査半導体ウエハを載置するものであってセラミック材料によって形成される検査用ステージの表面にはチャックトップ導体層を形成し、前記検査用ステージの内部には発熱線を埋め込んだことを要旨とするものである。発熱線を埋め込んだのは、その断面形状を一定にできるためバラツキのない発熱量が得られ、部位による抵抗値のバラツキが回避されるからである。
【0012】また、ウエハプローバの場合、150℃〜200℃の状態でテスタピンを押し当てるため、ヤング率が低下した状態で荷重がかかることになり、ステージが若干たわむ。このようなたわみが繰り返されると、内部あるいは表面に存在する印刷で形成された発熱体や電極は、導電体粒子の結合体であるため、応力で粒子同士が離れてしまい、抵抗値が高くなってしまうが、発熱線を用いた場合は、このような問題が全く発生しない。
【0013】尚、USP5616024号には、タングステン線をコイル状にしたホットプレートが開示されているが、ウエハプローバへの応用については記載、示唆ともなく、押圧した場合に発生する発熱体の抵抗変化という問題については知り得ないことを付記しておく。
【0014】この場合に、請求項2に記載されるように、前記検査用ステージは、窒化物セラミック、炭化物セラミック及び酸化物セラミックに属するセラミック材料から選ばれる少なくとも一種のセラミック材料により形成するとよい。セラミック材料は、剛性が高いため、この表面にチャックトップ導体層を薄めに形成しても、このチャックトップ導体層に反りや歪みが発生しないからである。
【0015】この場合に、請求項3に記載されるように、前記チャックトップ層は、タングステン、モリブデン及び白金から選ばれる少なくとも一種の金属材料により形成するとよい。
【0016】この場合に、請求項4に記載されるように、前記発熱線は、銅、チタン、クロム、ニッケル、金、銀、白金、タングステン及びモリブデンから選ばれる少なくとも一種の金属材料により形成するとよい。これらの金属材料は、電流や電圧値の変化に対してその抵抗値が迅速に変化するため、微妙な温度制御をしやすいからである。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に本発明の好適な実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図1(a)は、本発明に係る一実施形態であるウエハプローバの概略構成を示した断面図、図1(b)は、発熱線の形状、図1(c)は、発熱線のパターン、図2は、その平面図であり、図3は、図1に示したウエハプローバにおけるA−A線断面図である。
【0018】これらの図において、ウエハプローバ10は、半導体ウエハ上に形成された集積回路の導通検査に用いられる。ウエハプローバ10は、窒化アルミニウムを主材料として作製された厚さ1〜10mm程度の半導体ウエハの導通検査用のセラミックステージ12を備える。セラミックステージ12は、検査対象となる半導体ウエハを吸着固定して、これを数百℃に加熱するヒータとして機能するものであり、当該ステージ12の内部には、ウエハ載置面側から順にガード電極14、グランド電極16及び発熱線18が形成される。
【0019】かかるガード電極14及びグランド電極16は、後述する導電性ペーストAを印刷・焼結して形成されたものであり、ストレイキャパシタやノイズを除去するためものものである。ガード電極14及びグランド電極16は、それぞれ、後述する導電性ペースト充填されたスルーホール20,22、及びコバール製端子ピン24,26を介して電源制御部に接続されるようになっている。導電性ペーストA,Bは、タングステン又はモリブデンの炭化物その他のセラミック粒子のほか、タングステン、モリブデン、白金又はニッケルその他の金属粒子を主に含有させたものである。これらの粒子は、酸化しにくく熱伝導率が低下しにくいからである。
【0020】次に発熱線18について説明する。発熱線18は、図1(b)に示したようにらせん状にすることが望ましい。らせん状にすると、荷重がかかってたわんだ場合でも、発熱体がバネのような形状であるため、弾性体となり、変形量を吸収でき、断線しにくく、抵抗変化率も小さいからである。発熱体18自体の断面形状は、円が望ましい。抵抗値を均一にしやすいからである。直径は、0.05mm〜1mm程度がよい。発熱体18は、上述したようにらせん状にすることが望ましいが、その断面は、円又は楕円であることが望ましく、直径(楕円の場合は短径)が0.1mm〜2mm程度であることが望ましい。また、らせんの断面が楕円である場合は、アスペクト比(長径/短径)=1.5〜3が望ましい。また、らせんの断面が楕円である場合は、短径をセラミックステージの厚み方向とすることが望ましい。ウエハを加熱する加熱面(チャックトップ導体層形成面)に対する放熱面積を大きくできるからである。らせん状の発熱体18のパターンとしては、渦巻、同心円状がよい。発熱体18は、タングステン、モリブデン、ニッケル−クロム合金、タングステン−ニッケル合金が望ましい。発熱体18は、セラミックステージ12(セラミック基板)から露出し導電性ペーストが充填されたスルーホール28、及びコバール製端子ピン30を介して電源制御部との接続がなされる。
