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発明の名称 半導体工場
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開2001−65183(P2001−65183A)
公開日 平成13年3月13日(2001.3.13)
出願番号 特願平11−285967
出願日 平成11年10月6日(1999.10.6)
代理人 【識別番号】100072718
【弁理士】
【氏名又は名称】古谷 史旺 (外1名)
【テーマコード(参考)】
2E163
【Fターム(参考)】
2E163 DA06 FA12 FB23 FB32 FB42 FB45 FB47 FB50 FF01 FF03 
発明者 柿崎 治郎 / 中川 祥男 / 谷口 和人
要約 目的


構成
特許請求の範囲
【請求項1】 大屋根を備えたメイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、メイン製造エリアの大屋根を受ける桁往方向の梁を、ニートラス状またはフィーレンディールの形状とし、内部にダクト貫通用空間を設けたことを特徴とする半導体工場。
【請求項2】 メイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、メイン製造エリアの下部ユーティリティ用空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクトなどが主に走る方向をニートラス状またはフィーレンディールの形状としたことを特徴とする半導体工場。
【請求項3】 メイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、前記メイン製造エリアが重層構造を為し、各メイン製造エリアの下部ユーティリティ用空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクトなどが主に走る方向をニートラス状またはフィーレンディールの形状としたことを特徴とする半導体工場。
発明の詳細な説明
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、大屋根を備えたメイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体工場は、大型化し、また製造機器レイアウトの自由性向上のため、大スパン構造(30〜40m程度)が主流となっている。この構造は、通常、構造設計の経済性追求からトラス構造が主流で、斜材が多く、梁高が大きい割にはダクトが貫通できる空間は大きくない。
【0003】一方、排煙ダクトやクリーンの空調を受け持つダクトは、空間に比例して大きく、通常は、両側のコア部に設置のファンや空調機から口径が1.5m×3mや2.5m×2.5mにも達する大きさでスタートするケースも多い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これに対し、従来は、屋根トラス内を貫通しにくいことから、トラス下にこの空間を設け、階高を増加させる手法で対応してきた。
【0005】また、別の手法としては、大梁方向のみをトラス構造とし、梁のつなぎ方向はH鋼のみのつなぎとしたケースもあるが、構造計画上はトラスに比較し割高となっていた。本発明は、かかる従来の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、大屋根を備えたメイン製造エリアの両側または片側の機械室よりのダクトを梁トラス内に納める空間を確保することが可能な半導体工場を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、大屋根を備えたメイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、メイン製造エリアの大屋根を受ける桁往方向の梁の一部(ダクト貫通部)または全域を、ニートラス状またはフィーレンディールの形状とし、内部にダクト貫通用空間を設けたことを特徴とする。
【0007】請求項2に係る発明は、メイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、メイン製造エリアの下部ユーティリティ用空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクトなどが主に走る方向をニートラス状またはフィーレンディールの形状としたことを特徴とする。請求項3に係る発明は、メイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、前記メイン製造エリアが重層構造を為し、各メイン製造エリアの下部ユーティリティ用空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクトなどが主に走る方向をニートラス状またはフィーレンディールの形状としたことを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施形態に基づいて説明する。図1〜図4は、本発明の第一実施形態に係る半導体工場を示す(請求項1に対応)。本実施形態に係る半導体工場1は、大屋根11を備えたメイン製造エリア10と、このメイン製造エリア10の両側に機械室21を設けたコア部20とを有する。
【0009】メイン製造エリア10には、クリンルーム12が設けられている。コア部20には、空調機22を備えた機械室21が設置されている。各空調機22には、主ダクト23が取り付けられ、各主ダクト23には分岐ダクト24が取り付けられている。ここで、主ダクト23から分岐する分岐ダクト24の口径は、従来と同様に1.5m×3mや2.5m×2.5mにも達する大きさでスタートする。
【0010】メイン製造エリア10では、コア部20と直交する方向(または桁往き方向)に主梁13が配置されるとともに、主梁13の直交する方向(コア部20と平行)に小梁14が配置されている。例えば、小梁14は、30m程度の大トラスのつなぎ方向に、6〜8mに一カ所程度の間隔で設けられている。
