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番号 発明の名称
1 アミン汚染防止用トップコーティング組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子
2 反射防止用重合体とその製造方法、反射防止膜組成物、パターン形成方法および半導体素子
3 有機反射防止膜用組成物とその製造方法
4 フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子
5 フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト重合体とその製造方法、これを利用したフォトレジスト組成物、及び、半導体素子
6 フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法および半導体素子
7 添加剤、化合物の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子
8 フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、半導体素子
9 フォトレジストオーバーコーティング用組成物、及びこれを利用したフォトレジストパターン形成方法
10 TIPS工程用フォトレジスト組成物
11 レジストフロー工程用フォトレジスト組成物、及びこれを利用したコンタクトホールの形成方法
12 レジストフロー工程用フォトレジスト組成物、及びこれを利用したコンタクトホールの形成方法

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