【0021】溝32は、セラミックステージ12の表面に平面視同心円形状に形成されるとともに、吸引孔34は、溝32に連通して設けられ、セラミックステージ12の軸方向に貫通して形成されている。即ち、セラミックステージ12は、溝32を介して半導体ウエハを吸引孔34から吸引して当該ステージの表面に固定するように構成される(図2参照)。
【0022】チャックトップ導体層36は、ニッケルからなるものであり、セラミックステージ12と同心円形状にその加熱面側表面に、1〜10μm程度の厚さで形成される(図1及び図2参照)。ニッケルには、リン及び/又はホウ素を各々0.01重量%〜1重量%、0.01重量%〜5重量%の組成で含有させてもよい。従って、チャックトップ導体層36は、セラミックステージ12と一体となって、溝32及び吸引孔34を形成する。チャックトップ導体層36の表面には、貴金属層(金、銀、白金、パラジウム)が0.01〜15μmの厚さで設けられる。
【0023】有底孔38は、半導体ウエハの加熱面の反対側から加熱面に向けて設けられ、セラミックステージ12の温度を測定する測温素子40(熱電対、白金測温抵抗体、サーミスタ等)が挿入される。熱電対としては、例えば、JIS-C-1602(1980)に挙げられたK型、R型、B型、S型、E型、J型、T型が使用できる。
【0024】電源制御部42は、発熱線18や測温素子40に接続されており、測温素子40によって測定されたセラミックステージ12の温度に基づいて発熱線18の抵抗値を制御し、これにより、発熱線18の発熱量を制御するものである。発熱線18は、断面形状が一定の線条体であるため均一な径みを有するから、電源制御部42による制御によって、抵抗値はセラミックステージ12全体に亘ってバラツキがないように制御される。これにより、得られる発熱量は、所期するものが得られる。その結果、セラミックステージ12の全体はバラツキのない温度が維持される。
【0025】次に、本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造方法の一例を図4〜図7を参照して説明する。
(1) 最初に窒化アルミニウム粉体、バインダ、溶剤を混合してスプレードライヤ法により顆粒状にし、この顆粒を金型に入れてプレスし、円板状の生成形体44とする。この表面に発熱体18を埋設するための溝46をドリルによるザグリ加工で設ける(図4(a))。次にこの生成形体44を図5(a)のように黒鉛製の成形型48に入れる。更に、図4(b)のように発熱線(発熱体18)をはめ込む。次に図5(b)のように窒化アルミニウム顆粒を成形型48に入れて、図5(c)のように押棒50でプレスして、図5(d)のように、発熱体18を埋設した生成形体44を得る。生成形体44を更にドリル加工して発熱体18に至る孔Hを設け、ここに導電性ペーストBを充填しておく。この充填された部分はスルーホール28(図1参照)となって、発熱体18と外部電源との電気的な接続を果たす。得られた生成形体をグリーンシート52(図6(a)参照)とする。
(2) 窒化アルミニウムの粉体をバインダ及び溶剤と混合してペーストを得る。バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセルソルブ、ポリビニラールから選ばれる少なくとも一種、溶媒としては、α−テルピオーネ、グリコールから選ばれる少なくとも一種が使用できる。この際に、必要に応じてイットリアなどの焼結助剤を加える。これらを混合したペーストをドクターブレード法でシート状に成形してグリーンシート54を作製する(図6(a)参照)。
【0026】次に、グリーンシート54に電極14,16を形成させるため導電性ペーストAを印刷する。導電性セラミック粒子及び金属粒子は、その平均粒子径が0.1〜5μmのものが用いられる。導電性ペーストAとしては、金属粒子(タングステン、モリブデン等)又は導電性セラミック粒子(タングステン炭化物又はモリブデン炭化物)85〜97重量部、アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ及びポリビニラールから選ばれる少なくとも一種のバインダ1.5〜10重量部、α−テルピオーネ、グリコール、エチルアルコール及びブタノールから選ばれる少なくとも一種の溶媒を1.5〜10重量部混合して調製したものを用いることができる。更に、スルーホールとなる部位に導電性ペーストBを充填する。この導電性ペーストBは、導電性ペーストAと同様にして調製されるものである。
【0027】次に、図6(a)に示したように、グリーンシート52((1)の生成形体)、及びグリーンシート54を所定の順で積層する。
【0028】(3) 次に、図6(b)に示したように、積層体の加熱及び加圧を行い、グリーンシート52,54及び導電性ペーストA,Bを焼結させる。加熱温度は、1600〜2000℃、加圧力は、80〜200kg/cm2である。加熱及び加圧は、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下で行う。この工程で電極14,16、発熱体18、及びスルーホール20,22,28等のセラミックステージ12の基本的な構成ができあがる。
