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番号 発明の名称
1 レイアウトパターン検証装置、その方法およびそのプログラムを記録した媒体、並びにレイアウトパターン補正装置、その方法およびそのプログラムを記録した媒体
2 反射防止膜用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置の製造方法
3 多層配線プロセス用転写マーク構造および多層配線プロセス用転写マーク作成方法
4 位相シフタ膜およびその製造方法
5 パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置
6 パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置
7 X線マスクのバックエッチ方法、及びX線マスクのバックエッチ装置
8 記録媒体およびその記録方法
9 投射型表示装置
10 プリント機能付きディスプレイ装置
11 フォトマスクおよび半導体装置およびフォトマスクを用いた露光方法
12 半導体露光用レティクル、半導体露光用レティクルの製造方法および半導体装置
13 レジストのパターニング方法
14 撮像装置
15 プロジェクター
16 現像装置、基板、及びプラズマディスプレイパネル
17 ワイパー装置及びこのワイパー装置を用いた監視カメラ装置
18 モニタマークを備える写真製版用マスクおよびその製造方法
19 ウェハパターン誤差の要因解析方法および写真製版用マスクの製造装置
20 背面投射型画像表示装置
21 投射型表示装置
22 レイアウト補正装置
23 レジストパターン微細化材料及びこの材料を用いた半導体装置の製造方法並びにこの製造方法を用いた半導体装置
24 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法
25 照明装置及びその製造方法
26 フォトマスク、フォトマスクペア、半導体装置および半導体装置の製造方法
27 光源装置および投写型表示装置
28 赤外線プロジェクタ
29 投写型表示装置
30 レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法および有機系反射防止膜の除去装置
31 テーパ形状の形成方法
32 微細レジストパターン形成方法および装置
33 半導体装置の製造方法および有機反射防止膜組成物
34 露光用光源装置
35 パターン形成用材料およびパターン形成方法ならびに半導体装置の製造方法
36 カラー記録媒体およびこれを用いた記録方法
37 フォトレジスト除去方法
38 プロジェクター装置
39 背面投写型映像表示装置
40 ブラックマトリクスの形成方法およびこれを用いたカラー陰極線管
41 投写型表示装置
42 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法
43 投写型映像表示装置
44 投写型表示装置
45 半導体集積回路装置用マスク、および半導体集積回路装置の製造方法ならびにその製造方法によって製造されたDRAM装置
46 ディスプレイ装置および画像投影方法
47 投射型映像表示装置
48 パターン歪み補正装置、パターン歪み補正方法、およびパターン歪み補正プログラムを記録した記録媒体
49 画像表示装置
50 照明光源装置および投写型表示装置

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