【0011】そして、小梁14が、図3に示すように、空調機22の分岐ダクト23を貫通させる空間を形成できるように、斜材となる小梁部材14a、14aの一部がニートラス形状にしてある。
【0012】ここで、ニートラス構造とは、垂直材となる小梁部材14bと連結しない斜材となる小梁部材14aの端部が、所要の距離を隔てて小梁上弦部材14cに取り付けられることによって形成された構造をいう。これによって、内部にダクト貫通用空間15が形成されている。この形成されたダクト貫通用空間15は、経済合理性と併せて空間利用の効率アップを図ることができる。
【0013】また、小梁14は、内部にダクト貫通用空間15を形成しない部位では、従来と同様に、小梁部材14a同士を連結して成るトラス構造となっている。図3は、図2の要部を拡大して示す概略平面図である。ここでは、梁13は桁往き方向大梁を示す。なお、梁往き方向大梁13Bを示すが、ない場合もある。
【0014】図5は、本発明の第二実施形態に係る半導体工場を示す(請求項1に対応)。本実施形態に係る半導体工場1Aは、大型ダクトを貫通させるためのダクト貫通用空間15Aがフィーレンディール形状(梯子状)になっている点で上記第一実施形態に係る半導体工場1と相違する。小梁14Aは、図4に示すように、空調機22の分岐ダクト23を貫通させる空間を梯子の格子の間に形成できるように、斜材となる小梁部材14aが取り払われている。また、この構造の変化形として、小梁部材14aの一部が取り除かれる構造でも良い。
【0015】本実施形態においても、第一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。なお、上記各実施形態では、メイン製造エリア10の両側にコア部20を設けた場合について説明したが、本発明は、メイン製造エリア10の片側にコア部20を設けた場合についても当然に適用できる。また、上記各実施形態では、メイン製造エリアの大屋根を受ける桁往方向の小梁にダクト貫通用空間15(15A)を形成した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、メイン製造エリアの大屋根を受ける桁往方向の大梁を含むすべての梁または一部の大梁と小梁を、ニートラス状またはフィーレンディールの形状とし、内部にダクト貫通用空間を設けようにしても良い。
【0016】図6は、本発明の第三実施形態に係る半導体工場を示す(請求項2,請求項3に対応)。本実施形態に係る半導体工場1Bは、重層クリーンルーム型の半導体工場に適用した例を示す。本実施形態に係る半導体工場1Bでは、3つのクリーンルーム12と、各クリーンルーム12の両側に機械室(図示せず)を設けたコア部(図示せず)とを有する。なお、機械室およびコア部は、上記各実施形態と同様である。
【0017】各クリーンルーム12の下部には、ユーティリティ階30が設けられている。このユーティリティ階30は、大梁31が設置された空間構造となっている。このユーティリティ解30は、メインユーティリティ30aとサブユーティリティ30bとに分けられている。ここで、メインユーティリティ30aは、例えば、配管ダクトのメイン部分の設置、製造機器の補機の置き場、除害装置等の置き場として使用される。また、サブユーティリティ30bは、例えば、クリーン空気の循環、製造機器の繋ぎ込みの配管ダクトの設置等に使用される。
【0018】そして、ユーティリティ階30のメインユーティリティ30aは、大口径ダクト等が主に走る方向に小梁36によってフィーレンディール状になっている。また、メインユーティリティ30aの床は、スラブ34によって形成されている。また、メインユーティリティ30aとサブユーティリティ30bは、区画のスラブまたはフラットデッキ等の鉄板のみの区画となっている。
【0019】そして、サブユーティリティ30bは、口鋼100mm程度で組み上げられている。さらに、クリンルーム12側には、根太@600の上にフリーアクセスパネルが敷設されている。
【0020】また、ユーティリティ階30とクリーンルーム12との間には、プレナムチャンバ32が形成されている。従って、本実施形態においても、ユーティリティ階30内にダクト貫通用空間35が形成されている。このダクト貫通用空間35には、分岐ダクト37が配設されている。また、このダクト貫通用空間35は、メンテナンス用のアクセス空間として使用することもできる。
【0021】この形成されたダクト貫通用空間35は、経済合理性と併せて空間利用の効率アップを図ることができる。本実施形態においては、クリーンルーム12とユーティリティ階30とでメイン製造エリア10を構成する(ただし、最下段はクリーンルーム12とリターンスペース40で構成されている)。
【0022】また、最上段のクリーンルーム12の上部には、プレナムチャンバ38を介して大屋根39が設けられている。また、リターンスペース40の床部はマッドスラブ41が設けてある。なお、本実施形態に係る半導体工場1Bにおいては、半導体工場のメインクリンルーム等の製造階の下部ユーティリティ階用の空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクト等が主に走る方向をフィーレンディール状にしたが、ニートラス状にしても良い。
【0023】また、上記実施形態では、重層クリーンルーム型の半導体工場について説明したが、本発明はこれに限らず、一つのクリーンルームを有する半導体工場に適用することが可能である。
【0024】
【発明の効果】請求項1に係る発明によれば、メイン製造エリアの両側または片側に設けたコア部よりのダクトを梁トラス内に納める空間が従来に比し安価に確保することができる。また、30m程度の大トラスのつなぎ方向(6〜8mに一カ所程度)の梁を、大ダクトが貫通する箇所においては、フィーレンディールや二ートラスを採用することで経済合理性と併せて空間利用の効率アップを図ることができる。
【0025】請求項2,3に係る発明によれば、重層クリーンルームにおいても、メイン製造エリアの両側または片側に設けたコア部よりのダクトを梁トラス内に納める空間が従来に比し安価に確保することができる。




 

 


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