【0029】(4) 次に、図6(c)に示したように、焼結体の表面に溝32及び有底孔38をドリル、サンドブラスト等により形成する。
【0030】(5) 次に、図7(d)に示したように、半導体ウエハ載置面(溝形成面)に、リン及び/又はホウ素を各々0.01〜1重量%、0.01〜5重量%含有させたチタン、モリブデン、ニッケル等をスパッタリングした後、リン及び/又はホウ素を各々0.01〜1重量%、0.01〜5重量%含有させた無電解ニッケルめっき等を施してチャックトップ導体層36を形成させる。
【0031】(6) 次に、図7(e)に示したように、溝32から裏面にかけて貫通する吸引孔34及び袋孔56を設ける。
(7) 最後に、図7(f)に示したように、タングステン線が露出した部位に、導電性ペーストC(銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズ等の半田ペースト)を印刷して接合面を設けた後、外部端子ピン30を載せて、200〜500℃で加熱してリフローする。また、袋孔56に金ろうを充填し、外部端子ピン24,26を載せて、200〜500℃で加熱してリフローする。有底孔38には、測温素子40として熱電対を埋め込み固定する。
【0032】以下、本発明を更に詳細に説明する。
(実施例1)ウエハプローバの製造(1) 窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製、平均粒径1.1μm)100重量部、イットリア(平均粒径0.4μm)4重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部及び1−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合した組成物を用いてスプレードライヤ法により顆粒状にし、この顆粒を金型に入れてプレスし、円板状の生成形体とした。この生成形体の表面に発熱体を埋設するための溝をドリルによるザグリ加工で設けた後、これを黒鉛製の成形型に入れ、更に、発熱線をはめ込んだ。次に窒化アルミニウム顆粒を成形型に入れてプレスし、発熱体を埋設した生成形体を得た。生成形体を更にドリル加工して発熱体に至るスルーホール28用の孔を設け、ここに導電性ペーストBを充填した。尚、本実施例で用いる導電性ペーストAは、電極形成用であり、平均粒子径1μmのタングステンカーバイド粒子100重量部、アクリル系バインダ3.0重量部、α−テルピオーネ溶媒3.5重量部及び分散剤0.3重量部を混合したものである。また、導電性ペーストBは、スルーホール形成用であり、平均粒子径3μmのタングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α−テルピオーネ溶媒3.7重量部及び分散剤0.2重量部を混合したものである。
(2) 更に、窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製、平均粒径1.1μm)100重量部、イットリア(平均粒径0.4μm)4重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部及び1−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合した組成物を用いて、ドクターブレード法により成形し、厚さ0.47mmのグリーンシートを得た。
【0033】このグリーンシートを80℃で5時間乾燥させた後、パンチングにてスルーホール20,22用の貫通孔を形成した。
【0034】次に、グリーンシートにこの導電性ペーストAをスクリーン印刷により格子状に印刷した。また、スルーホール20,22を形成する孔に導電性ペーストBを充填した。このようにして作製したグリーンシート(電極を設けないもの及び電極を設けたもの)と(1)の生成形体とを所定の順番で50枚積層して130℃、80kg/cm2の圧力で一体化することにより積層体を作製した(図6(a)参照)。
【0035】(3) 次に、この積層体を窒素ガス中で600℃で5時間脱脂し、1890℃、圧力150kg/cm2で3時間ホットプレスし、厚さ4mmの窒化アルミニウム板状体を得た。得られた板状体を、直径230mmの円形状に切り出してセラミック製の板状体とした(図6(b)参照)。スルーホール20,22の大きさは、直径3.0mm、深さ3.0mm程度であった。また、ガード電極14及びグランド電極16の厚さは10μm、ガード電極14は、半導体ウエハ載置面から1.2mmのところ、グランド電極16は、半導体ウエハ載置面から3.0mmのところに形成された。
【0036】(4) 次に、上記(2)で得た窒化アルミニウム板状体をダイアモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し炭化ケイ素によるブラスト処理で溝32を設けた。また、同様の処理によって有底孔38を設けた(図6(c)参照)。
【0037】(5) 次に、スパッタリング法により、順次、チタン層、モリブデン層、ニッケル層を形成した。使用したスパッタリング用装置は、日本真空技術株式会社製のSV-4540である。スパッタリングの条件は、気圧0.6Pa、温度100℃、電力200Wであり、スパッタリング時間は、30秒から1分の範囲内で各金属によって調整した。膜厚は、蛍光X線分析計の画像からチタン層が0.3μm、モリブデン層が2μm、ニッケル層が1μmであった(図7(d)参照)。
