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番号 発明の名称
1 ペリクルおよびペリクルの製造方法
2 ペリクルフレームの乾燥仕上げ方法および乾燥仕上げ装置
3 ペリクル収納容器の洗浄方法
4 リソグラフィ用ペリクル
5 熱定着用シリコーンゴムロール
6 リソグラフィー用ペリクル
7 レジスト材料及びパターン形成方法
8 位相シフト型フォトマスク
9 半導体リソグラフィ用ペリクル
10 半導体フォトマスク用石英基板の乾燥方法
11 レジスト材料及びパターン形成方法
12 フォトレジスト組成物
13 レジスト材料及びパターン形成方法
14 レジスト材料及びパターン形成方法
15 リソグラフィー用ペリクル及びペリクルの使用方法
16 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
17 反射防止膜材料及びパターン形成方法
18 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
19 レジスト材料
20 レジスト材料及びパターン形成方法
21 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
22 レジスト組成物
23 反射防止膜材料及びパターン形成方法
24 静電荷像現像用トナー外添剤
25 静電荷像現像用トナー外添剤
26 静電荷像現像用トナー外添剤
27 ペリクル容器
28 レジストパターン用表面処理剤及びパターン形成方法
29 ペリクルフレーム、これを用いたペリクル及びペリクルの製造方法
30 熱硬化性感光材料
31 位相シフトマスク及びその製造方法
32 リフトオフレジスト組成物
33 トナーおよび流動性付与剤が外添されたトナーの製造方法
34 リソグラフィー用ペリクル
35 半導体リソグラフィ用ペリクル
36 リソグラフィー用ペリクル
37 リソグラフィ用ペリクル
38 リソグラフィー用ペリクル
39 化学増幅型レジスト材料
40 リソグラフィー用ペリクルおよびペリクル膜の反りの緩和方法
41 レジスト材料及びパターン形成方法
42 フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク
43 フォトマスクブランクス、フォトマスク及びこれらの製造方法
44 静電荷像現像キャリア用コーティング剤およびそれを用いた静電荷像現像用キャリア
45 レジスト材料及びパターン形成方法
46 化学増幅ポジ型レジスト材料
47 化学増幅ポジ型レジスト材料
48 化学増幅型レジスト材料
49 フォトマスク用ブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法
50 レジスト材料及びパターン形成方法
51 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

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