米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 電気素子 -> シャープ株式会社

番号 発明の名称
1 電気又は電子機器
2 単頭プラグおよびジャック
3 レジスト剥離装置
4 エピタキシャルに成長した鉛ゲルマネート膜およびその堆積方法
5 c軸配向鉛ゲルマネートの膜およびその堆積方法
6 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
7 基板間の接続方法及び基板間接続装置
8 半導体素子の実装構造
9 高周波半導体装置
10 フリップチップ接続構造体
11 半導体装置の製造方法
12 半導体装置及びその製造方法
13 バリアに耐熱金属を用いた複合イリジウム−金属−酸素バリア構造とその形成方法
14 多層状電極の鉛ゲルマネート強誘電体構造およびその堆積方法
15 ダマシンFeRAMセル構造およびその製造方法
16 絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
17 半導体装置の製造方法
18 半導体装置およびその作製方法
19 半導体装置およびその製造方法
20 光送受信モジュールおよびその製造方法
21 薄膜太陽電池
22 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
23 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
24 発振器及びその発振特性調整方法
25 フル差動増幅装置
26 チャージポンプ回路
27 シールドケース及びその取付構造並びにその取付方法
28 アンテナシステム
29 符号長検出装置および可変長符号復号装置
30 半導体記憶装置
31 交換結合膜の製造方法および磁気抵抗効果膜
32 半導体薄膜の成長方法、および半導体レーザ装置の製造方法
33 多層配線基板及びその製造方法及び電子機器
34 多層プリント回路基板
35 フレキシブル多層配線基板、及びその製造方法
36 携帯型電子機器
37 高周波ユニット及びその製造方法
38 電圧レベルシフタおよびディスプレイデバイス
39 電圧レベルシフタおよびポリシリコンディスプレイ
40 パラレル/シリアル変換回路
41 ロール状ヒータ及び該ロール状ヒータを用いた定着装置
42 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
43 SOIのLCD投影型ディスプレイ用TFTアレイ基板
44 光電変換装置
45 LED表示装置
46 超伝導素子
47 円筒型電子源を用いた冷陰極及びその製造方法
48 電子源、その製造方法及びそれを用いて形成した画像形成装置
49 半導体発光装置
50 フォトサイリスタ素子および双方向フォトサイリスタ素子
51 半導体装置及びその製造方法
52 太陽電池モジュールおよびその製造方法
53 太陽電池モジュール熱処理装置及び太陽電池モジュール熱処理方法
54 半導体レーザ装置およびその製造方法
55 基板用カセット
56 コンバータ、受信装置およびアンテナ方向調整装置
57 アンテナの角度調整装置
58 レベルシフト回路および半導体装置
59 PLL回路
60 高周波モジュール
61 半導体層の成長方法
62 レーザ照射方法及び半導体装置の製造方法
63 半導体のエッチング液、調製方法及びエッチング方法
64 プラズマ処理装置
65 半導体装置及びその製造方法
66 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
67 電子部品製造装置および方法
68 半導体装置の製造方法
69 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
70 半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置
71 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
72 不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
73 半導体装置の製造方法及び半導体装置
74 回路内蔵受光素子およびその製造方法
75 リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
76 半導体レーザ素子、その製造方法及び光学部品
77 ドープド半導体材料、ドープド半導体材料の製造方法、および半導体デバイス
78 2周波共用フィード
79 アンテナシステム
80 レベルシフタ回路
81 充電台
82 電子レンジ
83 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
84 有機LEDディスプレイの有機層形成用塗液及び有機LEDディスプレイの製造法
85 高周波加熱装置用昇圧変圧器
86 結晶シリコン膜の形成方法および太陽電池の製造方法
87 バッチ式処理槽
88 半導体装置及びその製造方法、並びに液晶モジュール及びその搭載方法
89 過電流検出機能付半導体集積回路およびその製造方法
90 シリサイドを用いた電子素子およびその製造方法
91 量子演算素子および集積回路
92 MOSトランジスタ及びその製造方法
93 受光装置
94 光電変換素子、その製造方法及び太陽電池
95 化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子
96 半導体デバイス
97 冷陰極光源及び薄型画像形成装置
98 金配線を有する半導体装置およびその製造方法
99 III−V族窒化物半導体の製造方法
100 窒素化合物半導体膜構造及び窒素化合物半導体素子並びにそれらの製造方法

[1][2][3][4][5][6][7][8][9]
 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013