【0038】硫酸ニッケル30g/l、ほう酸30g/l、塩化アンモニウム30g/l、及びロッシェル塩60g/lを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴、及び硫酸ニッケル250〜350g/l、塩化ニッケル40〜70g/l、ホウ酸30〜50g/lを含み、硫酸でpH2.4〜4.5に調整した電解ニッケルめっき浴を用いて、上記(4)で得られたセラミック板を浸漬し、スパッタリングにより形成された金属層の表面に厚さ7μm、ホウ素の含有量が1重量%以下のニッケル層を析出させ、120℃で3時間アニーリングした(図7(d)参照)。
【0039】更に、表面にシアン化金カリウム2g/l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50g/l及び次亜リン酸ナトリウム10g/lを含む無電解金めっき液に、93℃の条件で1分間浸漬し、ニッケルめっき層上に厚さ1μmの金めっき層を形成し、チャックトップ導体層36とした(図7(d)参照)。
【0040】(6) 次に、溝から裏面に抜ける吸引孔34をドリル加工により形成し、更に、充填した導電性ペーストBを露出させるための袋孔56を設けた(図7(e)参照)。この袋孔56にNi-Au合金(Au81.5重量%、Ni18.4重量%、不純物0.1重量%)からなる金ろうを用い、970℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子24,26を接合した(図7(f)参照)。また、温度制御のための複数熱電対を有底孔38に埋め込み、ろう材等で固定した。熱電対や外部端子を電源制御部に接続した。
【0041】(比較例1)実施例1で用いたタングステン線に代えて、導電性ペーストAを印刷・焼結したものを発熱体として形成させたほかは、実施例1と同様の構成をとるものを作製した。これを比較例1とした。
【0042】(抵抗制御評価)次に抵抗制御評価は次のように実施した。セラミックステージの温度を200℃まで昇温させ、表面温度をサーモビュア(日本データム株式会社製 IR-162010-0012)で測定し、特定の2点間の最高温度と最低温度との差ΔTを比較した。実施例では1℃であったが、比較例では、同じ位置の2点間の最高温度と最低温度との差ΔTは、3.0℃であった。また、200℃で150kgf/cm2の押圧試験を10000回実施し、発熱体抵抗値の変化率をマルチメータで調べた。実施例1では殆ど抵抗変化がなかったが、比較例では5%であった。従って、発熱体としてタングステン線を埋め込めば、温度均一化が図られ更に耐久特性が向上することが判明した。
【0043】以上本発明の一実施の形態について説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。例えば、発熱線の材料は、タングステンに限定されるものではなく、モリブデン又は白金その他の金属材料であってもよい。
【0044】また、セラミックステージの材料は、窒化アルミニウムに限定されるものではなく、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタンその他の窒化物セラミック、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タンステンその他の炭化物セラミック及びアルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライトその他の酸化物セラミックであってもよい。こららは、単独でも二種以上を併用してもよい。
【0045】また、チャックトップ導体層の材料は、ニッケルに限定されるものではなく、銅、チタン、クロム、金、銀、白金、タングステン及びモリブデンその他の金属材料であってもよい。これらは、単独でも二種以上を併用してもよい。更に、チャックトップ導体層の構成は、例えば、チタン、モリブデン、ニッケルをこの順序でスパッタリングし、更にその上にニッケルをリン及び/又はホウ素を含有する無電解めっき若しくは電解めっきで析出させたものでもよい。尚、チタン、クロムの厚みは、0.1〜0.5μm、モリブデンの厚みは、0.5〜7.0μm、ニッケルの厚みは、0.4〜2.5μmが望ましい。
【0046】
【発明の効果】本発明に係るウエハプローバは、窒化アルミニウム材料によるセラミックステージの表面にはニッケルによるチャックトップ導体層を形成し、前記セラミックステージの内部にはタングステンによる断面一定形状の線状弾性体を埋め込んだものであるから、セラミックステージ全体の温度を均一化することができる。また、前記セラミックステージには、ウエハプローバのテスタピンによる押圧が高温状態で加わるが、その場合のステージの形状変化によって発熱体抵抗も変化せず、プローバとして最適である。従って、導通試験の信頼性の向上を実現できる。




 

 


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