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番号 発明の名称
1 半導体集積回路装置
2 演算増幅器
3 レベルシフト出力回路を有する半導体集積回路装置
4 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、およびこれに用いられる表示装置用基板
5 チップ型抵抗器の構造
6 積層セラミックコンデンサの製造方法
7 固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の構造
8 半導体装置の製造方法
9 半導体装置の製造方法
10 LEDチップの取付構造
11 チップ型発光ダイオードの製造方法
12 LEDチップ、ワイヤレスチップLED及び、LEDチップの製造方法
13 LED及びそれを用いた表示装置
14 固体電解コンデンサ
15 膜型抵抗器の構造
16 サーマルプリントヘッド
17 薄膜型抵抗器の構造及び抵抗値調整方法
18 薄膜型チップ抵抗器の製造方法
19 半導体集積回路装置
20 半導体集積回路装置
21 撮像装置
22 シリコン基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法
23 A面サファイア基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法
24 パワードライブ回路
25 パッケージ型固体電解コンデンサの構造及びその製造方法
26 チップ型発光装置
27 パワードライブ回路
28 半導体装置およびその製造方法
29 発光ダイオ−ドランプ
30 半導体発光装置の製造方法
31 発光ダイオ−ド
32 薄膜型抵抗器の構造
33 半導体装置及びその製造方法
34 半導体集積回路装置
35 赤外線データ通信モジュールの電磁シールド用キャップ
36 発光ダイオ−ド素子とその製造方法
37 発光半導体装置
38 発光ダイオ−ドチップとその製造方法
39 半導体レーザおよびその製法
40 有機EL素子およびその製法ならびに表示装置
41 チップ抵抗器の構造及び製造方法
42 チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法
43 半導体チップの実装方法、半導体チップの実装構造、およびチップ一体型の液晶表示モジュール
44 パワーMOSトランジスタ
45 パワーMOSトランジスタ
46 半導体装置
47 赤外線データ通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジュール
48 赤外線送受信モジュールの製造方法および赤外線送受信モジュール
49 赤外線データ通信モジュールの製造方法
50 赤外線送受信モジュールおよびその製造方法
51 赤外線送受信モジュールの製造方法および赤外線送受信モジュール
52 半導体レーザ
53 半導体レーザ
54 半導体レーザ
55 誘導性負荷駆動回路
56 チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法
57 卑金属を主成分とする内部電極を有する積層型セラミックコンデンサ
58 半導体装置
59 半導体装置の製造方法
60 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置
61 半導体基板のマガジンラックからの取出し供給装置
62 赤外線データ通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジュール
63 電圧制御発振回路
64 チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法
65 半導体装置の製造方法
66 半導体装置の製造方法
67 半導体装置の製造方法
68 半導体装置の製造方法
69 半導体装置の製造方法
70 半導体チップおよび半導体チップの製造方法
71 半導体装置およびそれに用いる半導体チップ
72 チップ・オン・チップ構造の半導体装置
73 半導体装置
74 半導体装置
75 半導体チップ
76 半導体装置
77 発光素子およびその製造方法
78 LEDランプ
79 遅延時間が設定可能な遅延回路およびその遅延時間測定方法
80 プログラム可能な信号処理セルおよびプログラム可能な信号処理装置
81 信号処理セルおよび信号処理装置
82 不揮発性メモリ
83 半導体装置
84 誘電体キャパシタおよびその製造方法
85 不揮発性メモリを用いた光−電気変換装置、およびこれを利用した画像装置
86 チップ型半導体装置
87 コネクタ付きの配線基板、およびその製造方法
88 チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法
89 固体電解コンデンサおよびその製法
90 固体電解コンデンサおよびその製法
91 エピタキシャル成長装置および半導体装置の製造方法
92 半導体装置およびその製造方法
93 半導体装置および半導体チップ、ならびに半導体装置の製造方法
94 半導体装置
95 不揮発性メモリ
96 面実装用光半導体装置
97 レーザビームの受光部ユニット
98 フォトインタラプタおよびその製造方法
99 半導体発光装置
100 半導体発光装置

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